Updated on 2024/12/04

写真a

 
MAEDA Fumihiko
 
Organization
Faculty of Engineering Department of Information Electronics Professor
Graduate School of Engineering Doctor's Course Material Science and Production Engineering Professor
Graduate School of Engineering Master's program Information Electronics Professor
Title
Professor
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Degree

  • 博士(理学)東北大学 ( 1997.1   東北大学 )

Research Interests

  • 2次元層状物質

  • 結晶成長

  • 原子層シート

  • Photoelectron spectroscopy

  • Molecular beam epitaxy

  • Graphene

  • Synchrotron radiation

  • グラフェン

Research Areas

  • Others / Others  / 表面界面物性

  • Others / Others  / Thin film and surface interface physical properties

  • Nanotechnology/Materials / Nanostructural physics

Education

  • Tohoku University

    1986.4 - 1988.03

      More details

    Country: Japan

  • Tohoku University

    1982.4 - 1986.03

      More details

    Country: Japan

Research History

  • Fukuoka Institute of Technology   Faculty of Engineering, Department of Information Electronics   Professor

    2015.4

      More details

    Country:Japan

  • 日本電信電話株式会社   物性科学基礎研究所   主任研究員   主任研究員,主幹研究員

    1999.1 - 2015.3

      More details

    Country:Japan

  • 日本電信電話株式会社    基礎研究所   主任研究員   主任研究員

    1996.7 - 1998.12

      More details

    Country:Japan

  • 日本電信電話株式会社   境界領域研究所   研究員   研究主任

    1993.2 - 1996.6

      More details

    Country:Japan

  • 日本電信電話株式会社 入社   電子応用研究所   研究員

    1988.4 - 1993.1

      More details

    Country:Japan

  • この間

  • 2003年10月〜2010年12月 放射線取扱主任者  (日本電信電話株式会社厚木研究開発センター)

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Professional Memberships

  • THE JAPAN SOCIETY OF VACUUM AND SURFACE SCIENCE

      More details

  • THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS

      More details

  • THE JAPANESE SOCIETY FOR SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH

      More details

Committee Memberships

  • 日本表面真空学会九州支部   役員(会計担当)  

    2019.4   

      More details

    Committee type:Academic society

    researchmap

Papers

  • Controllable growth of oriented graphene nanostructures on stainless steel using plasma enhanced chemical vapor deposition Reviewed

    Siyu Jia, Jun Kameoka, Fumihiko Maeda, and Kenji Ueda

    Journal of Applied Physics   136   55301   2024.8

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1063/5.0219264

  • Core-level photoelectron spectroscopy study on the buffer-layer formed in approximately atmospheric pressure argon on n-type and semi-insulating SiC(0001) Reviewed

    Fumihiko Maeda, Makoto Takamura, and Hiroki Hibino

    Surface Science   733   122292   2023.3

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2023.122292

  • Very Gradual and Anomalous Oxidation at the Interface of Hydrogen-Intercalated Graphene/4H-SiC(0001) Reviewed

    Fumihiko Maeda, Makoto Takamura, and Hiroki Hibino

    The Journal of Physical Chemistry C   121 ( 47 )   26389 - 26396   2017.11

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b08631

  • Epitaxial growth of monolayer MoSe2 on GaAs Reviewed

    Koji Onomitsu, Aleksandra Krajewska, Ryan A. E. Neufeld, Fumihiko Maeda, Kazuhide Kumakura, and Hideki Yamamoto

    Applied Physics Express   9   115501   2016.10

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

    DOI: 10.7567/APEX.9.115501

  • Photocurrent generation of a single-gate graphene p–n junction fabricated by interfacial modification Reviewed

    Shengnan Wang, Yoshiaki Sekine, Satoru Suzuki, Fumihiko Maeda, and Hiroki Hibino

    Nanotechnology   26   385203   2015.9

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Structural Instability of Transferred Graphene Grown by Chemical Vapor Deposition against Heating Reviewed

    Satoru Suzuki, Carlo Orofeo, Shengnan Wang, Fumihiko Maeda, Makoto Takamura, and Hiroki Hibino

    The Journal of Physical Chemistry C   117   22123−22130   2013

     More details

    Language:English  

  • Core-level photoelectron spectroscopy study of interface structure of hydrogen-intercalated graphene on n-type 4H-SiC(0001) Reviewed

    Fumihiko Maeda, Shinichi Tanabe, Shingo Isobe, and Hiroki Hibino

    Physical Review B   88   85422   2013

     More details

    Language:English  

  • Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene -Advantage over ethanol in growth Reviewed

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    Diamond and Related Materials   34   84 - 88   2013

     More details

    Language:English  

  • Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene Reviewed

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    Journal of Crystal Growth   378   404 - 409   2013

     More details

    Language:English  

  • Formation of Graphene Nanofin Networks on Graphene/SiC(0001) by Molecular Beam Epitaxy Reviewed

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    Japanese Journal of Applied Physics   51   06FD16   2012

     More details

    Language:English  

  • Study of graphene growth by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol: Influence of gas flow rate on graphitic material deposition, Reviewed

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    Japanese Journal of Applied Physics   50   06GE12   2011

     More details

    Language:English  

  • Gate Operation of InAs/AlGaSb Heterostructures with an Atomic-layer-deposited Insulating Layer Reviewed

    Kyoichi Suzuki, Yuichi Harada, Fumihiko Maeda, Koji Onomitsu, Toru Yamaguchi, and Koji Muraki

    Applied Physics Express   4   125702   2011

     More details

    Language:English  

  • Molecular beam epitaxial growth of graphene and ridge-structure networks of graphene Reviewed

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    Journal of Physics D: Applied Physics   44   435305   2011

     More details

    Language:English  

  • Evaluation of Few-Layer Graphene Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy Using Cracked Ethanol, Reviewed

    Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Ichiro Hirosawa, and Yoshio Watanabe

    e-J. Surf. Sci. Nanotech.   9   58 - 62   2011

     More details

    Language:English  

  • Electronic and surface properties of H-terminated diamond surface affected by NO2 gas, Reviewed

    M. Kubovic, M. Kasu, H. Kageshima, F. Maeda

    Diamond and Related Materials   19   889 - 893   2010

     More details

    Language:English  

  • Growth of few-layer graphene by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol, Reviewed

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    Physica Status Solidi B   247   916 - 920   2010

     More details

    Language:English  

  • Thin Graphitic Structure Formation on Various Substrates by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy Using Cracked-Ethanol, Reviewed

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    Japanese Journal of Applied Physics   49   04DH13   2010

     More details

    Language:English  

  • Dependence of electronic properties of epitaxial few-layer graphene on the number of layers investigated by photoelectron emission microscopy, Reviewed

    H. Hibino, H. Kageshima, M. Kotsugi, F. Maeda, F.-Z. Guo, and Y. Watanabe

    Physical Review B   79   125437   2009

     More details

    Language:English  

  • Proper Combination of Catalyst Materials and Ethanol for High Yield in CVD Growth of Carbon Nanotubes, Reviewed

    Fumihiko Maeda, and Yoshihiro Kobayashi

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   1081   1081-P01-03   2008

     More details

    Language:English  

  • Hydrogen adsorption on single-walled carbon nanotubes studied by core-level photoelectron spectroscopy and Raman spectroscopy, Reviewed

    A. Tokura, F. Maeda, Y. Teraoka, A. Yoshigoe, D. Takagi, Y. Homma, Y. Watanabe, Y. Kobayashi

    Carbon   46   1903 - 1908   2008

     More details

    Language:English  

  • Oxide-mediated formation of α-FeSi2 on Si(001) studied by x-ray adsorption near edge structure analysis using SPELEEM, Reviewed

    Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, and FangZhun Guo

    Surf. Interface Anal.   40   1747 - 1750   2008

     More details

    Language:English  

  • Microscopic thickness determination of thin graphite films formed on SiC from quantized oscillation in reflectivity of low-energy electrons, Reviewed

    H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, and H. Yamaguchi

    Physical Review B   77   75413   2008

     More details

    Language:English  

  • Two-dimensional emission patterns of secondary electrons from graphene layers formed on SiC(0001) , Reviewed

    H. Hibino, H. Kageshima, F.-Z. Guo, F. Maeda, M. Kotsugi and Y. Watanabe

    Applied Surface Science   254   7596 - 7599   2008

     More details

    Language:English  

  • Thickness determination of graphene layers formed on SiC using low-energy electron microscopy Reviewed

    H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, Y. Kobayashi, and H. Yamaguchi

    e-J. Surf. Sci. Nanotech.   6   107 - 110   2008

     More details

    Language:English  

  • Surface Reactions of Metal Catalysts in Ethanol-CVD Ambient at Low-Pressure Studied by in-situ Photoelectron Spectroscopy, Reviewed

    Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, Yoshihiro Kobayashi, Daisuke Takagi, and Yoshikazu Homma

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   963   0963-Q05-04   2007

     More details

    Language:English  

  • Reaction Products of Co Catalysts in Ethanol-Chemical-Vapor-Deposition Ambient at Low-Pressure Studied by in situ X-Ray Photoelectron Spectroscopy, Reviewed

    Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, Yoshihiro Kobayashi, Daisuke Takagi, and Yoshikazu Homma

    Japanese Journal of Applied Physics   46   L148-L150   2007

     More details

    Language:English  

  • Surface Reactions of Metal Catalysts for Carbon Nanotubes on an Oxide Thin Layer/Si Substrates Studied by in-situ Micro X-ray Adsorption Spectroscopy using SPELEEM, Reviewed

    Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, FangZhun Guo, and Yoshio Watanabe

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   967   0967-U05-03   2007

     More details

    Language:English  

  • Surface Reactions of Co on SiO2 thin layer/Si substrate Studied by LEEM and PEEM, Reviewed

    Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, Yoshihiro Kobayashi, Yoshio Watanabe, and FangZhun Guo

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   4   155 - 160   2006

     More details

    Language:English  

  • Beamline for angle-resolved photoemission spectroscopy at low-temperature constructed at NTT Atsugi R&D Center, Reviewed

    S. Suzuki, H. Yamamoto, F. Maeda, Y. Watanabe, K. Yamada, and T. Kiyokura

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA   144   1109 - 1112   2005

     More details

    Language:English  

  • Time-resolved core-level photoelectron spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction study of surface phase transition on GaAs(001), Reviewed

    Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

    Applied Surface Science   237   224 - 229   2004

     More details

    Language:English  

  • Real-time analysis of a surface phase transition of GaAs(001) by core-level photoelectron spectroscopy and photoelectron diffraction, Reviewed

    Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   137   107 - 112   2004

     More details

    Language:English  

  • Surface and Interface Reactions of Catalysts for Carbon Nanotube Growth on Si Substrates Studied by Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy, Reviewed

    F. Maeda, E. Laffosse, Y. Watanabe, S. Suzuki, Y. Homma, M. Suzuki, T. Kitada, T. Ogiwara, A. Tanaka, M. Kimura, V. A. Mihai, H. Yoshikawa, and S. Fukushima

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES   24   19 - 25   2004

     More details

    Language:English  

  • Electronic structure of single-walled carbon nanotubes encapsulating potassium, Reviewed

    Satoru Suzuki, Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, and Toshio Ogino

    PHYSICAL REVIEW B   67   115418   2003

     More details

    Language:English  

  • Passivation-mediated growth of Co on Se, S and O rich GaAs surfaces: A potential approach to control interface crystallinity and magnetic continuity, Reviewed

    K.G. Nath, F. Maeda, S. Suzuki, and Y. Watanabe

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   91   3943 - 3945   2002

     More details

    Language:English  

  • Modified epitaxy in Co/S/GaAs(001) and comparison with Co/GaAs(001) , Reviewed

    K.G. Nath, F. Maeda, S. Suzuki, and Y. Watanabe

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   90   1222 - 1226   2001

     More details

    Language:English  

  • Observation of Ga 3d two-hole states from GaAs surfaces , Reviewed

    S. Suzuki, T. Kiyokura, F. Maeda, K.G. Nath, Y. Watanabe, T. Saitoh, and A. Kakizaki

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA   114   421 - 425   2001

     More details

    Language:English  

  • Performance of the high-resolution high-flux monochromator for bending magnet beamline BL-1C at the Photon Factory, Reviewed

    K. Ono, J.H. Oh, K. Horiba, M. Mizuguchi, M. Oshima, T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, A. Kakizaki, T. Kikuchi, A. Yagishita, and H. Kato

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT   467   573 - 576   2001

     More details

    Language:English  

  • Surfactant-mediated control of surface morphology for Co epitaxial film on S-passivated semiconducting substrate, Reviewed

    K.G. Nath, F. Maeda, S. Suzuki, and Y. Watanabe

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   19   384 - 387   2001

     More details

    Language:English  

  • Distinctly different thermal decomposition pathway of ultrathin oxide layer on Ge and Si, Reviewed

    K. Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino

    Applied Physics Letters   76   2244 - 2246   2000

     More details

    Language:English  

  • Real-time analysis of alternating growth on GaAs(001) by core-level photoelectron spectroscopy, Reviewed

    F. Maeda and Y. Watanabe

    Applied Surface Science   162   319 - 325   2000

     More details

    Language:English  

  • GaSb(001) 4x2-In surface structure studied by core-level photoelectron spectroscopy and x-ray standing-wave analysis, Reviewed

    F. Maeda, M. Sugiyama, and Y. Watanab

    Japanese Journal of Applied Physics   39   4351 - 4354   2000

     More details

    Language:English  

  • In-induced surface reconstruction on GaSb(001), Reviewed

    F. Maeda, M. Sugiyama, and Y. Watanabe

    PHYSICAL REVIEW B   62   1615 - 1618   2000

     More details

    Language:English  

  • Resonant photoemission spectroscopy of Ga 3d two-hole states of GaAs, Reviewed

    S. Suzuki, T. Kiyokura, F. Maeda, K.G. Nath, Y. Watanabe, T. Saitoh, and A. Kakizaki

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN   69   1807 - 1811   2000

     More details

    Language:English  

  • Throughput measurement of a multilayer-coated Schwarzschild objective using synchrotron radiation, Reviewed

    T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, Y. Iketaki, K. Nagai, Y. Horikawa, M. Oshima, E. Shigemasa, and A. Yagishita

    OPTICAL REVIEW   7   576 - 578   2000

     More details

    Language:English  

  • Effect of strain on the chemical bonds in InAs nanocrystals self-organized on GaAs and Se-terminated GaAs surfaces, Reviewed

    Y. Watanabe and F. Maeda

    Applied Surface Science   162   625 - 629   2000

     More details

    Language:English  

  • Epitaxy, modification of electronic structures, overlayer-substrate reaction and segregation in ferromagnetic Co films on Se-treated GaAs(001) surface , Reviewed

    K.G. Nath, F. Maeda, S. Suzuki, and Y. Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics   39   4571 - 4574   2000

     More details

    Language:English  

  • Thermal decomposition pathway of Ge and Si oxides : Observation of a distinct difference, Reviewed

    K. Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino

    Thin Solid Films   369   289 - 292   2000

     More details

    Language:English  

  • Work function change of GaAs surfaces induced by Se treatment, Reviewed

    S. Suzuki, F. Maeda and Y. Watanabe

    Japanese Journal of Applied Physics   38   5847 - 5850   1999

     More details

    Language:English  

  • Sb desorption from Sb/GaAs(001) and GaSb(001) analyzed by core-level phtoelectron spectroscopy, Reviewed

    F. Maeda and Y. Watanabe

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   101-103   293 - 298   1999

     More details

    Language:English  

  • Sb-induced reconstruction on Sb-terminated GaAs(001), Reviewed

    F. Maeda and Y. Watanabe

    Physical Review B   60   10652 - 10655   1999

     More details

    Language:English  

  • SR Aplications, Reviewed

    T. Hosokawa, J. Takahashi, H. Akazawa, F. Maeda, and T. Haga

    NTT Review   10   70 - 78   1998

     More details

    Language:English  

  • Realtime Analysis for MBE by Time-Resolved Core-Level Photoelectron Spectroscopy, Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

    Journal of Synchrotron Radiation   5   1026 - 1028   1998

     More details

    Language:English  

  • Time-Resolved Core-level Photoelectron Spectroscopy on Sb-Terminated GaAs(001) under Sb Supply Control at Growth Temperature, Reviewed

    F. Maeda and Y. Watanabe

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   88-91   779 - 785   1998

     More details

    Language:English  

  • Optical design for a bending -magnet beamline based on a varied-line-spacing plane grating, Reviewed

    T. Kiyokura, F. Maeda, and Y. Watanabe

    Journal of Synchrotron Radiation   5   572 - 574   1998

     More details

    Language:English  

  • Submicrometre-area high-energy-resolution photoelectron spectroscopy system, Reviewed

    T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, E. Shigemasa, A. Yagishita, M. Oshima, Y. Iketaki, and Y. Horikawa

    Journal of Synchrotron Radiation   5   1111 - 1113   1998

     More details

    Language:English  

  • Photoelectron Microspectroscopy Observations of a Cleavage Surface of Semiconductor Double Heterostructure, Reviewed

    T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, Y. Kadota, Y. Iketaki, Y. Horikawa, M. Oshima, E. Shigemasa, and A. Yagishita

    Journal of Vaccum Science & Technolog A   16   1086 - 1090   1998

     More details

    Language:English  

  • GaAs(001)表面近傍の結晶欠陥の制御による表面Fermi準位の制御, Reviewed

    廣田, 前田, 渡辺, 荻野

    表面科学   18   633 - 640   1997

     More details

    Language:Japanese  

  • Realtime observation of alternating growth on GaSb(001) by using core-level photoelectron spectroscopy, Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

    Applied Surface Science   112   69 - 74   1997

     More details

    Language:English  

  • Anomalous downward band bending induced by selenium passivation of MBE-grown InAs(001) surfaces, Reviewed

    Y. Watanabe and F. Maeda

    Applied Surface Science   117/118   753 - 738   1997

     More details

    Language:English  

  • Shift of surface Fermi level position toward the conduction band minimum by crystal defects near GaAs(001) surface, Reviewed

    Y. Hirota, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino

    Journal of Applied Physics   82   1661 - 1666   1997

     More details

    Language:English  

  • Relaxation of band bending on GaAs(001) surface by controlling the crystal defects near the surface, Reviewed

    Y. Hirota, Y. Watanabe, F. Maeda, and T. Ogino

    Applied Surface Science   117/118   619 - 623   1997

     More details

    Language:English  

  • Applicaiton of Synchrotron Radiation to Surface and Interface Characterization, Reviewed

    Y. Watanabe, S. Maedaya, F. Maeda, and M. Sugiyama

    NTT Review   8   60 - 69   1996

     More details

    Language:English  

  • GaSb-growth study by realtime crystal growth analysis system using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy, Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, Y. Muramatsu, and M. Oshima

    Japanese Journal of Applied Physics   35   4457 - 4462   1996

     More details

    Language:English  

  • Realtime analysis on GaSb(001) during Sb-desorption by core-level photoelectron spectroscopy, Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

    Physical Review Letters   78   4233 - 4236   1996

     More details

    Language:English  

  • Surface termiantion of GaAs(001) by Sb-dimers, Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

    Surface Science   357/358   540 - 544   1996

     More details

    Language:English  

  • Photoelectron Spectroscopy on Reconstructed GaSb(001), Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   80   225 - 228   1996

     More details

    Language:English  

  • Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study of bonding at heterointerfaces between InAs nanocrystals and Se-terminated GaAs, Reviewed

    Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Ohisma

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   80   221 - 224   1996

     More details

    Language:English  

  • 放射光利用分析技術, Reviewed

    渡辺,前山,前田,杉山

    NTT R&D   45   277 - 284   1996

     More details

    Language:Japanese  

  • Wataer-Immersion-Induced Surface Reactions of EuBa2Cu3Oy Thin Films, Reviewed

    T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, M. Oshima, H. Asano, and M. Suzuki

    Japan Journal of Applied Physics   34   1396 - 1400   1995

     More details

    Language:English  

  • Photoelectron Spectroscopy of EuBa2Cu3O7-y Thin Films Surfaces Treated by Electron Cyclotron Resonance Oxygen Ion Beam, Reviewed

    H. Asano, M. Suzuki, T. Kiyokura, F. Maeda, A. Menz, Y. Watanabe, and M. Oshima

    Japan Journal of Applied Physics   34   L433-L-436   1995

     More details

    Language:English  

  • InAs epitaxial nanocrystal growth on Se-terminated GaAs(001), Reviewed

    Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

    Compound Semiconductors 1994. Proceedings of the Twenty-First International Symposium, H. Goronkin, U. Mishra, IOP Publishing, Bristol, UK   143 - 148   1995

     More details

    Language:English  

  • X-ray Standing Wave Study of Sb-terminated GaAs(001)-2x4 Surface, Reviewed

    M. Sugiyama, S. Maeyama, F. Maeda, M. Oshima

    Physical Review B   52   2678 - 2681   1995

     More details

    Language:English  

  • Initial stages of Ag growth on Sb-terminated GaAs(001), Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

    Journal of Crystal Growth   150   1164 - 1168   1995

     More details

    Language:English  

  • Formation of InSb nanocrystals on Se-terminated GaAs(001), Reviewed

    Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

    Journal of Crystal Growth   150   863 - 867   1995

     More details

    Language:English  

  • A Photoemission Study of Al and Au Overlayers on Se/GaAs(001), Reviewed

    T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

    表面科学   16   326 - 333   1995

     More details

    Language:English  

  • 放射光と機能界面材料, Reviewed

    尾嶋正治,前山智,渡辺義夫,前田文彦

    NTT R&D   43   47 - 54   1994

     More details

    Language:Japanese  

  • A VUV beamline (ABL-3B) for real-time photoelectron spectroscopy at the NTT synchrotron radiation facility, Reviewed

    Y. Muramatsu, F. Maeda, S. Maeyama, Y. Watanabe, and M. Oshima

    Nuclear Instruments & Methods in Physics Reasearch A   342   596 - 599   1994

     More details

    Language:English  

  • Control of surface bonding by realtime monitoring using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy, Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

    CONTROL OF SEMICONDUCTOR INTERFACES I. Odomari, M. Oshima, and A. Hirak,i Elsevier Science B.V.   127 - 132   1994

     More details

    Language:English  

  • Surface reactions of Ga and As on Sb-terminated GaAs(001), Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

    Applied Surface Science   82/83   276 - 283   1994

     More details

    Language:English  

  • Comparative study between MEE- and MBE-grown InSb-nanocrystals on Se-terminated GaAs(001), Reviewed

    Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

    Applied Surface Science   82/83   136 - 140   1994

     More details

    Language:English  

  • Selective, Maskless Growth of InSb on Selenium-Treated GaAs by Molecular Beam Epitaxy, Reviewed

    Y. Watanabe, T. Scimeca, F. Maeda, and M. Oshima

    Japan Journal of Applied Physics   33   698 - 701   1994

     More details

    Language:English  

  • Surface oxidation of selenium treated GaAs(001), Reviewed

    T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, R. Berrigan, and M. Oshima

    Journal of Vacuum Science and Technology B   12   3090 - 3094   1994

     More details

    Language:English  

  • Nanocrystal growth of InSb on Se-passivated GaAs, Reviewed

    Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

    CONTROL OF SEMICONDUCTOR INTERFACES I. Odomari. M. Oshima, and A. Hiraki, Elsevier Science B.V.   167 - 168   1994

     More details

    Language:English  

  • Two-Dimesional Arrangement of InSb Epitaxial Nanoscale Crystals on Selenium-Treated Terraced GaAs Substrates, Reviewed

    Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

    Springer Series in Materials Science 31 (Nanostructures and Quantum Effects Editors: H. Sakaki and H. Noge, Springer-Verlag Berlin Heidelbelg)   31   242 - 247   1994

     More details

    Language:English  

  • Initial stages of InAs deposition on SrF2-coated EuBa2Cu3O7-y thin-film superconductors, Reviewed

    Y. Watanabe, F. Maeda, M. Oshima, and O. Michikami

    74   5212 - 5216   1993

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • MBE growth of InAs and InSb on EuBa2Cu3O7-y superconducting films, Reviewed

    Y. Watanabe, F. Maeda M. Oshima, and O. Michikami

    Journal of Crystal Growth   127   672 - 677   1993

     More details

    Language:English  

  • Sb-induced surface reconstruction on GaAs(001), Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

    Physical Review B   48   14733 - 14736   1993

     More details

    Language:English  

  • Surface chemical bonding of (NH4)2Sx-treated InP(001), Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

    Applied Physics Letters   62   297 - 299   1993

     More details

    Language:English  

  • Controlled passivation of GaAs by Se treatment, Reviewed

    T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, R. Berrigan, and M. Oshima

    Applied Physics Letters   62   1667 - 1669   1993

     More details

    Language:English  

  • Surface structure of Se-treated GaAs(001) from angle-resolved analysis of core-level photoelectron spectra, Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, T. Scimeca, and M. Oshima

    Physical Review B   48   4956 - 4959   1993

     More details

    Language:English  

  • Novel method for rejuvenating and fabricating stable Se/GaAs surface, Reviewed

    T. Scimeca, K. Prabhakaran, Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

    Applied Physics Letters   63   1807 - 1808   1993

     More details

    Language:English  

  • Growth of InAs on EuBa2Cu3O7-y superconducting thin films with SrF2 intelayers, Reviewed

    Y. Wtanabe, F. Maeda, M. Oshima, and O. Michikami

    Applied Physics Letters   61   979 - 981   1992

     More details

    Language:English  

  • The effects of AsOx and SrF2 interlayer on GaAs growth over EuBa2Cu3O7-y (001), Reviewed

    F. Maeda, Y. Watanabe, M. Oshima, and O. Michikami

    Surface Science   269/270   1096 - 1100   1992

     More details

    Language:English  

  • Initial stages of Ga and As growth on EuBa2Cu3O7-y(001), Reviewed

    F. Maeda, H. Sugahara, M. Oshima, and O. Michikami

    Applied Physics Letters   59   363 - 365   1991

     More details

    Language:English  

  • 酸化物高温超伝導体Bi-Sr-Ca-Cu-O単結晶の放射光光電子分光, Reviewed

    前田文彦,川村朋晃,尾嶋正治,日高義和

    38   1359 - 1368   1989

     More details

    Authorship:Lead author   Language:Japanese   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy of High-Tc Superconductor Bi-Sr-Ca-Cu-O Single Crystals Reviewed

    F. Maeda, T. Kawamura, M. Oshima, Y. Hidaka, and A. Yamaji

    Japanese Jounal of Applied Physics   28   L361 - L363   1989

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Angle-Resolved Ultraviolet Photoemission Study of First Stage Alkali-Metal Graphite Intercalation Compound Reviewed

    N. Gunasekara, T. Takahashi, F. Maeda, T. Sagawa, and H. Suematsu

    Zeitschrift für Physik B -Condensed Matter   70   349 - 355   1988

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Photoemission Study of Single-Crytalline (La1-xSrx)2CuO4-d Reviewed

    T. Takahashi, F. Maeda, H. Katayama-Yoshida, Y. Okabe, T. Suzuki, A. Fujimori, S. Hosoya, S. Shamoto, and M. Sato

    Physical Review B   37   9788 - 9791   1988

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Unocupied-electric band structure of graphite studied by angle-resolved secondary-electron emission and inverse photoemission Reviewed

    F. Maeda, T. Takahashi, H. Ohsawa, S. Suzuki, and H. Suematsu

    Physical Review B   37   4482 - 4488   1988

     More details

    Authorship:Lead author   Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Photoelectron spectroscopy of high-Tc superconductor (La1-xSrx)2CuO4-delta Reviewed

    T. Takahashi, F. Maeda, T. Miyahara, S. Hosoya, and M. Sato

    Jananese Journal of Applied Physics   supplement 26-3   1013 - 1014   1987

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Synchrotron-radiation photoemission study of high-Tc superconductor YBa2Cu3O7-d Reviewed

    T. Takahashi, F. Maeda, h. Arai, H. Katayama-Yoshida, Y. Okabe, T. Suzuki, S. Hosoya, A. Fujimori, T. Shidara, T. Koide, T. Miyahara, M. Onoda, S. Shamoto, and M. Sato

    Physical Review B   36   5686   1987

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Photoelectron Spectroscopy of LnBa2Cu3O7-d(Ln=Y and Sm). Reviewed

    T. Takahashi, F. Maeda, h. Arai, H. Katayama-Yoshida, Y. Okabe, T. Suzuki, Y. Takakuwa, S. Hosoya, A. Fujimori, T. Miyahara, T. Koide, T. Shidara, M. Sato, S. Shamoto, and M. Onoda

    Physica   148B   476   1987

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Surface and Bulk Core-Level Shifts of Si(111)R3xR3-Ag surface: Evidence for a Charged R3xR3 Layer Reviewed

    S. Kono, K. Higashiyama, T. Kinoshita, T. Miyahara, H. Kato, H. Ohsawa, Y. Enta, F. Maeda, and Y. Yaegashi

    Physical Review Letters   58   1555   1987

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Surface Core-Level Shifts of Si(111)R3xR3-Ga surface Reviewed

    K. Higashiyama, S. Kono, T. Kinoshita, T. Miyahara, H. Kato, H. Ohsawa, Y. Enta, F. Maeda, and Y. Yaegashi

    Surface Science   186   L568   1987

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Electric Band Structure of C8Cs Studied by Highly-Angle-Resolved Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy Reviewed

    N. Gunasekara, T. Takahashi, F. Maeda, T. Sagawa, and H. Suematsu

    J. Physical Society Japan   56   2581   1987

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

  • Ultraviolet Photoemission Study of High-Tc Superconductor (La1-xSrx)CuO4-d. Reviewed

    T. Takahashi, F. Maeda, S. Hosoya, and M. Sato

    Jananese Journal of Applied Physics   26   L349   1987

     More details

    Language:English   Publishing type:Research paper (scientific journal)  

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MISC

  • Study on Graphite/Graphene growth from amorphous carbon thin film as a solid source on typical metal substrates

    Supissara Ruangwit and Fumihiko Maeda

    福岡工業大学総合研究機構研究所報   2   1 - 6   2020.2

     More details

    Language:English  

  • グラフェンに関する研究とMBE成長

    前田文彦

    経営工学研究   22   25 - 30   2020

     More details

    Language:Japanese  

  • MBE法によるバッファー層(SiC(0001) 6√3x6√3R30°)上への グラフェン成長

    前田文彦,高村真琴,日比野浩樹

    福岡工業大学総合研究機構研究所報   1   7 - 11   2018.12

     More details

    Language:Japanese  

  • KyLi1-yTaxNb1-xO3結晶のXAFSを用いたトラップ解明

    豊田誠治, 宮津純, 前田文彦, 小林潤也

    平成24年度SPring-8重点産業化促進課題・一般課題(産業分野)実施報告書   2012B   1396   2013

     More details

    Language:Japanese  

  • 少数層多層カーボンナノチューブにおける表面修飾の軟X線光電子分光による研究

    前田文彦,登倉明雄,渡辺義夫,寺岡有殿,吉越章隆

    ナノテクノロジー総合支援プロジェクト研究成果報告書2006B   2008

     More details

    Language:Japanese  

  • 微細加工で作製した磁性体微小構造のボルテックス形成に関するSPELEEMによる研究

    前田文彦,日比野浩樹, 関根佳明, 新田淳作, 好田誠, 郭方准, 渡辺義夫, 小嗣真人

    平成19年度SPring8重点産業利用課題報告書(2007A)   109 - 110   2008

     More details

    Language:Japanese  

  • ナノチューブ成長用触媒金属のSi酸化膜上における反応過程のSPELEEMによる研究

    前田文彦,日比野浩樹,鈴木哲,渡辺義夫,郭方准

    ナノテクノロジー総合支援プロジェクト研究成果報告書2005B   2007

     More details

    Language:Japanese  

  • ナノチューブ成長用触媒金属のSi清浄表面および酸化膜表面における反応過程のSPELEEMによる研究

    前田文彦,日比野浩樹,鈴木哲,渡辺義夫,郭方准

    ナノテク課題研究成果報告書2004B   2005

     More details

    Language:Japanese  

  • シリコン系基板上でのカーボンナノチューブの化学気相成長における触媒の効果 Invited

    本間芳和,小林慶裕,前田文彦

    表面科学   25   339   2004

     More details

    Language:Japanese   Publishing type:Article, review, commentary, editorial, etc. (scientific journal)  

  • 国際シンポジウム機能性半導体ナノシステム(FSNS2003)報告

    前田文彦

    電子材料   43 ( 2 )   76   2004

     More details

    Authorship:Lead author, Corresponding author   Language:Japanese   Publishing type:Article, review, commentary, editorial, etc. (trade magazine, newspaper, online media)  

  • カーボンナノチューブの応用例を教えて下さい

    前田文彦

    NTT技術ジャーナル   25   98   2003

     More details

    Authorship:Lead author, Corresponding author   Language:Japanese   Publishing type:Article, review, commentary, editorial, etc. (other)  

  • 時間分解内殻準位光電子分光による半導体表面過程の解析

    前田文彦,渡辺義夫

    表面科学   ( 23 )   767   2002

     More details

    Language:Japanese  

  • 放射光の表面解析への応用

    前田文彦

    リサーチコミケーションマイクロエレクトロニクス研究開発機構)   14   1998

     More details

    Language:Japanese  

  • 放射光光電子分光によるIII-V族半導体エピタキシャル成長表面の研究

    前田文彦

    放射光(日本放射光学会誌)   1997

     More details

    Language:Japanese  

  • Sb終端GaAs(001)表面におけるin situ光電子分光

    前田文彦, 渡辺義夫, 尾嶋正治

    電気学会電子材料研究会資料   EFM-94 ( 1-6 )   35 - 43   1994

     More details

    Language:Japanese  

  • 放射光光電子分光による化合物半導体/超伝導体界面の評価

    尾嶋正治,前田文彦,渡辺義夫

    科研費重点領域研究金属-半導体界面中間報告書   1991

     More details

    Language:Japanese  

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Presentations

  • エタノールを用いたCVD法によるAg箔上へのグラフェン成長

    岩谷光,前田文彦

    2024年度日本表面真空学会 九州支部学術講演会  2024.6  日本表面真空学会九州支部

     More details

    Event date: 2024.6

    Language:Japanese   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Venue:福岡教育大学 アカデミックホール   Country:Japan  

  • スチレン添加大電力パルススパッタリング(HPPS)プラズマで堆積させた炭素膜の解析

    大石 侑叶,桒田 篤哉,東田遼平,篠原 正典,前田 文彦, 田中 諭志, 松本 貴士

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024.3  応用物理学会

     More details

    Event date: 2024.3

    Language:Japanese   Presentation type:Poster presentation  

    Venue:東京都市大学世田谷キャンパス(東京都世田谷区)   Country:Japan  

  • Direct growth of graphene nanostructures on stainless steel by plasma CVD

    S. Jia, J. Kameoka, F. Maeda, K. Ueda

    2024.3 

     More details

    Event date: 2024.3

    Language:English   Presentation type:Oral presentation (general)  

    Country:Japan  

  • Deposition of Graphene on Si with HPPS Plasma, using Di-isopropyl-ether as carbon source International conference

    Yuto Ooishi, Atsuya Kuwada, Fumihiko Maeda, Masanori Shinohara, Takashi Matsumoto, and Satoshi Tanaka

    The 13th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2023) 

     More details

    Event date: 2023.11

    Venue:BPEX (Busan Port International Exhibition & Convention Center),Busan, Republic of Korea  

  • Comparison of Graphene on Si(110) with Styrene plasma Generated by High-Power Pulsed Sputtering Plasma, with that on Si(100) International conference

    Yuto Ooishi, Atsuya Kuwada, Fumihiko Maeda, Masanori Shinohara, Takashi Matsumoto, and Satoshi Tanaka

    The 13th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE2023) 

     More details

    Event date: 2023.11

    Venue:BPEX (Busan Port International Exhibition & Convention Center),Busan, Republic of Korea  

  • エタノールを用いたCVD法によるAg箔上へのグラフェン成長

    岩谷 光,田中 龍介,増田 有汰,前田 文彦

    第84回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2023.9

    Venue:熊本城ホール(熊本県熊本市)  

  • 大電力パルススパッタリング(HPPS)を用いたグラフェン堆積のプラズマ供給電圧依存性

    大石 侑叶、桒田 篤哉、篠原 正典、前田 文彦、田中 諭志、松本 貴士

    第84回応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2023.9

    Venue:熊本城ホール(熊本県熊本市)  

  • 大気圧Ar中でバッファー層を形成したn型及び半絶縁性SiC(0001)の内殻準位光電子分光

    前田文彦,高村真琴,日比野浩樹

    第70回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2023.3

    Venue:上智大学(東京都千代田区)  

  • アモルファスカーボン薄膜を固体材料として用いたグラフェン/グラファイトの成長―SOI基板を用いた鉄シリサイド上へのグラフェン成長―

    ランウィットスピサラ,前田文彦

    第67回 応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2020.3

    Venue:上智大学(東京都千代田区)  

  • グラフェンとその作製法

    前田文彦

    第146回 福工大土曜談話会 

     More details

    Event date: 2019.12

    Venue:福岡工業大学(福岡市東区)  

  • Study on Graphite/Graphene growth from amorphous carbon thin film as a solid source on typical metal substrates International conference

    Supissara Ruangwit and Fumihiko Maeda

    12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Device (ALC’19) 

     More details

    Event date: 2019.10

    Venue:Miyako Messe, Kyoto, Japan  

  • アモルファスカーボン薄膜を固体材料として用いたグラフェン/グラファイトの成長- Fe 基板を用いた成長-

    ランウィットスピサラ,前田文彦

    第 80 回 応用物理学会秋季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.9

    Venue:北海道大学(北海道札幌市)  

  • Hot-Filamentを用いたガスソースMBEによるグラフェン成長

    前田文彦,日比野浩樹

    第16回Cat-CVD研究会 

     More details

    Event date: 2019.7

    Venue:BIZ SPACE 姫路(兵庫県姫路市)  

  • グラフェンに関する研究とMBE成長

    前田文彦

    令和元年度 JIMA九州・JSPM九州研究 

     More details

    Event date: 2019.5

    Venue:福岡工業大学(福岡市東区)  

  • アモルファスカーボン薄膜を固体材料として用いた グラフェン/グラファイトの成長

    ランウィットスピサラ,前田文彦

    第66回応用物理学会春季学術講演会 

     More details

    Event date: 2019.3

    Venue:東京工業大学大岡山キャンパス  

  • Very gradual and anomalous oxidation at the interface of hydrogen-intercalated graphene/4H-SiC(0001) International conference

    Fumihiko Maeda, Makoto Takamura and Hiroki Hibino

    International Symposium on Epitaxial Graphene 

     More details

    Event date: 2017.11

    Venue:Nagoya University, Nagoya, Aich, Japan  

  • 水素終端処理したグラフェン/SiC(0001)における?グラフェンの劣化?−電流通電が誘起した非常に遅い界面酸化−

    前田文彦,高村真琴,日比野浩樹

    第63回応用物理学会春期学術講演会 

     More details

    Event date: 2016.3

    Venue:東京工業大学大岡山キャンパス(東京都目黒区)  

  • RF-MBE 法によるエピタキシャルグラフェン上への AlN 成長

    山崎 隆弘、畑 泰希、山根 悠介、関根 佳明、前田 文彦、日比野 浩樹、藤田 実樹、牧本 俊樹

    第76回秋季応用物理学会講演会 

     More details

    Event date: 2015.8

    Venue:名古屋国際会議場  

  • Graphene growth on the buffer layer of SiC(0001) by molecular beam epitaxy

    Fumihiko Maeda, Makoto Takamura and Hiroki Hibino

    The 7th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS7) 

     More details

    Event date: 2014.11

    Venue:Kunibiki Messe, Matsue, Shimane, Japan  

  • Current-induced degradation of graphene and successive gradual oxidation at the interface of hydrogen-intercalated graphene/SiC(0001)

    Fumihiko Maeda, Makoto Takamura, Shingo Isobe, Shohei Takagi and Hiroki Hibino

    The 15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014) 

     More details

    Event date: 2014.8

    Venue:Fukuoka University, Fukuoka, Japan  

  • 基板上グラフェンの熱的不安定性

    鈴木哲,高村真琴,村田裕也,前田文彦,ワンシェンナン,カルロオロフェオ,日比野浩樹

    第61回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2014.3

    Venue:青山学院大学(相模原市)  

  • SiC (0001)に形成したバッファー層上へのMBEによるグラフェン成長

    前田文彦,高村真琴,日比野浩樹

    第61回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2014.3

    Venue:青山学院大学(相模原市)  

  • グラフェン 積層 接合の電気特性

    茶谷洋光,奥村俊夫,伊澤輝記,井口宗明,中島健志,小林慶祐,呉龍錫,有月琢哉,松本卓也,永瀬雅夫,前田 文彦,日比野 浩樹

    第61回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2014.3

    Venue:青山学院大学(相模原市)  

  • SiC 上バッファ層の水素雰囲気下でのアニール - グラフェンリッジの生成とエッチング -

    高村 真琴, 高木 翔平, 前田 文彦, 日比野 浩樹

    第61回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2014.3

    Venue:青山学院大学(相模原市)  

  • Heating-induced disorder of graphene transferred to a substrate International conference

    Satoru Suzuki, Carlo M. Orofeo, Shengnan Wang, Fumihiko Maeda, Makoto Takamura, and Hiroki Hibino

    41st Conference on the Physics & Chemistry of Surface & Interface 

     More details

    Event date: 2014.1

    Venue:La Fonda Hotel, Santa Fe, New Mexico, USA  

  • Current-induced modulation of hydrogenated graphene/SiC(0001): Difference between current applied in vacuum and air

    Fumihiko Maeda, Shingo Isobe, and Hiroki Hibino

    12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

     More details

    Event date: 2013.11

    Venue:Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan  

  • Graphene growth on graphene by molecular beam epitaxy International conference

    Fumihiko Maeda

    Crystal & Graphene Science Symposium-2013 

     More details

    Event date: 2013.9

    Venue:Hilton Garden Inn, Waltham, MA, USA  

  • Growth of graphene by molecular beam epitaxy using cracked ethanol and ethylene International conference

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    Paul-Drude-Institut Topical Workshop on MBE-Grown Graphene 2013 

     More details

    Event date: 2013.9

    Venue:Paul-Drude-Institut, Berlin, Germany  

  • Current-induced oxidation at the interface of hydrogen-intercalated graphene/SiC(0001) under atmospheric ambient and mobility degradation

    Fumihiko Maeda, Shingo Isobe, and Hiroki Hibino

    5th International Conference on Research Progress in Graphene Research (RPGR 2013) 

     More details

    Event date: 2013.9

    Venue:Tokyo Tech Front, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan  

  • 大気中通電が誘起するグラフェン/水素終端SiC(0001)における界面酸化反応と移動度の低下

    前田文彦,磯部真吾,日比野浩樹

    第74回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Venue:同志社大学(京都府京田辺市)  

  • 基板上に転写された CVD ク_ラフェンの加熱に対する構造不安定性

    鈴木 哲,前田 文彦、ShengnanWang,CarloM.Orofeo,日比野 浩樹

    第74回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Venue:同志社大学(京都府京田辺市)  

  • Ru(0001)表面に成長したグラフェンの凹凸構造?

    村田 祐也,鈴木 哲,前田 文彦,日比野 浩樹

    第74回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2013.9

    Venue:同志社大学(京都府京田辺市)  

  • Photoelectron spectroscopy study of interface structure of hydrogen intercalated graphene/SiC(0001)

    Fumihiko Maeda, Shinichi Tanabe, and Hiroki Hibino

    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors 

     More details

    Event date: 2013.5

    Venue:Kobe Convention Center, Kobe, Japan  

  • グラフェン/SiC(0001)の水素処理と真空中加熱過程

    前田文彦,田邉真一,磯部真吾,日比野浩樹

    第60回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Venue:神奈川工科大学(厚木市)  

  • Ru(0001)表面に成長したグラフェンの凹凸構造

    村田祐也,鈴木哲,前田文彦,日比野浩樹

    第60回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2013.3

    Venue:神奈川工科大学(厚木市)  

  • Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene -Advantage over ethanol in growth- International conference

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    International Conference on Diamond and Carbon Materials 2012 (ICDCM 2012) 

     More details

    Event date: 2012.9

    Venue:Palacio de Exposiciones y Congresos , Granada, Spain  

  • Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012) 

     More details

    Event date: 2012.9

    Venue:Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan  

  • エチレンを用いたガスソースMBEによるグラフェン成長 -エタノールに対する優位性-

    前田文彦,日比野浩樹

    第73回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2012.9

    Venue:愛媛大学・松山大学(愛媛県松山市)  

  • エチレンを用いたガスソースMBEによるグラフェン成長

    前田文彦,日比野浩樹

    第59回 応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2012.3

    Venue:早稲田大学(東京都新宿区)  

  • Formation of Fin-like Ridge-structures of Graphene on Graphene/SiC(0001) by Molecular Beam Epitaxy

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    24rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2011) 

     More details

    Event date: 2011.10

    Venue:ANA Hotel Kyoto, Kyoto, Japan  

  • ガスソースMBEによるグラフェンの成長 -フィン状構造の形成

    前田文彦,日比野浩樹

    第72回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2011.8

    Venue:山形大学(山形市)  

  • エピタキシャルグラフェン成長のSiC基板面方位依存性

    日比野浩樹,田邉真一,前田文彦,影島愽之,鶴田和弘

    第72回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2011.8

    Venue:山形大学(山形市)  

  • エピタキシャルグラフェンの成長とLEEMによる評価

    日比野浩樹,田邉真一,影島愽之,前田文彦

    第72回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2011.8

    Venue:山形大学(山形市)  

  • CVD growth of carbon nanotubes from C60-fullerene nuclei

    阿形省吾,根岸良太,高木大輔,前田文彦,本間芳和,小林慶裕

    第30回電子材料シンポジウム 

     More details

    Event date: 2011.6

    Venue:ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)  

  • Molecular Beam Epitaxy Growth of Graphene and Ridge-Structure Network of Graphene Using Cracked Ethanol International conference

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    Graphene 2011 

     More details

    Event date: 2011.4

    Venue:Bilbao Exhibition Centre, Bilbao, Spain  

  • 各種の材料ガスを用いたC60フラーレン核からのカーボンナノチューブの成長

    根岸良太,高木大輔,前田文彦,阿形省吾,小林慶裕,本間芳和

    第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

     More details

    Event date: 2011.3

    Venue:名城大学(名古屋市)  

  • エタノールを用いたガスソースMBEによるグラフェンの成長 -成長温度依存性-

    前田文彦,日比野浩樹

    第58回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2011.3

    Venue:神奈川工科大学(厚木市)  

  • エピタキシャルグラフェン成長とLEEM評価技術

    日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, 前田文彦

    第58回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2011.3

    Venue:神奈川工科大学(厚木市)  

  • Evaluation of Few-Layer Graphene Grown by Gas-source Molecular Beam Epitaxy Using Cracked Ethanol

    Fumihiko Maeda, Hiroki hibino, Ichiro Hirosawa, and Yoshio Watanabe

    The 6th International Workshop on Nano-scale Spectroscopy and Nanotechnology (NSS6) 

     More details

    Event date: 2010.10

    Venue:Kobe University, Kobe, JAPAN  

  • エタノールを用いたガスソースMBEによるグラフェンの成長-流量の変化が成長に及ぼす影響-

    前田文彦,日比野浩樹

    第71回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2010.9

    Venue:長崎大学(長崎市)  

  • ALD絶縁膜を用いたInAs/AlGaSbヘテロ構造のゲート制御

    鈴木恭一,小野満恒二,原田裕一,前田文彦,山口徹,村木康二

    第71回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2010.9

    Venue:長崎大学(長崎市)  

  • Gate Operation of InAs/AlGaSb Heterostructures with an ALD Insulating Layer International conference

    Kyoichi Suzuki, Yuichi Harada, Fumihiko Maeda, Koji Onomitsu, Toru Yamaguchi, and Koji Muraki

    16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 

     More details

    Event date: 2010.8

    Venue:bcc Berliner Congress Center, Berlin, Germany  

  • フラーレンを成長核に用いたカーボンナノチューブ合成

    高木大輔,前田文彦,日比野浩樹,小林慶裕,本間芳和

    第57回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2010.3

    Venue:東海大学(平塚市)  

  • 貴金属粒子より成長した単層カーボンナノチューブのラマンスペクトルにおける特異な信号強度

    小林慶裕,高木大輔,庄司暁,根岸良太,前田文彦,河田聡

    第57回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2010.3

    Venue:東海大学(平塚市)  

  • エタノールを用いたガスソースMBEによるグラフェン成長-Si酸化膜,サファイア,グラフェン上への試行-

    前田文彦,日比野浩樹

    第57回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2010.3

    Venue:東海大学(平塚市)  

  • ガスソースMBEで成長した少数層グラフェンのX線CTR散乱による評価

    前田文彦,日比野浩樹,広沢一郎,渡辺義夫

    日本放射光学会第23回年会 

     More details

    Event date: 2010.1

    Venue:イーグレ姫路(兵庫県姫路市)  

  • Study on graphene growth by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol; Influenceof gas flow rate on graphitic material deposition

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2010) 

     More details

    Event date: 2010

    Venue:Kokura, Fukuoka, Japan  

  • X-ray Photoelectron Spectroscopy of Oxygen- and Hydrogen-terminated Diamond Surfeces International conference

    K. Michal F. Maeda, and M. Kasu

    Materials Science Society 2009 Fall Meeting 

     More details

    Event date: 2009.11

    Venue:Boston, USA  

  • Thin Graphitic Structure Formation on Various Substrates by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy using Cracked-Ethanol

    Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

    2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009) 

     More details

    Event date: 2009.10

    Venue:Sendai, Miyagi, Japan  

  • 分解したエタノールを成長材料としたMBEによる少数層グラフェンの成長

    前田文彦,日比野浩樹

    第70回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2009.9

    Venue:富山大学(富山市)  

  • 酸素および水素終端ダイヤモンド表面のXPS測定

    K.Michal, 前田文彦, 嘉数誠

    第70回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2009.9

    Venue:富山大学(富山市)  

  • エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のX線CTR散乱による解析

    日比野浩樹,前田文彦, 影島博之, 永瀬雅夫, 広沢一郎, 渡辺義夫

    第70回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2009.9

    Venue:富山大学(富山市)  

  • Growth of few-layer graphene by gas-source molecular beam epitaxy using cracked-ethanol International conference

    Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, and Yoshihiro Kobayashi

    European Materials Research Society (E-MRS) 2009 Spring Meeting 

     More details

    Event date: 2009.6

    Venue:Strasbourg, France  

  • 少数層グラフェン/6H-SiC(0001)のX線CTR散乱

    前田文彦, 日比野浩樹, 広沢一郎, 渡辺義夫

    日本放射光学会第22回年会 

     More details

    Event date: 2009.1

    Venue:東京大学(本郷)  

  • Chemical and morphological effects on catalyst activities for carbon nanotube growth

    Fumihiko Maeda and Yoshihiro Kobayashi

    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5) 

     More details

    Event date: 2008.11

    Venue:Waseda Univ., Japan  

  • CVD成長におけるCNT収量に及ぼす大気曝露の影響 -真空一貫プロセスとの比較-

    前田文彦, 小林慶裕

    第69回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2008.9

    Venue:中部大学(愛知県春日井市)  

  • Proper Combination of Catalyst Materials and Ethanol for High Yield in CVD Growth of Carbon Nanotubes International conference

    Fumihiko Maeda and Yoshihiro Kobayashi

    Materials Science Society 2008 Spring Meeting 

     More details

    Event date: 2008.3

    Venue:San Francisco, USA  

  • SiC(0001)表面に成長したグラフェン層の光電子顕微鏡観察

    日比野浩樹, 影島博之, 郭方准, 前田文彦, 小嗣真人, 渡辺義夫

    第55回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2008.3

    Venue:日本大学(船橋市)  

  • その場分光法によるカーボンナノチューブ成長過程解析

    小林慶裕, 前田文彦, 内田貴司, 田澤雅也

    特定領域研究会 

     More details

    Event date: 2008

  • Numbers-of-layers distribution in graphene layers formed on SiC(0001)

    H. Hibino, M. Nagase, H. Kageshima, F. Maeda, Y. Kobayashi, and H. Yamaguchi

    15th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM15) 

     More details

    Event date: 2007.12

    Venue:Atagawa Heights , Japan  

  • Chemical State of Iron nanoparticle catalysts for single-walled carbon nanotube growth studied by in situ photoelectron spectroscopy

    Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, and Y. Kobayashi

    The 9th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostrucutures (ACSIN-9) 

     More details

    Event date: 2007.11

    Venue:Tokyo, Japan  

  • Two-dimensional emission patterns of secondary electrons from graphene layers formed on SiC(0001)

    H. Hibino, H. Kageshima, F.-Z. Guo, F. Maeda, M. Kotsugi and Y. Watanabe

    The 9th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostrucutures (ACSIN-9) 

     More details

    Event date: 2007.11

    Venue:Tokyo, Japan  

  • Diameter dependence of hydrogen adsorption on single-walled carbon nanotubes

    A. Tokura, F. Maeda, Y. Teraoka, A. Yoshigoe, D. Takagi, Y. Homma, Y. Watanabe, Y. Kobayashi

    The 9th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostrucutures (ACSIN-9) 

     More details

    Event date: 2007.11

    Venue:Tokyo, Japan  

  • Oxide-mediated formation of α-FeSi2 on Si(001) studied by x-ray adsorption near edge structure analysis using SPELEEM

    Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, and FangZhun Guo

    6th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '07 (ALC07) 

     More details

    Event date: 2007.10

    Venue:Kanazawa, Japan  

  • Thickness Determination of Graphene Layers Formed on SiC using Low-energy Electron Microscopy

    H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, and H. Yamaguchi

    6th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '07 (ALC07) 

     More details

    Event date: 2007.10

    Venue:Kanazawa, Japan  

  • SiC(0001)表面に形成したグラフェン層の層数分布

    日比野浩樹, 永瀬雅夫, 影島博之, 前田文彦, 小林慶裕, 山口浩司

    第68回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2007.9

    Venue:北海道工業大学(札幌市)  

  • SiC上に形成したグラファイト薄膜のSPELEEM観察

    日比野浩樹, 郭方准, 前田文彦, 渡辺義夫

    第4回産業利用報告会(戦略活用プログラム報告会) 

     More details

    Event date: 2007.9

    Venue:総評会館(東京都千代田区)  

  • 低圧エタノールCVDによるカーボンナノチューブ成長の触媒金属に関するその場光電子分光による研究

    前田文彦, 鈴木哲, 小林慶裕

    第33回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

     More details

    Event date: 2007.7

    Venue:九州大学(福岡市)  

  • サブミクロンサイズの磁性体の磁区構造のXMCDPEEM観察

    関根佳明, 日比野浩樹, 前田文彦, 渡辺義夫, 郭方准, 新田淳作

    第54回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2007.3

    Venue:青山学院大学(相模原市)  

  • 軟X線光電子分光によるカーボンナノチューブへの原子状水素照射の影響の解析

    登倉明雄, 前田文彦, 高木大輔, 本間芳和, 吉越章隆, 寺岡有殿, 渡辺義夫, 小林慶裕

    第54回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2007.3

    Venue:青山学院大学(相模原市)  

  • 6H-SiC(0001)表面に形成したグラファイト薄膜のLEEM観察

    日比野浩樹, 影島博之, 前田文彦, 永瀬雅夫, 小林慶裕, 山口浩司

    第54回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2007.3

    Venue:青山学院大学(相模原市)  

  • CVD法によるカーボンナノチューブ成長のin situ XPS(III) -Fe触媒による成長-

    前田文彦, 登倉明雄, 鈴木哲, 小林慶裕

    第54回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2007.3

    Venue:青山学院大学(相模原市)  

  • In situ x-ray photoelectron spectroscopy study on carbon nanotube growth using metallic and oxidized catalysts by ethanol-CVD

    F. Maeda, S. Suzuki, Y. Kobayashi, D. Takagi, and Y. Homma

    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007) 

     More details

    Event date: 2007

    Venue:Kyoto Univ. Japan  

  • Surface Reactions of Metal Catalysts in Ethanol-CVD Ambient at Low-Pressure Studied by in-situ Photoelectron Spectroscopy International conference

    F. Maeda, S. Suzuki, Y. Kobayashi, D. Takagi, and Y. Homma

    Materials Science Society 2006 Fall Meeting 

     More details

    Event date: 2006.11

    Venue:Boston, USA  

  • Surface Reactions of Metal Catalysts for Carbon Nanotubes on an Oxide Thin Layer/Si Substrates Studied by in-situ Micro X-ray Adsorption Spectroscopy using SPELEEM International conference

    Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, FangZhun Guo, and Yoshio Watanabe

    Materials Science Society 2006 Fall Meeting 

     More details

    Event date: 2006.11

    Venue:Boston, USA  

  • Surface reactions of Fe on SiO2 thin layer/Si substrates studied by SPELEEM

    Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, and FangZhun Guo

    The 5th International Conference on LEEM/PEEM (LEEM/PEEM-V) 

     More details

    Event date: 2006.10

    Venue:Himeji, Japan  

  • ナノチューブ成長用触媒金属のSi酸化膜上における反応過程のSPELEEMによる研究

    前田文彦

    第11回Spring-8触媒評研究会 

     More details

    Event date: 2006.10

    Venue:大阪府立大学  

  • X線光電子分光による成長ガスが多層カーボンナノチューブに与える影響の解析

    登倉明雄, 前田文彦, 小林慶裕, 高木大輔, 本間芳和

    第67回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2006.8

    Venue:立命館大学(滋賀県草津市)  

  • 酸化膜を形成したSi基板上におけるカーボンナノチューブ成長用触媒金属の表面反応に関するSPELEEMによる研究

    前田文彦, 日比野浩樹, 鈴木哲, 郭方准, 渡辺義夫

    LEEM/PEEM研究会―顕微ナノ材料科学の発展― 

     More details

    Event date: 2006.8

    Venue:SPring-8(兵庫県)  

  • CVD法によるカーボンナノチューブ成長のin situ XPS(II)

    前田文彦, 登倉明雄, 鈴木哲, 小林慶裕, 高木大輔, 本間芳和

    第67回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2006.8

    Venue:立命館大学(滋賀県草津市)  

  • X-ray photoelectron spectroscopy study on the vertically aligned carbon nanotube film

    A. Tokura, F. Maeda, K. Sumitomo, Y. Kobayashi, D. Takagi, and Y. Homma

    Seventh International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT06) 

     More details

    Event date: 2006.6

    Venue:Nagano, Japan  

  • Surface reactions of Co catalysts in ethanol-CVD ambient at low-pressure studied by in situ photoelectron spectroscopy

    F. Maeda, S. Suzuki, Y. Kobayashi, D. Takagi, and Y. Homma

    Seventh International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT06) 

     More details

    Event date: 2006.6

    Venue:Nagano, Japan  

  • 超高真空中光照射によるカーボンナノチューブの損傷

    鈴木哲, 前田文彦, 小林慶裕

    第53回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2006.3

    Venue:武蔵工大(東京都世田谷区)  

  • Fe/SiO2/Si構造における表面・界面反応のSPELEEMによる解析

    前田文彦, 日比野浩樹, 鈴木哲, 郭方准

    第53回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2006.3

    Venue:武蔵工大(東京都世田谷区)  

  • CVD法によるカーボンナノチューブ成長のin situ XPS

    前田文彦, 鈴木哲, 小林慶裕, 高木大輔, 本間芳和

    第53回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2006.3

    Venue:武蔵工大(東京都世田谷区)  

  • 光照射によるカーボンナノチューブの損傷

    鈴木哲, 前田文彦, 小林慶裕

    第30回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

     More details

    Event date: 2006.1

    Venue:名城大学(名古屋市)  

  • Surface Reactions of Co on SiO2 thin layer/Si substrate Studied by LEEM and PEEM

    Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, Yoshihiro Kobayashi, Yoshio Watanabe, and FangZhun Guo

    International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4) 

     More details

    Event date: 2005.11

    Venue:Saitama, Japan  

  • CVD 法による単層カーボンナノチューブ成長の高真空化へ向けた検討

    遠藤晋旦, 前田文彦, 松本哲憲, 本間芳和, 小林慶裕

    第66回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2005.9

    Venue:徳島大学(徳島市)  

  • ナノチューブ成長用触媒金属/SiO2/Si構造における表面・界面反応の軟X線光電子分光による研究

    渡辺義夫, 前田文彦, Elise Laffosse, 鈴木哲, 本間芳和, 鈴木峰晴, 北田隆行, 荻原俊弥, 田中彰博, 木村昌弘, Vlaicuaurel Mihai, 吉川英樹, 福島整

    放射光利用 ナノテク最前線2005 

     More details

    Event date: 2005.6

    Venue:(京都市)  

  • ボイドを形成したSi酸化膜表面におけるCoの反応のPEEMによる解析

    前田文彦, 日比野浩樹, 鈴木哲, 小林慶裕, 渡辺義夫, 郭方准

    第52回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2005.3

    Venue:埼玉大学(さいたま市)  

  • Co/SiO2/Si構造における表面・界面反応のLEEM/PEEM観察

    前田文彦, 日比野浩樹, 鈴木哲, 小林慶裕, 渡辺義夫, 郭方准

    日本放射光学会第18回年会 

     More details

    Event date: 2005.1

    Venue:(佐賀県鳥栖市)  

  • Co/Si酸化膜/Si構造における表面・界面反応のLEEMによる解析

    前田文彦, 日比野浩樹, 小林慶裕

    第65回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2004.9

    Venue:東北学院大(仙台市)  

  • Beamline for angle-resolved photoemission spectroscopy at low-temperature constructed at NTT Atsugi R&D Center International conference

    S. Suzuki, H. Yamamoto, F. Maeda, Y. Watanabe, K. Yamada, and T. Kiyokura

    The 14th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Phsics (VUV-14) 

     More details

    Event date: 2004.7

    Venue:Australian National University, Australia  

  • 触媒金属のSi基板上における表面・界面反応の軟X線光電子分光による解析

    前田文彦, 渡辺義夫, 鈴木哲, 本間芳和, Elise Laffosse, 鈴木峰晴, 北田隆行, 荻原俊弥, 田中彰博, 木村昌弘, Vlaicuaurel Mihai, 吉川英樹, 福島整

    第51回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2004.3

    Venue:東京工科大(八王子市)  

  • 触媒金属/SiO2/Si構造における表面・界面反応の軟X線光電子分光

    前田文彦, 渡辺義夫, 鈴木哲, 本間芳和, Elise Laffosse, 鈴木峰晴, 北田隆行, 荻原俊弥, 田中彰博, 木村昌弘, Vlaicuaurel Mihai, 吉川英樹, 福島整

    日本放射光学会第17回年会 

     More details

    Event date: 2004.1

    Venue:(つくば市)  

  • カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光

    鈴木哲, 前田文彦,渡辺義夫, 荻野俊郎, 本間芳和

    日本放射光学会第17回年会 

     More details

    Event date: 2004.1

    Venue:(つくば市)  

  • Tiem-resolved core-level photoelectron spectroscopy and reflection high energy diffraction study on surface phase transition of GaAs(001)

    Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

    The 7th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostrucutures (ACSIN-7) 

     More details

    Event date: 2003.11

    Venue:Tokyo, Japan  

  • Non-rigid band shift behavior of potassium-filled carbon nanotubes

    S.Suzuki, Y. Watanabe, F. Maeda, Y. Homma, and T. Ogino

    International Symposium on Functional Semiconductor Nanosystems 2003 

     More details

    Event date: 2003.11

    Venue:Atsugi, Kanagawa, Japan  

  • Surface and Interface Reactions of Catalysts for Carbon Nanotube Growth on Si Substrates Studied by Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy

    F. Maeda, E. Laffosse, Y. Watanabe, S. Suzuki, Y. Homma, M. Suzuki, T. Kitada, T. Ogiwara, A. Tanaka, M. Kimura, V. A. Mihai, H. Yoshikawa, and S. Fukushima

    International Symposium on Functional Semiconductor Nanosystems 2003 

     More details

    Event date: 2003.11

    Venue:Atsugi, Kanagawa, Japan  

  • カリウム内包単層ナノチューブの電子状態

    鈴木哲, 前田文彦,渡辺義夫, 荻野俊郎, 本間芳和

    第25回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

     More details

    Event date: 2003.7

    Venue:夢舞台淡路国際会議場(兵庫県津名郡)  

  • Photoelectron diffraction effect in real-time analysis by core-level photoelectron spectroscopy on surface phase transition of GaAs(001) International conference

    Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

    9th International Conference on Electron Spectroscopy (ICESS-9) 

     More details

    Event date: 2003.6

    Venue:Uppsala, Sweden  

  • カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光

    鈴木哲, 前田文彦,渡辺義夫, 本間芳和, 荻野俊郎

    日本物理学会第58回年次大会 

     More details

    Event date: 2003.3

    Venue:東北大学(仙台)  

  • GaAs(001)表面相転移の時間分解内殻準位光電子分光による実時間解析

    前田文彦,渡辺義夫

    日本放射光学会第16回年会 

     More details

    Event date: 2003.1

    Venue:(兵庫県姫路市)  

  • NTT厚木研究開発センタにおける角度分解光電子分光ビームラインの製作

    鈴木哲, 山本秀樹, 山田浩治, 清倉孝規, 前田文彦, 渡辺義夫

    日本放射光学会第16回年会 

     More details

    Event date: 2003.1

    Venue:(兵庫県姫路市)  

  • リアルタイム光電子分光によるIII-V化合物半導体表面過程の解析

    前田文彦

    高輝度光源利用研究会(物性研短期研究会) 

     More details

    Event date: 2002.12

    Venue:東京大学物性研究所(柏市)  

  • GaAs(001)の時間分解内殻準位光電子分光-2x4←→4x2超構造相転移過程-

    前田文彦,渡辺義夫

    日本物理学会2002年秋の分科会 

     More details

    Event date: 2002.9

    Venue:中部大学(愛知県春日井市)  

  • 低温測定用角度分解光電子分光ビームラインの製作

    鈴木哲, 山本秀樹, 山田浩治, 清倉孝規, 前田文彦, 渡辺義夫

    日本物理学会2002年秋の分科会 

     More details

    Event date: 2002.9

    Venue:中部大学(愛知県春日井市)  

  • Modification of surface states induced by Ga-deposition on InAs(001) International conference

    Y. Watanabe, and F. Maeda

    The 13th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics (VUV-XIII) 

     More details

    Event date: 2001.7

    Venue:Trieste, Italy  

  • GaAs(001)基板上の遷移金属エピタキシーにおけるサーファクタント効果の研究

    Krishna G. Nath, 前田文彦,鈴木哲,渡辺義夫

    第48回応用物理学会関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2001.3

    Venue:明治大学(東京都千代田区)  

  • 「Experimental evidence of Co valence band satellite」

    Krishna G. Nath, Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, Yoshio Watanabe,and Toyohiko Kinoshita

    日本放射光学会第14回年会 

     More details

    Event date: 2001.1

    Venue:広島大学(東広島市)  

  • Ge 表面上のFe2O3ナノ粒子の反応初期過程

    K. Prabhakaran, 渡辺義夫,Krishna G. Nath, 前田文彦,k.v.p.m.shafi, a.ulman, 荻野俊郎

    第62回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 2001.1

    Venue:(名古屋市)  

  • Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy of nanostructures" International conference

    Y. Watanabe, S. Suzuki, F. Maeda, and T. Kiyokura

    1st International Workshop on Nano-scale Spectroscopy 

     More details

    Event date: 2000.12

    Venue:Trieste, Italy  

  • 「GaAs表面の実時間光電子分光」

    前田文彦

    放射光の半導体への応用技術研究委員会第45回例会 

     More details

    Event date: 2000.9

    Venue:東京  

  • Observation of Gallium 3d Two-Hole State from GaAs Surfaces" International conference

    Satoru Suzuki, Takanori Kiyokura, Fumihiko Maeda, Krishna G. Nath, Yoshio Watanabe, Tomohiko Saitoh, and Akito Kakizaki

    8th International Conference on Electron Spectroscopy (ICESS-8) 

     More details

    Event date: 2000.8

    Venue:Berkley, USA  

  • Performance of the high-resolution high-flux monochromator for bending magnet beamline BL-1C at the Photon Factory" International conference

    K. Ono, J.H. Oh, K. Horiba, M. Mizuguchi, M. Oshima, T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, A. Kakizaki, T. Kikuchi, A. Yagishita, and H. Kato

    The 7th international Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation 

     More details

    Event date: 2000.8

    Venue:Berlin, Germany  

  • A Unified View of Chemical Interaction and Surface Magnetism in Co Films on Different Passivated GaAs Surfaces Studied by Photoemission Spectroscopy" International conference

    Krishna G. Nath, Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, and Yoshio Watanabe

    8th International Conference on Electron Spectroscopy (ICESS-8) 

     More details

    Event date: 2000.8

    Venue:Berkley, USA  

  • 「GaAs(001)表面におけるダイナミクス -4x2表面超構造の消滅過程の観察-」

    前田文彦,渡辺義夫

    日本物理学会2000年春の分科会 

     More details

    Event date: 2000.3

    Venue:近畿大学(吹田市)  

  • 「GeおよびSi酸化膜の熱分解過程の相違の観測」

    K. Prabhakaran, 前田文彦,渡辺義夫,荻野俊郎

    第47回応用物理学会関係連合講演会 

     More details

    Event date: 2000.3

    Venue:東京  

  • 「Photoemission experiment for Co film on Se/GaAs(001): Study of satellite structures in Co- and Ga-3d spectra」

    Krishna G. Nath, Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, and Yoshio Watanabe

    日本物理学会2000年春の分科会 

     More details

    Event date: 2000.3

    Venue:近畿大学(吹田市)  

  • 「GaAsのGa3d二正孔状態の共鳴光電子分光 -表面成分の観測-」

    鈴木哲,清倉孝規,前田文彦,K.G. Nath,渡辺義夫,斎藤智彦,柿崎明人

    日本物理学会2000年春の分科会 

     More details

    Event date: 2000.3

    Venue:近畿大学(吹田市)  

  • 「GaAsのGa3d二正孔状態に対する表面の影響」

    鈴木哲,清倉孝規,前田文彦,K.G. Nath,渡辺義夫,柿崎明人,斎藤智彦,柳下明

    日本放射光学会第13回年会 

     More details

    Event date: 2000.1

    Venue:岡崎市  

  • 「Study of electronic structures and growth modes of Co films on S-passivated GaAs(001) surface」

    Krishna G. Nath, Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, and Yoshio Watanabe

    日本放射光学会第13回年会 

     More details

    Event date: 2000.1

    Venue:岡崎市  

  • GaSb(001) 4x2-In surface strucutre studied by using core-level photoelectron spectroscopy and x-ray standing-wave analysis"

    Fumihiko Maeda, Munehiro Sugiyama, and Yoshio Watanabe

    International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3) 

     More details

    Event date: 1999.11

    Venue:Tokyo, Japan  

  • Epitaxy modification of elecronic structures

    overlayer-substrate reaction and segregation in ferromagnetic Co films on Se-treated GaAs(001) surface"

    Krishna G. Nath, Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, Yoshio Watanabe, Tomohiko Saito, Akito Kakizaki, and Akira Yagishita 

     More details

    Event date: 1999.11

    Venue:Tokyo, Japan  

  • Thermal decomposition pathway of germanium and silicon oxides : Observation distinct difference"

    K. Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino

    The International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si) 

     More details

    Event date: 1999.9

    Venue:Zhao, Japan  

  • 「GaAsのGa3d二正孔状態の共鳴光電子分光」

    鈴木哲,清倉孝規,前田文彦,K.G. Nath,渡辺義夫,斎藤智彦,柿崎明人,柳下明

    日本物理学会1999年秋の分科会 

     More details

    Event date: 1999.9

    Venue:岩手大学(盛岡市)  

  • 「GaAs(001)におけるGa成長過程の時間分解内殻光電子分光による解析」

    前田文彦,渡辺義夫

    日本物理学会1999年秋の分科会 

     More details

    Event date: 1999.9

    Venue:岩手大学(盛岡市)  

  • Real-time analysis of alternating growth on GaAs(001) by core-level photoelectron spectroscopy" International conference

    Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

    The 5th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces (ACSI-5) 

     More details

    Event date: 1999.7

    Venue:Aix-en-Provence (France)  

  • Strain-induced effects on the chemical bonding strucutres in self-organized InAs nanocrystals on GaAs and Se-terminated GaAs" International conference

    Yoshio Watanabe and Fumihiko Maeda

    The 5th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces (ACSI-5) 

     More details

    Event date: 1999.7

    Venue:Aix-en-Provence (France)  

  • 「GaAs(001)における交互供給成長過程の時間分解内殻光電子分光」

    前田文彦,渡辺義夫

    第46回応用物理学会関係連合講演会 

     More details

    Event date: 1999.3

    Venue:東京理科大学(野田市)  

  • 「量子ナノ分光ビームラインPF BL-1C」

    小野寛太,呉鎮浩,鈴木哲,清倉孝規,柿崎明人,堀場弘司,水口勝輝,菊地貴司,前田文彦,柳下明,加藤博雄,渡辺義夫,藤岡洋,尾嶋正治

    日本物理学会第54回年会 

     More details

    Event date: 1999.3

    Venue:広島大学(東広島市)  

  • 「GaSb(001)上におけるInの初期成長過程」

    前田文彦,渡辺義夫

    日本放射光学会第12回年会 

     More details

    Event date: 1999.1

    Venue:つくば市  

  • 「KEK-PF BL-1Cの建設」

    小野寛太,呉鎮浩,堀場弘司,水口勝輝,藤岡洋,尾嶋正治,菊地貴司,柿崎明人,斉藤智彦,柳下明,鈴木哲,前田文彦,渡辺義夫,清倉孝規,加藤博雄

    日本放射光学会第12回年会 

     More details

    Event date: 1999.1

    Venue:つくば市  

  • 「GaAs表面のSe処理による仕事関数の変化」

    鈴木哲,前田文彦,大野_央,渡辺義夫

    第59回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 1998.9

    Venue:広島大学(東広島市)  

  • 「Sb過剰条件におけるSb/GaAs(001)の内殻準位光電子分光」

    前田文彦,渡辺義夫

    日本物理学会1998年秋の分科会 

     More details

    Event date: 1998.9

    Venue:(宜野湾市)  

  • Sb desorption from Sb/GaAs(001) and GaSb(001) analyzed by core-level photoelectron spectroscopy" International conference

    Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

    The 12th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Phsics (VUV-12) 

     More details

    Event date: 1998.8

    Venue:San Francisco, USA  

  • 「光電子分光による結晶成長ダイナミクス」

    前田文彦

    短期研究会「高分解能光電子分光が拓く物性研究」 

     More details

    Event date: 1998.6

    Venue:東京大学物性研究所(柏市)  

  • 「デブリ防止用有機極薄膜の作製」

    川村朋晃,松元史郎,前田文彦,竹中久貴,渡辺義夫

    第45回応用物理学会関係連合講演会 

     More details

    Event date: 1998.3

    Venue:東京工科大学(八王子)  

  • 「In/Sb(001)初期界面構造のRHEEDと内殻準位光電子分光による解析」

    前田文彦,渡辺義夫

    日本物理学会第53回年会 

     More details

    Event date: 1998.3

    Venue:日本大学(習志野市)  

  • 「GaAs(001)面及びGaAs(411)面における仕事関数のAs被覆率依存性」

    清倉孝規,前田文彦,渡辺義夫

    第45回応用物理学会関係連合講演会 

     More details

    Event date: 1998.3

    Venue:東京工科大学(八王子)  

  • 「時間分解内殻光電子分光によるSb脱離過程の解析 -Sb/GaAs(001)とGaSb(001)-」

    前田文彦,渡辺義夫

    第45回応用物理学会関係連合講演会 

     More details

    Event date: 1998.3

    Venue:東京工科大学(八王子)  

  • 「Sb過剰条件におけるSb/GaAs(001)の表面状態(1) -成長温度・Sb供給中の時間分解内殻光電子分光-」

    前田文彦,渡辺義夫

    日本放射光学会第11回年会 

     More details

    Event date: 1998.1

    Venue:SPring-8(兵庫県)  

  • 「光電子分光によるInAs(001)再配列構造表面のフェルミ準位の研究」

    渡辺義夫,山口浩司,前田文彦

    日本放射光学会第11回年会 

     More details

    Event date: 1998.1

    Venue:SPring-8(兵庫県)  

  • 「不等間隔回折格子を用いた高分解能真空紫外分光器の検討(2) 不等間隔平面回折格子分光器」

    堀場弘司,小野寛太,藤岡洋,尾嶋正治,清倉孝規,前田文彦,渡辺義夫,加藤博雄,柳下明

    日本放射光学会第11回年会 

     More details

    Event date: 1998.1

    Venue:SPring-8(兵庫県)  

  • 「微小部光電子分光による半導体ダブルヘテロ構造劈開面の観察」

    清倉孝規,前田文彦,渡辺義夫,門田好晃,池滝慶記,堀川嘉明,尾嶋正治,繁政英治,柳下明

    日本放射光学会第11回年会 

     More details

    Event date: 1998.1

    Venue:SPring-8(兵庫県)  

  • 「Sb過剰条件におけるSb/GaAs(001)の表面状態(2) -2x8超構造表面のRHEEDと光電子分光-」

    前田文彦,渡辺義夫

    日本放射光学会第11回年会 

     More details

    Event date: 1998.1

    Venue:SPring-8(兵庫県)  

  • Ordered Sb Rich Surface of Sb-terminated GaAs(001)"

    Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

    The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces (ACSI-4) 

     More details

    Event date: 1997.10

    Venue:Tokyo, Japan  

  • 「p型InAs(001)清浄表面に於ける表面反転層の観測」

    渡辺義夫,山口浩司,前田文彦

    第58回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 1997.10

    Venue:秋田大学(秋田)  

  • 「Sb/GaAs(001)の時間分解内殻光電子分光による解析」

    前田文彦,渡辺義夫

    日本物理学会1997年秋の分科会 

     More details

    Event date: 1997.10

    Venue:神戸大学(神戸)  

  • GaAs(001)のSb終端による表面超構造の制御」

    前田文彦,渡辺義夫

    第58回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 1997.10

    Venue:秋田大学(秋田)  

  • Time-Resolved Core-Level Photoelectron Spectroscopy on Sb-Terminated GaAs(001) under Sb-Supply Control at Growth Temperature"

    Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

    7th International Conference on Electron Spectroscopy 

     More details

    Event date: 1997.9

    Venue:Chiba, Japan  

  • Realtime analysis for MBE by time-resolved core-level photoelectron spectroscopy"

    Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, Masaharu Oshima, Masami Taguchi, and Retsu Oiwa

    The 6th international Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation 

     More details

    Event date: 1997.8

    Venue:Himeji, Japan  

  • Oprical design of high performance bending magnet beamline based on varied line spacing plane grating"

    Takanori Kiyokura, Fumihiko Maeda, and Yoshio Watanabe

    The 6th international Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation 

     More details

    Event date: 1997.8

    Venue:Himeji, Japan  

  • 「MBE成長温度領域におけるGaSb(001)の時間分解光電子分光における解析

    前田文彦,渡辺義夫

    第44回応用物理学会関係連合講演会 

     More details

    Event date: 1997.3

    Venue:(船橋市)  

  • 「Submicron-area high energy resolution photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation」

    Y. Watanabe, T. Kiyokura, F. Maeda, E. Shigemasa, A. Yogishita, M. Oshima, Y. Iketaki, and Y. Horikawa

    下田ワークショップ 

     More details

    Event date: 1997.2

    Venue:下田市  

  • 「GaSb(001)上における交互供給成長の内殻準位光電子分光によるリアルタイム解析」

    前田文彦,渡辺義夫

    日本放射光学会第10回年会 

     More details

    Event date: 1997.1

    Venue:東京大学(本郷)  

  • 「High-energy resolution photoelectron spectroscopy system using submicron syncrotron radiation beam」

    T. Kiyokura, F. Maeda, M. Oshima, Y. Iketaki, Y. Horikawa, E. Shigemasa, A. Yogishita, and Y. Watanabe

    ハードフォトンテクノロジ国際ワークショップ 

     More details

    Event date: 1997.1

    Venue:つくば市  

  • 「Observaiton of submicron-area high energy resolution photoelectron spectrra from a cleaved surface of an epitaxially grown semiconductor heterostructures」

    T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Kadota, E. Shigemasa, A. Yogishita, and Y. Watanabe

    ハードフォトンテクノロジ国際ワークショップ 

     More details

    Event date: 1997.1

    Venue:つくば市  

  • 「A submicron-area high-energy-resolution photoelectron spectroscopy system using undulator radiation」

    T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Iketaki, Y. Horikawa, M. Oshima, E. Shigemasa, A. Yogishita, and Y. Watanabe

    第2回US-Japan Workshop on Soft X-ray Optics 

     More details

    Event date: 1996.11

    Venue:山中湖(山梨)  

  • Relaxation of Band Bending for GaAs(001) Surface with Controlling by Crystal Defects near the Surface"

    Y. Hirota, Y. Watanabe, F. Maeda, and T. Ogino

    2nd Interantional Symposium on Control of Seniconductor Interfaces (ISCSI-2) 

     More details

    Event date: 1996.10

    Venue:Kruizawa, Japan  

  • 「高エネルギー分解能微小部光電子分光システムの開発 -設計と光学系の評価-」

    清倉孝規,前田文彦,尾嶋正治,池滝慶記,堀川嘉明,繁政英治,柳下明,渡辺義夫

    第57回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 1996.9

    Venue:福岡  

  • 「A micro-area high-energy-resolution photoelectron spectroscopy system using undulator synchrotron radiation」

    T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Kadota, Y. Iketaki, Y. Horikawa, M. Oshima, E. Shigemasa, A. Yogishita, and Y. Watanabe

    第14回X線光学懇談会 

     More details

    Event date: 1996.9

    Venue:東京  

  • 「GaAs(001)表面の熱劣化層除去による表面Fermi準位の伝導帯端への移動」

    廣田幸弘,渡辺義夫,前田文彦,荻野俊郎

    第57回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 1996.9

    Venue:福岡  

  • Observation of intrinsic downward band bending at MBE-grown InAs(001)-(2x4) surfaces by in-situ photoelectron spectroscopy"

    Yoshio Watanabe and Fumihiko Maeda

    9th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-9) 

     More details

    Event date: 1996.8

    Venue:Malibu, USA  

  • Soft X-ray Microbeam for Micro Area Photoelectron Spectroscopy System Using Undulator Radiation"

    T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, H. Takenaka, M. Oshima, Y. Iketaki, Y. Horikawa, E. Shigemasa, and A. Yogishita

    9th International Microprocess Conference 

     More details

    Event date: 1996.7

    Venue:Kitakyushu, Japan  

  • In siotu photoelectron specsroscopy study of MBE-grown InAs(001) -(2x4) and (4x2) reconstructed surfaces-" International conference

    Yoshio Watanabe and Fumihiko Maeda

    1st International Conference on Syncrotron Radiation in Materials Science 

     More details

    Event date: 1996.7

    Venue:Chicago, USA  

  • Realtime observation of alternating growth on GaSb(001) by using core-level photoelectron spectroscopy" International conference

    Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, and Masaharu Oshima

    4th International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface Process (ALE-4) 

     More details

    Event date: 1996.7

    Venue:Linz, Oesterreich  

  • 「結晶成長過程のリアルタイム解析」

    前田文彦,渡辺義夫

    放射光の半導体への応用技術研究委員会第24回例会 

     More details

    Event date: 1996.6

    Venue:東京  

  • 「リアルタイム光電子分光によるGaSb(001)成長表面の解析」

    前田文彦,渡辺義夫,村松康司,尾嶋正治

    日本物理学会第51回年会 

     More details

    Event date: 1996.3

    Venue:金沢市  

  • 「放射光光電子分光による結晶成長リアルタイム解析」

    前田文彦,渡辺義夫,村松康司,尾嶋正治

    日本放射光学会第9回年会 

     More details

    Event date: 1996.1

    Venue:岡崎市  

  • 「微小部光電子分光システムの開発(I) -縮小光学系-」

    清倉孝規,前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治,池滝慶記,堀川嘉明,繁政英治,柳下明

    日本放射光学会第9回年会 

     More details

    Event date: 1996.1

    Venue:岡崎市  

  • 「InAsナノ結晶とSe終端GaAs界面の結合状態」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治

    日本放射光学会第9回年会 

     More details

    Event date: 1996.1

    Venue:岡崎市  

  • Photoelectron Spectroscopy and X-ray Standing Waves of Atomically Controlled GaAs Surfaces and Formation of Nano-Crystals" International conference

    M. Oshima, M. Sugiyama, F. Maeda, and Y, Watanabe

    The 2nd Asian Forum on Synchrotron Radiation 

     More details

    Event date: 1995.10

    Venue:Kyongju, Korea  

  • Surface termination of GaAs(001) by Sb-dimer"

    F. Maeda, Y. Watanbe, and M. Oshima

    13th International Vacuum Congress (IVC-13), 9th International Conference on Solid Surfaces (ICSS-9) 

     More details

    Event date: 1995.9

    Venue:Yokohama, Japan  

  • Photoelectron Spectroscopy on Reconstructed GaSb(001)"

    F. Maeda, Y. Watanbe, and M. Oshima

    The 11th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Phsics (VUV-11) 

     More details

    Event date: 1995.8

    Venue:Tokyo, Japan  

  • Synchrotron radiation photoelectron specroscopy study of bonding at heterointerfaces between InAs nanocrystals and S-terminated GaAs"

    Yoshio Watanabe, Fumihiko Maeda, and Masaharu Oshima

    The 11th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Phsics (VUV-11) 

     More details

    Event date: 1995.8

    Venue:Tokyo, Japan  

  • 「InAsナノ結晶とGaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性」

    渡辺義夫,前田文彦,清倉孝規,尾嶋正治

    電子情報通信学会電子デバイス研究会 

     More details

    Event date: 1995.4

    Venue:東京  

  • 「GaSb(001)再構成表面の光電子分光」

    前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治

    日本物理学会第50回年会 

     More details

    Event date: 1995.3

    Venue:神奈川大学(横浜)  

  • 「InAsナノ結晶/GaAsヘテロ界面のバンド構造」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治

    第42回応用物理学会関係連合講演会 

     More details

    Event date: 1995.3

    Venue:東海大学(平塚)  

  • 「光電子分光によるIII-V族半導体表面の研究」

    前田文彦,渡辺義夫,杉山宗弘,尾嶋正治

    日本物理学会第50回年会 

     More details

    Event date: 1995.3

    Venue:神奈川大学(横浜)  

  • Synchrotron Radiation Analysis of Atomically-Controlled GaAs Surfaces and its Application to Formation of Novel Nano-Crystals for Quantum Dots"

    M. Oshima, M. Sugiyama, F. Maeda, Y, Watanabe, and S. Maeyama

    International Symposium on Surface and Thin Films 

     More details

    Event date: 1995.2

    Venue:Taipei, Taiwan  

  • 「半導体表面・界面のin situ 評価」

    尾嶋正治,渡辺義夫,前田文彦,杉山宗弘,前山智

    結晶工学分科会「SRと結晶工学」研究会 

     More details

    Event date: 1995.1

    Venue:学習院大学(東京)  

  • 「Sb終端GaAs(001)表面の軟X線定在波解析」

    杉山宗弘,前山智,前田文彦,尾嶋正治

    日本放射光学会第8回年会 

     More details

    Event date: 1995.1

    Venue:つくば市  

  • 「ダイヤモンド表面へのアンチモン吸着」

    尾嶋正治,A. Menz,S. Heun,渡辺義夫,前田文彦,加藤博雄

    日本放射光学会第8回年会 

     More details

    Event date: 1995.1

    Venue:つくば市  

  • 「Se処理GaAs基板上半導体ナノ結晶の光電子分光 -InSbナノ結晶成長過程-」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治

    日本放射光学会第8回年会 

     More details

    Event date: 1995.1

    Venue:つくば市  

  • 「Se処理GaAs基板上半導体ナノ結晶の光電子分光 -InAsナノ結晶のヘテロ界面-」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治

    日本放射光学会第8回年会 

     More details

    Event date: 1995.1

    Venue:つくば市  

  • 「AlGaAs基板表面の放射光光電子分光 -(NH4)2Sx溶液処理効果-」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治,安藤洋

    日本放射光学会第8回年会 

     More details

    Event date: 1995.1

    Venue:つくば市  

  • 「GaSb(001)の光電子分光 ー自然酸化膜熱脱離過程-」

    前田文彦,安藤洋,渡辺義夫,尾嶋正治

    日本放射光学会第8回年会 

     More details

    Event date: 1995.1

    Venue:つくば市  

  • 「GaSb(001)の光電子分光 ー清浄表面-」

    前田文彦,安藤洋,渡辺義夫,尾嶋正治

    日本放射光学会第8回年会 

     More details

    Event date: 1995.1

    Venue:つくば市  

  • 「多孔質シリコン表面の光電子分光」

    清倉孝規,前田文彦,渡辺義夫,芹川正,尾嶋正治

    日本放射光学会第8回年会 

     More details

    Event date: 1995.1

    Venue:つくば市  

  • InAs epitaxial nanocrystal grwoth on Se-terminated GaAs(001)" International conference

    Yoshio Watanabe, Fumihiko Maeda, and Masaharu Oshima

    21st International Symposium on Compound Semiconductors 

     More details

    Event date: 1994.9

    Venue:San Diego, USA  

  • 「Sb終端GaAs(001)上Ag成長の初期過程」

    前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治

    日本物理学会1994年秋の分科会 

     More details

    Event date: 1994.9

    Venue:静岡大学(静岡市)  

  • 「ナノビームによる新電子物性の研究」

    尾嶋正治,清倉孝規,前田文彦,渡辺義夫

    「VUV・SX領域の新研究展望」ワークショップ 

     More details

    Event date: 1994.9

    Venue:つくば市  

  • Water immersion induced surface reactions of EuBa2Cu3Oy thin films"

    Takanori Kiyokura, Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, Masaharu Oshima, Hidefumi Asano, and Minoru Suzuki

    1994 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1994) 

     More details

    Event date: 1994.8

    Venue:Yokohama, Japan  

  • Formation of InSb nanocrystals on Se-terminated GaAs(001)"

    Yoshio Watanabe, Fumihiko Maeda, and Masaharu Oshima

    8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-VIII) 

     More details

    Event date: 1994.8

    Venue:Osaka, Japan  

  • Initial Stages of Ag growth on Sb-terminated GaAs(001)"

    Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, and Masaharu Oshima

    8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-VIII) 

     More details

    Event date: 1994.8

    Venue:Osaka, Japan  

  • Initial Stages of Cu Surfactant Growth on Sb-adsorbed Diamond Surfaces"

    M. Oshima, A. Menz, S. Heun, Y. Watanabe, F. Maeda, R. Klauser, T.J. Chuang, H. Kawarada, and H. Kato

    1994 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1994) 

     More details

    Event date: 1994.8

    Venue:Yokohama, Japan  

  • Electronic Properties of MBE-grown InAs naocrystals on Se-terminated GaAs"

    Yoshio Watanabe, Fumihiko Maeda, and Masaharu Oshima

    13rd Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics 

     More details

    Event date: 1994.7

    Venue:Izunagaoka, Japan  

  • 「Sb終端GaAs(001)表面におけるIn situ光電子分光」

    前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治

    電気学会電気材料研究会 

     More details

    Event date: 1994.7

    Venue:浅草橋(東京)  

  • Surface reaction of Ga and As on Sb-terminated GaAs(001)"

    Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, and Masaharu Oshima

    3rd International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface processes (ALE-3) 

     More details

    Event date: 1994.5

    Venue:Sendai, Japan  

  • Comarative study between MEE- and MBE- grown InSb-nanocrystals on Se-terminated GaAs(001)"

    Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

    3rd International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface processes (ALE-3) 

     More details

    Event date: 1994.5

    Venue:Sendai, Japan  

  • 「EuBa2Cu3O7-y薄膜の光電子分光による評価-浸水による変化-」

    清倉孝規,前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治,浅野秀文,鈴木実

    日本放射光学会第7回年会 

     More details

    Event date: 1994.5

    Venue:神戸市  

  • 「EuBa2Cu3O7-y薄膜表面のECR処理過程のin situ光電子分光」

    渡辺義夫,清倉孝規,前田文彦,尾嶋正治,浅野秀文,鈴木実

    日本放射光学会第7回年会 

     More details

    Event date: 1994.5

    Venue:神戸市  

  • 「硫黄処理AlGaAs基板表面の放射光光電子分光による評価」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治,安藤洋

    1994年電子情報通信学会春季大会 

     More details

    Event date: 1994.3

  • 「ECR処理したEuBa2Cu3O7-y薄膜表面のin-situ光電子分光」

    浅野秀文,鈴木実,清倉孝規,前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治

    第41回応用物理学会関係連合講演会 

     More details

    Event date: 1994.3

    Venue:明治大学(川崎)  

  • 「放射光光電子分光によるSe安定化GaAs基板上InSbナノ結晶成長機構の解析」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治

    第11回フォトンファクトリー・シンポジウム 

     More details

    Event date: 1994.1

    Venue:高エネルギー物理学研究所  

  • 「EuBa2Cu3Oy薄膜における純水による表面反応」

    清倉孝規,前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治,浅野秀文

    第11回フォトンファクトリー・シンポジウム 

     More details

    Event date: 1994.1

    Venue:高エネルギー物理学研究所  

  • 「VI族元素処理GaAs表面の放射光光電子分光」

    渡辺義夫,トムシメカ,前田文彦,尾嶋正治

    第11回フォトンファクトリー・シンポジウム 

     More details

    Event date: 1994.1

    Venue:高エネルギー物理学研究所  

  • Two-dimensional arrangement of InSb epitaxial nanoscale crystals on selenium-treated

    teracces GaAs substrate"

    Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima 

     More details

    Event date: 1993.11

    Venue:Tsukuba Daiichi-Hotel, Japan  

  • Control of surface bondings by realtime monitoring using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy"

    F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

    1st Interantional Symposium on Control of Seniconductor Interfaces (ISCSI-1) 

     More details

    Event date: 1993.11

    Venue:Kruizawa, Japan  

  • Nanocrystal growth of InSb on selenium-passivated GaAs"

    Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

    1st Interantional Symposium on Control of Seniconductor Interfaces (ISCSI-1) 

     More details

    Event date: 1993.11

    Venue:Kruizawa, Japan  

  • 「Se処理GaAs(100)基板上InSb微結晶の成長」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治

    第54回応用物理学会学術講演会 

     More details

    Event date: 1993.9

    Venue:北海道大学(札幌)  

  • Selective maskless growth of InSb on a selenium-treated GaAs by molecular beam epitaxy"

    Y. Watanabe, T. Scimeca, F. Maeda, and M. Oshima

    1993 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1993) 

     More details

    Event date: 1993.8

    Venue:Makuhari Messe, Japan  

  • Metal overlayer deposition on Se/GaAs(100)"

    T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

    1993 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1993) 

     More details

    Event date: 1993.8

    Venue:Makuhari Messe, Japan  

  • 「硫黄処理したInP(001)に対する放射光照射」

    前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治

    日本放射光学会第6回年会 

     More details

    Event date: 1993.5

    Venue:東京大学(本郷)  

  • 「Se安定化表面上InSb成長における放射光光電子分光」

    渡辺義夫,トムシメカ,前田文彦,尾嶋正治

    日本放射光学会第6回年会 

     More details

    Event date: 1993.5

    Venue:東京大学(本郷)  

  • 「Sb/GaAs(100)界面におけるSe処理効果」

    渡辺義夫,トムシメカ,前田文彦,尾嶋正治

    第40回応用物理学会関係連合講演会 

     More details

    Event date: 1993.3

  • 「Sb/GaAs(001)の表面超構造と放射光光電子分光」

    前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治

    日本物理学会第48回年会 

     More details

    Event date: 1993.3

    Venue:東北大学(仙台)  

  • 「GaAs表面のパッシベーション」

    尾嶋正治,Tom Scimeca,渡辺義夫,杉山宗弘,前山智,前田文彦

    結晶成長学会第16回バルク成長研究会 

     More details

    Event date: 1993.2

    Venue:東京大学  

  • 「SrF2界面層を有するEuBa2Cu3O7-y薄膜上のInSb成長における界面反応抑制効果」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治,道上修

    第10回フォトンファクトリー・シンポジウム 

     More details

    Event date: 1992.12

    Venue:高エネルギー物理学研究所  

  • 「Se安定化GaAs表面の角度分解光電子分光」

    前田文彦,渡辺義夫,Tom Scimeca,尾嶋正治

    第10回フォトンファクトリー・シンポジウム 

     More details

    Event date: 1992.12

    Venue:高エネルギー物理学研究所  

  • 「原子オーダ制御GaAs表面の光電子分光」

    尾嶋正治,Tom Scimeca,前田文彦,渡辺義夫

    「物性研究における高エネルギー分光」研究会 

     More details

    Event date: 1992.11

    Venue:東京大学物性研究所  

  • 「Se安定化GaAs表面の放射光光電子分光による解析」

    前田文彦,渡辺義夫,トムシメカ,尾嶋正治

    日本物理学会1992年秋の分科会 

     More details

    Event date: 1992.9

    Venue:東京大学(駒場)  

  • MBE growth of InAs and InSb on EuBa2Cu3O7-Y superconducting films" International conference

    Y. Watanabe, F. Maeda, M. Oshima, and O. Michikami

    7th Interantional Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-VII) 

     More details

    Event date: 1992.8

    Venue:Schw_bish Gm_nd, Germany  

  • 「EuBa2CuOy薄膜上GaAs成長過程の光電子分光」

    前田文彦,尾嶋正治,菅原裕彦,道上修,安藤洋

    第38回応用物理学関係連合講演会 

     More details

    Event date: 1992.3

  • 「(NH4)2Sx処理InP(001)の放射光照射による表面改質」

    前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治

    第39回応用物理学会関係連合講演会 

     More details

    Event date: 1992.3

    Venue:日本大学(船橋市)  

  • 「EuBa2Cu3O7-y薄膜上InAs成長におけるSrF2界面層の効果」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治,道上修

    第9回フォトンファクトリー・シンポジウム 

     More details

    Event date: 1992.1

    Venue:高エネルギー物理学研究所  

  • 「GaAs/interlayer/EuBa2Cu3O7-yの界面反応」

    前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治,道上修

    第9回フォトンファクトリー・シンポジウム 

     More details

    Event date: 1992.1

    Venue:高エネルギー物理学研究所  

  • 「EuBa2Cu3O7-y薄膜上へのIII-V族化合物半導体の成長」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治,道上修

    超伝導エレクトロニクス研究会・超伝導分科会 

     More details

    Event date: 1991.12

    Venue:東京  

  • 「GaAs/SrF2/EuBa2Cu3O7-yの界面反応」

    前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治,道上修

    日本物理学会第46回年会 

     More details

    Event date: 1991.9

    Venue:北海道大学(札幌)  

  • Effect of AsxO and SrF2 interlayers for GaAs growth on EuBa2Cu3Oy(001)" International conference

    F. Maeda, Y. Watanabe, M. Oshima, M. Asahi, and O. Michikami

    12th Europian Conference on Surface Science (ECOSS-12) 

     More details

    Event date: 1991.9

    Venue:Stockholm, Sweden  

  • Effect of a SrF2 interlayer on InAs epitaxial growth on EuBa2Cu3O7-7 superconducting films★✩ ✩★

    Y. Watanabe, F. Maeda, M. Oshima, O. Michikami, and M. Asahi

    1991 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1991) 

     More details

    Event date: 1991.8

    Venue:Yokohama, Japan  

  • 「半導体機能界面の光電子分光解析」

    尾嶋正治,菅原裕彦,Ruth Klauser,前田文彦

    新材料創製討論会 

     More details

    Event date: 1991.4

    Venue:竹橋会館(東京)  

  • 「Ga and As/EuBa2Cu3O7-y(001)の初期吸着過程」

    前田文彦,尾嶋正治,菅原裕彦,道上修,安藤洋

    第8回フォトンファクトリー・シンポジウム 

     More details

    Event date: 1991.1

    Venue:高エネルギー物理学研究所  

  • 「Ga・As/EuBa2Cu3O7-δ(001)の初期吸着過程」

    前田文彦,尾嶋正治,菅原裕彦,道上修

    日本物理学会1990年秋の分科会 

     More details

    Event date: 1990.10

    Venue:岐阜大学  

  • 「NTT SOR表面分析ビームライン」

    前田文彦,村松康司,尾嶋正治

    日本放射光学会第3回年会 

     More details

    Event date: 1990.4

    Venue:大阪科学技術センター  

  • 「単結晶NdCeCuOの放射光光電子分光」

    前田文彦,尾嶋正治,日高義和,山路昭彦

    第7回フォトンファクトリー・シンポジウム 

     More details

    Event date: 1990.2

    Venue:高エネルギー物理学研究所  

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Industrial property rights

  • 「グラフェンの作製方法」

    前田文彦,田邉 真一,日比野浩樹

     More details

    Application no:特願2013-035493  Date applied:2013.2

  • 「電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法」

    前田文彦,日比野浩樹

     More details

    Application no:特願2012-079785  Date applied:2012.3

  • 「グラファイト薄膜の製造方法」

    前田文彦,日比野浩樹,高村真琴

     More details

    Application no:特願2012-025925  Date applied:2012.2

  • 「電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法」

    前田文彦,日比野浩樹

     More details

    Application no:特願2011-085106  Date applied:2011.4

  • 「カーボンナノチューブの製造方法」

    前田文彦,高木大輔,小林慶裕

     More details

    Application no:特願2010-37001  Date applied:2010.2

  • 「グラファイト薄膜の製造方法および製造装置」

    前田文彦,日比野浩樹

     More details

    Application no:特願2009-120636  Date applied:2009.5

  • 「鉄シリサイドの形成方法」

    前田文彦,日比野浩樹,鈴木哲

     More details

    Application no:特願2007-274844  Date applied:2007.10

  • 「トランジスタの製造方法」

    神崎賢一,鈴木哲,前田文彦,小林慶裕

     More details

    Application no:特願2006-12289  Date applied:2006.1

  • 「トンネル接合の形成方法及びトンネル接合の形成装置」

    鈴木哲,神崎賢一,前田文彦,小林慶裕

     More details

    Application no:特願2005-372270  Date applied:2005.12

  • 「カーボンナノチューブの直径制御方法および直径制御装置」

    鈴木哲,神崎賢一,前田文彦,小林慶裕

     More details

    Application no:特願2005-366128  Date applied:2005.12

  • 「半導体装置の製造方法及び装置」

    鈴木哲,神崎賢一,前田文彦,小林慶裕

     More details

    Application no:特願2005-361479  Date applied:2005.12

  • 「細線構造及び配線並びにその作製方法」

    登倉明雄,日比野浩樹,住友弘二,前田文彦,小林慶裕

     More details

    Application no:特願2005-257885  Date applied:2005.9

  • 「カーボンナノチューブ成長用基板及びカーボンナノチューブの形成方法

    前田文彦,日比野浩樹,鈴木哲,小林慶裕

     More details

    Application no:特願2005-91072  Date applied:2005.3

  • 「発光素子及びその製造方法」

    登倉明雄,前田文彦,日比野浩樹,住友弘二,小林慶裕

     More details

    Application no:特願2005-92425  Date applied:2005.3

  • 「荷電粒子検出装置」

    前田文彦,渡辺義夫,田口雅美,木田義輝

     More details

    Application no:特願平8-75470  Date applied:1996.3

  • 「荷電粒子測定方法」

    前田文彦,渡辺義夫,村松康司

     More details

    Application no:特願平8-862  Date applied:1996.1

  • 「化合物半導体の成長方法」

    渡辺義夫,前田文彦,清倉孝規,尾嶋正治

     More details

    Application no:特願平7-85518  Date applied:1995.4

  • 「化合物半導体の成長方法」

    渡辺義夫,杉山宗弘,前田文彦,清倉孝規,尾嶋正治

     More details

    Application no:特願平7-85525  Date applied:1995.4

  • 「微小ビーム作製装置および微小ビーム作製方法」

    清倉孝規,渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治,芹川正

     More details

    Application no:特願平7-48998  Date applied:1995.2

  • 「超伝導体表面の清浄化方法」

    前田文彦,清倉孝規,渡辺義夫,尾嶋正治,浅野秀文

     More details

    Application no:特願平5-326179  Date applied:1993.11

  • 「超伝導体装置」

    渡辺義夫,前田文彦,清倉孝規,尾嶋正治

     More details

    Application no:特願平5-194020  Date applied:1993.7

  • 「半導体装置及びその製造方法」

    前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治

     More details

    Application no:特願平5-167384  Date applied:1993.6

  • 「分光素子」

    竹中久貴,前田文彦,富田雅人,川村朋晃,林孝好,尾嶋正治,石井芳一

     More details

    Application no:特願平5-25561  Date applied:1993.2

  • 「半導体装置の製造方法」

    尾嶋正治,渡辺義夫,トムシメカ,前田文彦

     More details

    Application no:特願平5-25053  Date applied:1993.2

  • 「半導体装置の製造方法」

    尾嶋正治,渡辺義夫,前田文彦

     More details

    Application no:特願平5-25050  Date applied:1993.2

  • 「半導体装置の製造方法」

    渡辺義夫,前田文彦,トムシメカ,尾嶋正治

     More details

    Application no:特願平4-140292  Date applied:1992.6

  • 「分光素子」

    前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治,竹中久貴

     More details

    Application no:特願平3-329874  Date applied:1991.11

  • 「半導体装置の製造方法」

    菅原裕彦,尾嶋正治,前田文彦,前山智

     More details

    Application no:特願平3-148902  Date applied:1991.6

  • 「半導体材料の堆積方法」

    渡辺義夫,前田文彦,尾嶋正治

     More details

    Application no:特願平3-145648  Date applied:1991.5

  • 「結晶成長過程の分析装置と分析方法及び評価装置」

    尾嶋正治,前田文彦,村松康司

     More details

    Application no:特願平3-018728  Date applied:1991.2

  • 「半導体結晶基板及びその製造方法」

    前田文彦,尾嶋正治,道上修

     More details

    Application no:特願平2-256283  Date applied:1990.9

  • グラフェンの作製方法

    前田文彦,田邉 真一,日比野浩樹

     More details

    Patent/Registration no:特許第5882928号 

  • 電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法

    前田文彦,日比野浩樹

     More details

    Patent/Registration no:特許第5770671号 

  • グラファイト薄膜の製造方法

    前田文彦,日比野浩樹,高村真琴

     More details

    Patent/Registration no:特許第5715075号 

  • カーボンナノチューブの製造方法

    前田文彦,高木大輔,小林慶裕

     More details

    Patent/Registration no:特許第5429876号 

  • グラファイト薄膜の製造方法および製造装置

    前田文彦,日比野浩樹

     More details

    Patent/Registration no:特許第5399772号 

  • 半導体装置の製造方法及び装置

    鈴木哲,神崎賢一,前田文彦,小林慶裕

     More details

    Patent/Registration no:特許第4955265号 

  • トンネル接合の形成方法及びトンネル接合の形成装置

    鈴木哲,神崎賢一,前田文彦,小林慶裕

     More details

    Patent/Registration no:特許第4943703号 

  • トランジスタの製造方法

    神崎賢一,鈴木哲,前田文彦,小林慶裕

     More details

    Patent/Registration no:特許第04168454 

  • カーボンナノチューブの直径制御方法および直径制御装置

    鈴木哲,神崎賢一,前田文彦,小林慶裕

     More details

    Patent/Registration no:特許第4773194号 

  • 荷電粒子検出装置

    前田文彦,渡辺義夫,田口雅美,木田義輝

     More details

    Patent/Registration no:特許第03345256 

  • 分光素子

    竹中久貴,前田文彦,富田雅人,川村朋晃,林孝好,尾嶋正治,石井芳一

     More details

    Patent/Registration no:特許第03135733 

  • 分光素子

    前田文彦,渡辺義夫,尾嶋正治,竹中久貴

     More details

    Patent/Registration no:特許第3060391 

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Awards

  • 最優秀講演賞

    2021.9   公益社団法人日本経営工学会九州支部   グラフェンに関する研究とMBE成長

    前田文彦

     More details

    Award type:Award from Japanese society, conference, symposium, etc.  Country:Japan

Research Projects

  • 半導体基板を用いた2D/3D新規ヘテロ構造の作製と物性制御

    2023.4 - 2024.3

    日本電信電話(株)  共同研究 

    前田 文彦

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  • 半導体基板を用いた2D/3D新規ヘテロ構造の作製と物性制御

    2019.4 - 2020.3

    日本電信電話(株)  共同研究 

    前田 文彦

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  • 半導体基板を用いた2D/3D新規ヘテロ構造の作製と物性制御

    2018.4 - 2019.3

    日本電信電話(株)  共同研究 

    前田 文彦

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  • 2D/3D新規ヘテロ構造の作製と物性制御

    2017.4 - 2018.3

    日本電信電話(株)  共同研究 

    前田 文彦

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  • 2D/3D新規ヘテロ構造の作製と物性制御

    2016.12 - 2017.3

    日本電信電話(株)  共同研究 

    前田 文彦

      More details

    Authorship:Principal investigator 

  • MBE法によるグラフェン上へのBN成長

    2014 - 2015

    科研費  挑戦的萌芽研究

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Competitive

    その他1:代表者 早稲田大学 牧本俊樹 教授

  • 分子線エピタキシャル成長によるウエハスケールグラフェン形成

    2010 - 2013

    科研費  基盤研究(B)

      More details

    Authorship:Principal investigator  Grant type:Competitive

    Grant amount:\19500000

  • カーボンナノチューブ構造の精密制御に関する研究

    2006 - 2008

    科研費  基盤研究(B)

      More details

    Authorship:Coinvestigator(s)  Grant type:Competitive

    Grant amount:\16140000

    その他1:代表者 NTT物性科学基礎研究所 小林慶裕

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Teaching Experience (On-campus)

  • 2023   Physics and Electronic Information Base

  • 2023   Introduction to Physics

  • 2023   Physics Ⅰ

  • 2023   Physics Ⅱ

  • 2023   Graduation Study

  • 2023   Seminar in Information Electronics

  • 2023   Advanced Lectures on Solid State

  • 2022   Introduction to Physics

  • 2022   Physics Ⅰ

  • 2022   Physics and Electronic Information Base

  • 2022   Physics Ⅱ

  • 2022   Graduation Study

  • 2022   Seminar in Information Electronics

  • 2022   Advanced Lectures on Solid State

  • 2021   Introduction to Physics

  • 2021   Physics Ⅰ

  • 2021   Physics and Electronic Information Base

  • 2021   Physics Ⅱ

  • 2021   Graduation Study

  • 2021   Seminar in Information Electronics

  • 2021   Advanced Lectures on Solid State

  • 2020   Physics and Electronic Information Base

  • 2020   Introduction to Physics

  • 2020   Physics Ⅰ

  • 2020   Physics Ⅱ

  • 2020   Graduation Study

  • 2020   Seminar in Information Electronics

  • 2020   Advanced Lectures on Solid State

  • 2019   Physics and Electronic Information Base

  • 2019   Introduction to Physics

  • 2019   Physics Ⅰ

  • 2019   工学概論

  • 2019   Physics Ⅱ

  • 2019   Internship

  • 2019   Graduation Study

  • 2019   Seminar in Information Electronics

  • 2019   Research Study for Master's Thesis in

  • 2018   Physics and Electronic Information Base

  • 2018   Introduction to Physics

  • 2018   Physics Ⅰ

  • 2018   Physics Ⅱ

  • 2018   Modern Physics

  • 2018   Graduation Study

  • 2018   Advanced Lectures on Solid State

  • 2018   Seminar in Information Electronics

  • 2017   Physics Ⅰ

  • 2017   Physics and Electronic Information Base

  • 2017   Introduction to Physics

  • 2017   Physics II

  • 2017   Modern Physics

  • 2017   Graduation Study

  • 2017   Seminar in Information Electronics

  • 2016   Elementary Seminar on Mathematics B

  • 2016   Physics I

  • 2016   Introduction to Physics

  • 2016   Electronic Information Mathematics

  • 2016   Physics and Electronic Information Base

  • 2016   Graduation Study

  • 2016   Seminar in Information Electronics

  • 2016   Advanced Lectures on Solid State

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Teaching Experience

  • 量子物理学

  • 電子情報基礎数学

    Institution:福岡工業大学

     More details

  • 量子物理学

    Institution:東京電機大学

     More details

  • 現代物理学

    Institution:福岡工業大学

     More details

  • 物理概論

    Institution:福岡工業大学

     More details

  • 物理学Ⅱ

    Institution:福岡工業大学

     More details

  • 物理学Ⅰ

    Institution:福岡工業大学

     More details

  • 物理・電子情報基礎実験

    Institution:福岡工業大学

     More details

  • 情報社会特講

    Institution:東京国際大学

     More details

  • 電子情報数学

    Institution:福岡工業大学

     More details

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Social Activities

  • 日本表面科学会九州支部委員(会計担当)

    2023

  • 日本表面科学会九州支部委員(会計担当)

    2022

  • 日本表面科学会九州支部委員(会計担当)

    2021

  • 日本表面科学会九州支部委員(会計担当)

    2020

  • 日本表面科学会九州支部委員(会計担当)

    2019

  • 日本表面科学会九州支部委員(庶務担当)

    2018

  • 日本表面科学会九州支部委員(庶務担当)

    2017

  • 日本表面科学会九州支部委員(庶務担当)

    2016

  • 平成26年度 日本学術振興会科学研究費委員会専門委員

    2014

     More details

    (審査第二部会総合理工小委員会)

  • 平成26年度 日本学術振興会科学研究費委員会専門委員

    2014

     More details

    (審査第二部会理工系複数細目小委員会)

  • 平成25年度 日本学術振興会科学研究費委員会専門委員

    2013

     More details

    (審査第二部会総合理工小委員会)

  • 日本放射光学会編集委員

    2003

  • 日本放射光学会編集委員

    1998

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