この間

2003年10月〜2010年12月　放射線取扱主任者　 （日本電信電話株式会社厚木研究開発センター）

Structural Instability of Transferred Graphene Grown by Chemical Vapor Deposition against Heating 査読

Satoru Suzuki, Carlo Orofeo, Shengnan Wang, Fumihiko Maeda, Makoto Takamura, and Hiroki Hibino

The Journal of Physical Chemistry C   117   22123−22130   2013年

Core-level photoelectron spectroscopy study of interface structure of hydrogen-intercalated graphene on n-type 4H-SiC(0001) 査読

Fumihiko Maeda, Shinichi Tanabe, Shingo Isobe, and Hiroki Hibino

Physical Review B   88   85422   2013年

Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene -Advantage over ethanol in growth 査読

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

Diamond and Related Materials   34   84 - 88   2013年

Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene 査読

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

Journal of Crystal Growth   378   404 - 409   2013年

Formation of Graphene Nanofin Networks on Graphene/SiC(0001) by Molecular Beam Epitaxy 査読

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

Japanese Journal of Applied Physics   51   06FD16   2012年

Study of graphene growth by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol: Influence of gas flow rate on graphitic material deposition, 査読

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

Japanese Journal of Applied Physics   50   06GE12   2011年

Gate Operation of InAs/AlGaSb Heterostructures with an Atomic-layer-deposited Insulating Layer 査読

Kyoichi Suzuki, Yuichi Harada, Fumihiko Maeda, Koji Onomitsu, Toru Yamaguchi, and Koji Muraki

Applied Physics Express   4   125702   2011年

Molecular beam epitaxial growth of graphene and ridge-structure networks of graphene 査読

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

Journal of Physics D: Applied Physics   44   435305   2011年

Evaluation of Few-Layer Graphene Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy Using Cracked Ethanol, 査読

Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Ichiro Hirosawa, and Yoshio Watanabe

e-J. Surf. Sci. Nanotech.   9   58 - 62   2011年

Electronic and surface properties of H-terminated diamond surface affected by NO2 gas, 査読

M. Kubovic, M. Kasu, H. Kageshima, F. Maeda

Diamond and Related Materials   19   889 - 893   2010年

Growth of few-layer graphene by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol, 査読

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

Physica Status Solidi B   247   916 - 920   2010年

Thin Graphitic Structure Formation on Various Substrates by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy Using Cracked-Ethanol, 査読

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

Japanese Journal of Applied Physics   49   04DH13   2010年

Dependence of electronic properties of epitaxial few-layer graphene on the number of layers investigated by photoelectron emission microscopy, 査読

H. Hibino, H. Kageshima, M. Kotsugi, F. Maeda, F.-Z. Guo, and Y. Watanabe

Physical Review B   79   125437   2009年

Proper Combination of Catalyst Materials and Ethanol for High Yield in CVD Growth of Carbon Nanotubes, 査読

Fumihiko Maeda, and Yoshihiro Kobayashi

Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   1081   1081-P01-03   2008年

Hydrogen adsorption on single-walled carbon nanotubes studied by core-level photoelectron spectroscopy and Raman spectroscopy, 査読

A. Tokura, F. Maeda, Y. Teraoka, A. Yoshigoe, D. Takagi, Y. Homma, Y. Watanabe, Y. Kobayashi

Carbon   46   1903 - 1908   2008年

Oxide-mediated formation of α-FeSi2 on Si(001) studied by x-ray adsorption near edge structure analysis using SPELEEM, 査読

Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, and FangZhun Guo

Surf. Interface Anal.   40   1747 - 1750   2008年

Microscopic thickness determination of thin graphite films formed on SiC from quantized oscillation in reflectivity of low-energy electrons, 査読

H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, and H. Yamaguchi

Physical Review B   77   75413   2008年

Two-dimensional emission patterns of secondary electrons from graphene layers formed on SiC(0001) , 査読

H. Hibino, H. Kageshima, F.-Z. Guo, F. Maeda, M. Kotsugi and Y. Watanabe

Applied Surface Science   254   7596 - 7599   2008年

Thickness determination of graphene layers formed on SiC using low-energy electron microscopy 査読

H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, Y. Kobayashi, and H. Yamaguchi

e-J. Surf. Sci. Nanotech.   6   107 - 110   2008年

Surface Reactions of Metal Catalysts in Ethanol-CVD Ambient at Low-Pressure Studied by in-situ Photoelectron Spectroscopy, 査読

Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, Yoshihiro Kobayashi, Daisuke Takagi, and Yoshikazu Homma

Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   963   0963-Q05-04   2007年

Reaction Products of Co Catalysts in Ethanol-Chemical-Vapor-Deposition Ambient at Low-Pressure Studied by in situ X-Ray Photoelectron Spectroscopy, 査読

Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, Yoshihiro Kobayashi, Daisuke Takagi, and Yoshikazu Homma

Japanese Journal of Applied Physics   46   L148-L150   2007年

Surface Reactions of Metal Catalysts for Carbon Nanotubes on an Oxide Thin Layer/Si Substrates Studied by in-situ Micro X-ray Adsorption Spectroscopy using SPELEEM, 査読

Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, FangZhun Guo, and Yoshio Watanabe

Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   967   0967-U05-03   2007年

Surface Reactions of Co on SiO2 thin layer/Si substrate Studied by LEEM and PEEM, 査読

Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, Yoshihiro Kobayashi, Yoshio Watanabe, and FangZhun Guo

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   4   155 - 160   2006年

Beamline for angle-resolved photoemission spectroscopy at low-temperature constructed at NTT Atsugi R&D Center, 査読

S. Suzuki, H. Yamamoto, F. Maeda, Y. Watanabe, K. Yamada, and T. Kiyokura

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA   144   1109 - 1112   2005年

Time-resolved core-level photoelectron spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction study of surface phase transition on GaAs(001), 査読

Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

Applied Surface Science   237   224 - 229   2004年

Real-time analysis of a surface phase transition of GaAs(001) by core-level photoelectron spectroscopy and photoelectron diffraction, 査読

Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   137   107 - 112   2004年

Surface and Interface Reactions of Catalysts for Carbon Nanotube Growth on Si Substrates Studied by Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy, 査読

F. Maeda, E. Laffosse, Y. Watanabe, S. Suzuki, Y. Homma, M. Suzuki, T. Kitada, T. Ogiwara, A. Tanaka, M. Kimura, V. A. Mihai, H. Yoshikawa, and S. Fukushima

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES   24   19 - 25   2004年

Electronic structure of single-walled carbon nanotubes encapsulating potassium, 査読

Satoru Suzuki, Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, and Toshio Ogino

PHYSICAL REVIEW B   67   115418   2003年

Passivation-mediated growth of Co on Se, S and O rich GaAs surfaces: A potential approach to control interface crystallinity and magnetic continuity, 査読

K.G. Nath, F. Maeda, S. Suzuki, and Y. Watanabe

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   91   3943 - 3945   2002年

Modified epitaxy in Co/S/GaAs(001) and comparison with Co/GaAs(001) , 査読

K.G. Nath, F. Maeda, S. Suzuki, and Y. Watanabe

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   90   1222 - 1226   2001年

Observation of Ga 3d two-hole states from GaAs surfaces , 査読

S. Suzuki, T. Kiyokura, F. Maeda, K.G. Nath, Y. Watanabe, T. Saitoh, and A. Kakizaki

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA   114   421 - 425   2001年

Performance of the high-resolution high-flux monochromator for bending magnet beamline BL-1C at the Photon Factory, 査読

K. Ono, J.H. Oh, K. Horiba, M. Mizuguchi, M. Oshima, T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, A. Kakizaki, T. Kikuchi, A. Yagishita, and H. Kato

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT   467   573 - 576   2001年

Surfactant-mediated control of surface morphology for Co epitaxial film on S-passivated semiconducting substrate, 査読

K.G. Nath, F. Maeda, S. Suzuki, and Y. Watanabe

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   19   384 - 387   2001年

Distinctly different thermal decomposition pathway of ultrathin oxide layer on Ge and Si, 査読

K. Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino

Applied Physics Letters   76   2244 - 2246   2000年

Real-time analysis of alternating growth on GaAs(001) by core-level photoelectron spectroscopy, 査読

F. Maeda and Y. Watanabe

Applied Surface Science   162   319 - 325   2000年

GaSb(001) 4x2-In surface structure studied by core-level photoelectron spectroscopy and x-ray standing-wave analysis, 査読

F. Maeda, M. Sugiyama, and Y. Watanab

Japanese Journal of Applied Physics   39   4351 - 4354   2000年

In-induced surface reconstruction on GaSb(001), 査読

F. Maeda, M. Sugiyama, and Y. Watanabe

PHYSICAL REVIEW B   62   1615 - 1618   2000年

Resonant photoemission spectroscopy of Ga 3d two-hole states of GaAs, 査読

S. Suzuki, T. Kiyokura, F. Maeda, K.G. Nath, Y. Watanabe, T. Saitoh, and A. Kakizaki

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN   69   1807 - 1811   2000年

Throughput measurement of a multilayer-coated Schwarzschild objective using synchrotron radiation, 査読

T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, Y. Iketaki, K. Nagai, Y. Horikawa, M. Oshima, E. Shigemasa, and A. Yagishita

OPTICAL REVIEW   7   576 - 578   2000年

Effect of strain on the chemical bonds in InAs nanocrystals self-organized on GaAs and Se-terminated GaAs surfaces, 査読

Y. Watanabe and F. Maeda

Applied Surface Science   162   625 - 629   2000年

Epitaxy, modification of electronic structures, overlayer-substrate reaction and segregation in ferromagnetic Co films on Se-treated GaAs(001) surface , 査読

K.G. Nath, F. Maeda, S. Suzuki, and Y. Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics   39   4571 - 4574   2000年

Thermal decomposition pathway of Ge and Si oxides : Observation of a distinct difference, 査読

K. Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino

Thin Solid Films   369   289 - 292   2000年

Work function change of GaAs surfaces induced by Se treatment, 査読

S. Suzuki, F. Maeda and Y. Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics   38   5847 - 5850   1999年

Sb desorption from Sb/GaAs(001) and GaSb(001) analyzed by core-level phtoelectron spectroscopy, 査読

F. Maeda and Y. Watanabe

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   101-103   293 - 298   1999年

Sb-induced reconstruction on Sb-terminated GaAs(001), 査読

F. Maeda and Y. Watanabe

Physical Review B   60   10652 - 10655   1999年

SR Aplications, 査読

T. Hosokawa, J. Takahashi, H. Akazawa, F. Maeda, and T. Haga

NTT Review   10   70 - 78   1998年

Realtime Analysis for MBE by Time-Resolved Core-Level Photoelectron Spectroscopy, 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

Journal of Synchrotron Radiation   5   1026 - 1028   1998年

Time-Resolved Core-level Photoelectron Spectroscopy on Sb-Terminated GaAs(001) under Sb Supply Control at Growth Temperature, 査読

F. Maeda and Y. Watanabe

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   88-91   779 - 785   1998年

Optical design for a bending -magnet beamline based on a varied-line-spacing plane grating, 査読

T. Kiyokura, F. Maeda, and Y. Watanabe

Journal of Synchrotron Radiation   5   572 - 574   1998年

Submicrometre-area high-energy-resolution photoelectron spectroscopy system, 査読

T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, E. Shigemasa, A. Yagishita, M. Oshima, Y. Iketaki, and Y. Horikawa

Journal of Synchrotron Radiation   5   1111 - 1113   1998年

Photoelectron Microspectroscopy Observations of a Cleavage Surface of Semiconductor Double Heterostructure, 査読

T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, Y. Kadota, Y. Iketaki, Y. Horikawa, M. Oshima, E. Shigemasa, and A. Yagishita

Journal of Vaccum Science & Technolog A   16   1086 - 1090   1998年

GaAs(001)表面近傍の結晶欠陥の制御による表面Fermi準位の制御, 査読

廣田, 前田, 渡辺, 荻野

表面科学   18   633 - 640   1997年

Realtime observation of alternating growth on GaSb(001) by using core-level photoelectron spectroscopy, 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

Applied Surface Science   112   69 - 74   1997年

Anomalous downward band bending induced by selenium passivation of MBE-grown InAs(001) surfaces, 査読

Y. Watanabe and F. Maeda

Applied Surface Science   117/118   753 - 738   1997年

Shift of surface Fermi level position toward the conduction band minimum by crystal defects near GaAs(001) surface, 査読

Y. Hirota, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino

Journal of Applied Physics   82   1661 - 1666   1997年

Relaxation of band bending on GaAs(001) surface by controlling the crystal defects near the surface, 査読

Y. Hirota, Y. Watanabe, F. Maeda, and T. Ogino

Applied Surface Science   117/118   619 - 623   1997年

Applicaiton of Synchrotron Radiation to Surface and Interface Characterization, 査読

Y. Watanabe, S. Maedaya, F. Maeda, and M. Sugiyama

NTT Review   8   60 - 69   1996年

GaSb-growth study by realtime crystal growth analysis system using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy, 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, Y. Muramatsu, and M. Oshima

Japanese Journal of Applied Physics   35   4457 - 4462   1996年

Realtime analysis on GaSb(001) during Sb-desorption by core-level photoelectron spectroscopy, 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

Physical Review Letters   78   4233 - 4236   1996年

Surface termiantion of GaAs(001) by Sb-dimers, 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

Surface Science   357/358   540 - 544   1996年

Photoelectron Spectroscopy on Reconstructed GaSb(001), 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   80   225 - 228   1996年

Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study of bonding at heterointerfaces between InAs nanocrystals and Se-terminated GaAs, 査読

Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Ohisma

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   80   221 - 224   1996年

放射光利用分析技術, 査読

渡辺，前山，前田，杉山

NTT R&D   45   277 - 284   1996年

Wataer-Immersion-Induced Surface Reactions of EuBa2Cu3Oy Thin Films, 査読

T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, M. Oshima, H. Asano, and M. Suzuki

Japan Journal of Applied Physics   34   1396 - 1400   1995年

Photoelectron Spectroscopy of EuBa2Cu3O7-y Thin Films Surfaces Treated by Electron Cyclotron Resonance Oxygen Ion Beam, 査読

H. Asano, M. Suzuki, T. Kiyokura, F. Maeda, A. Menz, Y. Watanabe, and M. Oshima

Japan Journal of Applied Physics   34   L433-L-436   1995年

InAs epitaxial nanocrystal growth on Se-terminated GaAs(001), 査読

Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

Compound Semiconductors 1994. Proceedings of the Twenty-First International Symposium, H. Goronkin, U. Mishra, IOP Publishing, Bristol, UK   143 - 148   1995年

X-ray Standing Wave Study of Sb-terminated GaAs(001)-2x4 Surface, 査読

M. Sugiyama, S. Maeyama, F. Maeda, M. Oshima

Physical Review B   52   2678 - 2681   1995年

Initial stages of Ag growth on Sb-terminated GaAs(001), 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

Journal of Crystal Growth   150   1164 - 1168   1995年

Formation of InSb nanocrystals on Se-terminated GaAs(001), 査読

Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

Journal of Crystal Growth   150   863 - 867   1995年

A Photoemission Study of Al and Au Overlayers on Se/GaAs(001), 査読

T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

表面科学   16   326 - 333   1995年

放射光と機能界面材料, 査読

尾嶋正治，前山智，渡辺義夫，前田文彦

NTT R&D   43   47 - 54   1994年

A VUV beamline (ABL-3B) for real-time photoelectron spectroscopy at the NTT synchrotron radiation facility, 査読

Y. Muramatsu, F. Maeda, S. Maeyama, Y. Watanabe, and M. Oshima

Nuclear Instruments & Methods in Physics Reasearch A   342   596 - 599   1994年

Control of surface bonding by realtime monitoring using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy, 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

CONTROL OF SEMICONDUCTOR INTERFACES I. Odomari, M. Oshima, and A. Hirak,i Elsevier Science B.V.   127 - 132   1994年

Surface reactions of Ga and As on Sb-terminated GaAs(001), 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

Applied Surface Science   82/83   276 - 283   1994年

Comparative study between MEE- and MBE-grown InSb-nanocrystals on Se-terminated GaAs(001), 査読

Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

Applied Surface Science   82/83   136 - 140   1994年

Selective, Maskless Growth of InSb on Selenium-Treated GaAs by Molecular Beam Epitaxy, 査読

Y. Watanabe, T. Scimeca, F. Maeda, and M. Oshima

Japan Journal of Applied Physics   33   698 - 701   1994年

Surface oxidation of selenium treated GaAs(001), 査読

T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, R. Berrigan, and M. Oshima

Journal of Vacuum Science and Technology B   12   3090 - 3094   1994年

Nanocrystal growth of InSb on Se-passivated GaAs, 査読

Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

CONTROL OF SEMICONDUCTOR INTERFACES I. Odomari. M. Oshima, and A. Hiraki, Elsevier Science B.V.   167 - 168   1994年

Two-Dimesional Arrangement of InSb Epitaxial Nanoscale Crystals on Selenium-Treated Terraced GaAs Substrates, 査読

Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

Springer Series in Materials Science 31 (Nanostructures and Quantum Effects Editors: H. Sakaki and H. Noge, Springer-Verlag Berlin Heidelbelg)   31   242 - 247   1994年

Initial stages of InAs deposition on SrF2-coated EuBa2Cu3O7-y thin-film superconductors, 査読

Y. Watanabe, F. Maeda, M. Oshima, and O. Michikami

74   5212 - 5216   1993年

MBE growth of InAs and InSb on EuBa2Cu3O7-y superconducting films, 査読

Y. Watanabe, F. Maeda M. Oshima, and O. Michikami

Journal of Crystal Growth   127   672 - 677   1993年

Sb-induced surface reconstruction on GaAs(001), 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

Physical Review B   48   14733 - 14736   1993年

Surface chemical bonding of (NH4)2Sx-treated InP(001), 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

Applied Physics Letters   62   297 - 299   1993年

Controlled passivation of GaAs by Se treatment, 査読

T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, R. Berrigan, and M. Oshima

Applied Physics Letters   62   1667 - 1669   1993年

Surface structure of Se-treated GaAs(001) from angle-resolved analysis of core-level photoelectron spectra, 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, T. Scimeca, and M. Oshima

Physical Review B   48   4956 - 4959   1993年

Novel method for rejuvenating and fabricating stable Se/GaAs surface, 査読

T. Scimeca, K. Prabhakaran, Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

Applied Physics Letters   63   1807 - 1808   1993年

Growth of InAs on EuBa2Cu3O7-y superconducting thin films with SrF2 intelayers, 査読

Y. Wtanabe, F. Maeda, M. Oshima, and O. Michikami

Applied Physics Letters   61   979 - 981   1992年

The effects of AsOx and SrF2 interlayer on GaAs growth over EuBa2Cu3O7-y (001), 査読

F. Maeda, Y. Watanabe, M. Oshima, and O. Michikami

Surface Science   269/270   1096 - 1100   1992年

Initial stages of Ga and As growth on EuBa2Cu3O7-y(001), 査読

F. Maeda, H. Sugahara, M. Oshima, and O. Michikami

Applied Physics Letters   59   363 - 365   1991年

酸化物高温超伝導体Bi-Sr-Ca-Cu-O単結晶の放射光光電子分光, 査読

前田文彦，川村朋晃，尾嶋正治，日高義和

38   1359 - 1368   1989年

Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy of High-Tc Superconductor Bi-Sr-Ca-Cu-O Single Crystals 査読

F. Maeda, T. Kawamura, M. Oshima, Y. Hidaka, and A. Yamaji

Japanese Jounal of Applied Physics   28   L361 - L363   1989年

Angle-Resolved Ultraviolet Photoemission Study of First Stage Alkali-Metal Graphite Intercalation Compound 査読

N. Gunasekara, T. Takahashi, F. Maeda, T. Sagawa, and H. Suematsu

Zeitschrift für Physik B -Condensed Matter   70   349 - 355   1988年

Photoemission Study of Single-Crytalline (La1-xSrx)2CuO4-d 査読

T. Takahashi, F. Maeda, H. Katayama-Yoshida, Y. Okabe, T. Suzuki, A. Fujimori, S. Hosoya, S. Shamoto, and M. Sato

Physical Review B   37   9788 - 9791   1988年

Unocupied-electric band structure of graphite studied by angle-resolved secondary-electron emission and inverse photoemission 査読

F. Maeda, T. Takahashi, H. Ohsawa, S. Suzuki, and H. Suematsu

Physical Review B   37   4482 - 4488   1988年

Photoelectron spectroscopy of high-Tc superconductor (La1-xSrx)2CuO4-delta 査読

T. Takahashi, F. Maeda, T. Miyahara, S. Hosoya, and M. Sato

Jananese Journal of Applied Physics   supplement 26-3   1013 - 1014   1987年

Synchrotron-radiation photoemission study of high-Tc superconductor YBa2Cu3O7-d 査読

T. Takahashi, F. Maeda, h. Arai, H. Katayama-Yoshida, Y. Okabe, T. Suzuki, S. Hosoya, A. Fujimori, T. Shidara, T. Koide, T. Miyahara, M. Onoda, S. Shamoto, and M. Sato

Physical Review B   36   5686   1987年

Photoelectron Spectroscopy of LnBa2Cu3O7-d(Ln=Y and Sm). 査読

T. Takahashi, F. Maeda, h. Arai, H. Katayama-Yoshida, Y. Okabe, T. Suzuki, Y. Takakuwa, S. Hosoya, A. Fujimori, T. Miyahara, T. Koide, T. Shidara, M. Sato, S. Shamoto, and M. Onoda

Physica   148B   476   1987年

Surface and Bulk Core-Level Shifts of Si(111)R3xR3-Ag surface: Evidence for a Charged R3xR3 Layer 査読

S. Kono, K. Higashiyama, T. Kinoshita, T. Miyahara, H. Kato, H. Ohsawa, Y. Enta, F. Maeda, and Y. Yaegashi

Physical Review Letters   58   1555   1987年

Surface Core-Level Shifts of Si(111)R3xR3-Ga surface 査読

K. Higashiyama, S. Kono, T. Kinoshita, T. Miyahara, H. Kato, H. Ohsawa, Y. Enta, F. Maeda, and Y. Yaegashi

Surface Science   186   L568   1987年

Electric Band Structure of C8Cs Studied by Highly-Angle-Resolved Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy 査読

N. Gunasekara, T. Takahashi, F. Maeda, T. Sagawa, and H. Suematsu

J. Physical Society Japan   56   2581   1987年

Ultraviolet Photoemission Study of High-Tc Superconductor (La1-xSrx)CuO4-d. 査読

T. Takahashi, F. Maeda, S. Hosoya, and M. Sato

Jananese Journal of Applied Physics   26   L349   1987年

微細加工で作製した磁性体微小構造のボルテックス形成に関するSPELEEMによる研究

前田文彦，日比野浩樹, 関根佳明, 新田淳作, 好田誠, 郭方准, 渡辺義夫, 小嗣真人

平成19年度SPring8重点産業利用課題報告書（2007A）   109 - 110   2008年

ナノチューブ成長用触媒金属のSi酸化膜上における反応過程のSPELEEMによる研究

前田文彦，日比野浩樹，鈴木哲，渡辺義夫，郭方准

ナノテクノロジー総合支援プロジェクト研究成果報告書2005B   2007年

ナノチューブ成長用触媒金属のSi清浄表面および酸化膜表面における反応過程のSPELEEMによる研究

前田文彦，日比野浩樹，鈴木哲，渡辺義夫，郭方准

ナノテク課題研究成果報告書2004B   2005年

シリコン系基板上でのカーボンナノチューブの化学気相成長における触媒の効果 招待

本間芳和，小林慶裕，前田文彦

表面科学   25   339   2004年

国際シンポジウム機能性半導体ナノシステム（FSNS2003）報告

前田文彦

電子材料   43 ( 2 )   76   2004年

カーボンナノチューブの応用例を教えて下さい

前田文彦

NTT技術ジャーナル   25   98   2003年

時間分解内殻準位光電子分光による半導体表面過程の解析

前田文彦，渡辺義夫

表面科学   ( 23 )   767   2002年

放射光の表面解析への応用

前田文彦

リサーチコミケーションマイクロエレクトロニクス研究開発機構）   14   1998年

放射光光電子分光によるIII-V族半導体エピタキシャル成長表面の研究

前田文彦

放射光（日本放射光学会誌）   1997年

Sb終端GaAs(001)表面におけるin situ光電子分光

前田文彦, 渡辺義夫, 尾嶋正治

電気学会電子材料研究会資料   EFM-94 ( 1-6 )   35 - 43   1994年

放射光光電子分光による化合物半導体/超伝導体界面の評価

尾嶋正治，前田文彦，渡辺義夫

科研費重点領域研究金属-半導体界面中間報告書   1991年

エタノールを用いたCVD法によるAg箔上へのグラフェン成長

岩谷 光，田中 龍介，増田 有汰，前田 文彦

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

大電力パルススパッタリング(HPPS)を用いたグラフェン堆積のプラズマ供給電圧依存性

大石 侑叶、桒田 篤哉、篠原 正典、前田 文彦、田中 諭志、松本 貴士

第84回応用物理学会秋季学術講演会 

大気圧Ar中でバッファー層を形成したｎ型及び半絶縁性SiC(0001)の内殻準位光電子分光

前田文彦，高村真琴，日比野浩樹

第70回応用物理学会春季学術講演会 

アモルファスカーボン薄膜を固体材料として用いたグラフェン／グラファイトの成長―SOI基板を用いた鉄シリサイド上へのグラフェン成長―

ランウィットスピサラ，前田文彦

第67回 応用物理学会春季学術講演会 

グラフェンとその作製法

前田文彦

第146回　福工大土曜談話会 

Study on Graphite/Graphene growth from amorphous carbon thin film as a solid source on typical metal substrates 国際会議

Supissara Ruangwit and Fumihiko Maeda

12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Device (ALC’19) 

アモルファスカーボン薄膜を固体材料として用いたグラフェン／グラファイトの成長- Fe 基板を用いた成長-

ランウィットスピサラ，前田文彦

第 80 回 応用物理学会秋季学術講演会 

Hot-Filamentを用いたガスソースMBEによるグラフェン成長

前田文彦，日比野浩樹

第16回Cat-CVD研究会 

グラフェンに関する研究とＭＢＥ成長

前田文彦

令和元年度 JIMA九州・JSPM九州研究 

アモルファスカーボン薄膜を固体材料として用いた グラフェン／グラファイトの成長

ランウィットスピサラ，前田文彦

第６６回応用物理学会春季学術講演会 

Very gradual and anomalous oxidation at the interface of hydrogen-intercalated graphene/4H-SiC(0001) 国際会議

Fumihiko Maeda, Makoto Takamura and Hiroki Hibino

International Symposium on Epitaxial Graphene 

水素終端処理したグラフェン/SiC(0001)における?グラフェンの劣化?−電流通電が誘起した非常に遅い界面酸化−

前田文彦，高村真琴，日比野浩樹

第63回応用物理学会春期学術講演会 

RF-MBE 法によるエピタキシャルグラフェン上への AlN 成長

山崎 隆弘、畑 泰希、山根 悠介、関根 佳明、前田 文彦、日比野 浩樹、藤田 実樹、牧本 俊樹

第76回秋季応用物理学会講演会 

Graphene growth on the buffer layer of SiC(0001) by molecular beam epitaxy

Fumihiko Maeda, Makoto Takamura and Hiroki Hibino

The 7th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS7) 

Current-induced degradation of graphene and successive gradual oxidation at the interface of hydrogen-intercalated graphene/SiC(0001)

Fumihiko Maeda, Makoto Takamura, Shingo Isobe, Shohei Takagi and Hiroki Hibino

The 15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014) 

基板上グラフェンの熱的不安定性

鈴木哲，高村真琴，村田裕也，前田文彦，ワンシェンナン，カルロオロフェオ，日比野浩樹

第61回応用物理学関係連合講演会 

SiC (0001)に形成したバッファー層上へのＭＢＥによるグラフェン成長

前田文彦，高村真琴，日比野浩樹

第61回応用物理学関係連合講演会 

グラフェン 積層 接合の電気特性

茶谷洋光,奥村俊夫,伊澤輝記,井口宗明,中島健志,小林慶祐,呉龍錫,有月琢哉,松本卓也,永瀬雅夫,前田 文彦,日比野 浩樹

第61回応用物理学関係連合講演会 

SiC 上バッファ層の水素雰囲気下でのアニール　- グラフェンリッジの生成とエッチング -

高村 真琴, 高木 翔平, 前田 文彦, 日比野 浩樹

第61回応用物理学関係連合講演会 

Heating-induced disorder of graphene transferred to a substrate 国際会議

Satoru Suzuki, Carlo M. Orofeo, Shengnan Wang, Fumihiko Maeda, Makoto Takamura, and Hiroki Hibino

41st Conference on the Physics & Chemistry of Surface & Interface 

Current-induced modulation of hydrogenated graphene/SiC(0001): Difference between current applied in vacuum and air

Fumihiko Maeda, Shingo Isobe, and Hiroki Hibino

12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 

Graphene growth on graphene by molecular beam epitaxy 国際会議

Fumihiko Maeda

Crystal & Graphene Science Symposium-2013 

Growth of graphene by molecular beam epitaxy using cracked ethanol and ethylene 国際会議

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

Paul-Drude-Institut Topical Workshop on MBE-Grown Graphene 2013 

Current-induced oxidation at the interface of hydrogen-intercalated graphene/SiC(0001) under atmospheric ambient and mobility degradation

Fumihiko Maeda, Shingo Isobe, and Hiroki Hibino

5th International Conference on Research Progress in Graphene Research (RPGR 2013) 

大気中通電が誘起するグラフェン／水素終端ＳｉＣ（０００１）における界面酸化反応と移動度の低下

前田文彦，磯部真吾，日比野浩樹

第74回応用物理学会学術講演会 

基板上に転写された CVD ク_ラフェンの加熱に対する構造不安定性

鈴木 哲,前田 文彦、ShengnanWang,CarloM.Orofeo,日比野 浩樹

第74回応用物理学会学術講演会 

Ru(0001)表面に成長したグラフェンの凹凸構造?

村田 祐也，鈴木 哲，前田 文彦，日比野 浩樹

第74回応用物理学会学術講演会 

Photoelectron spectroscopy study of interface structure of hydrogen intercalated graphene/SiC(0001)

Fumihiko Maeda, Shinichi Tanabe, and Hiroki Hibino

The 40th International Symposium on Compound Semiconductors 

グラフェン／ＳｉＣ（０００１）の水素処理と真空中加熱過程

前田文彦，田邉真一，磯部真吾，日比野浩樹

第60回応用物理学関係連合講演会 

Ru(0001)表面に成長したグラフェンの凹凸構造

村田祐也，鈴木哲，前田文彦，日比野浩樹

第60回応用物理学関係連合講演会 

Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene -Advantage over ethanol in growth- 国際会議

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

International Conference on Diamond and Carbon Materials 2012 (ICDCM 2012) 

Molecular beam epitaxial growth of graphene using cracked ethylene

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012) 

エチレンを用いたガスソースＭＢＥによるグラフェン成長 -エタノールに対する優位性-

前田文彦，日比野浩樹

第73回応用物理学会学術講演会 

エチレンを用いたガスソースＭＢＥによるグラフェン成長

前田文彦，日比野浩樹

第59回 応用物理学関係連合講演会 

Formation of Fin-like Ridge-structures of Graphene on Graphene/SiC(0001) by Molecular Beam Epitaxy

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

24rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2011) 

ガスソースＭＢＥによるグラフェンの成長　-フィン状構造の形成

前田文彦，日比野浩樹

第72回応用物理学会学術講演会 

エピタキシャルグラフェン成長のSiC基板面方位依存性

日比野浩樹，田邉真一，前田文彦，影島愽之，鶴田和弘

第72回応用物理学会学術講演会 

エピタキシャルグラフェンの成長とLEEMによる評価

日比野浩樹，田邉真一，影島愽之，前田文彦

第72回応用物理学会学術講演会 

CVD growth of carbon nanotubes from C60-fullerene nuclei

阿形省吾，根岸良太，高木大輔，前田文彦，本間芳和，小林慶裕

第30回電子材料シンポジウム 

Molecular Beam Epitaxy Growth of Graphene and Ridge-Structure Network of Graphene Using Cracked Ethanol 国際会議

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

Graphene 2011 

各種の材料ガスを用いたＣ６０フラーレン核からのカーボンナノチューブの成長

根岸良太，高木大輔，前田文彦，阿形省吾，小林慶裕，本間芳和

第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

エタノールを用いたガスソースMBEによるグラフェンの成長　－成長温度依存性-

前田文彦，日比野浩樹

第58回応用物理学関係連合講演会 

エピタキシャルグラフェン成長とLEEM評価技術

日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, 前田文彦

第58回応用物理学関係連合講演会 

Evaluation of Few-Layer Graphene Grown by Gas-source Molecular Beam Epitaxy Using Cracked Ethanol

Fumihiko Maeda, Hiroki hibino, Ichiro Hirosawa, and Yoshio Watanabe

The 6th International Workshop on Nano-scale Spectroscopy and Nanotechnology (NSS6) 

エタノールを用いたガスソースMBEによるグラフェンの成長－流量の変化が成長に及ぼす影響－

前田文彦，日比野浩樹

第71回応用物理学会学術講演会 

ALD絶縁膜を用いたInAs/AlGaSbヘテロ構造のゲート制御

鈴木恭一，小野満恒二，原田裕一，前田文彦，山口徹，村木康二

第71回応用物理学会学術講演会 

Gate Operation of InAs/AlGaSb Heterostructures with an ALD Insulating Layer 国際会議

Kyoichi Suzuki, Yuichi Harada, Fumihiko Maeda, Koji Onomitsu, Toru Yamaguchi, and Koji Muraki

16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 

フラーレンを成長核に用いたカーボンナノチューブ合成

高木大輔，前田文彦，日比野浩樹，小林慶裕，本間芳和

第57回応用物理学関係連合講演会 

貴金属粒子より成長した単層カーボンナノチューブのラマンスペクトルにおける特異な信号強度

小林慶裕，高木大輔，庄司暁，根岸良太，前田文彦，河田聡

第57回応用物理学関係連合講演会 

エタノールを用いたガスソースＭＢＥによるグラフェン成長－Si酸化膜，サファイア，グラフェン上への試行－

前田文彦，日比野浩樹

第57回応用物理学関係連合講演会 

ガスソースＭＢＥで成長した少数層グラフェンのＸ線CTR散乱による評価

前田文彦，日比野浩樹，広沢一郎，渡辺義夫

日本放射光学会第23回年会 

Study on graphene growth by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol; Influenceof gas flow rate on graphitic material deposition

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2010) 

X-ray Photoelectron Spectroscopy of Oxygen- and Hydrogen-terminated Diamond Surfeces 国際会議

K. Michal F. Maeda, and M. Kasu

Materials Science Society 2009 Fall Meeting 

Thin Graphitic Structure Formation on Various Substrates by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy using Cracked-Ethanol

Fumihiko Maeda and Hiroki Hibino

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009) 

分解したエタノールを成長材料としたMBEによる少数層グラフェンの成長

前田文彦,日比野浩樹

第70回応用物理学会学術講演会 

酸素および水素終端ダイヤモンド表面のＸＰＳ測定

K.Michal, 前田文彦, 嘉数誠

第70回応用物理学会学術講演会 

エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のX線CTR散乱による解析

日比野浩樹,前田文彦, 影島博之, 永瀬雅夫, 広沢一郎, 渡辺義夫

第70回応用物理学会学術講演会 

Growth of few-layer graphene by gas-source molecular beam epitaxy using cracked-ethanol 国際会議

Fumihiko Maeda,　Hiroki Hibino, and Yoshihiro Kobayashi

European Materials Research Society (E-MRS) 2009 Spring Meeting 

少数層グラフェン/6H-SiC(0001)のX線CTR散乱

前田文彦, 日比野浩樹, 広沢一郎, 渡辺義夫

日本放射光学会第22回年会 

Chemical and morphological effects on catalyst activities for carbon nanotube growth

Fumihiko Maeda and Yoshihiro Kobayashi

International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5) 

CVD成長におけるCNT収量に及ぼす大気曝露の影響　－真空一貫プロセスとの比較－

前田文彦, 小林慶裕

第69回応用物理学会学術講演会 

Proper Combination of Catalyst Materials and Ethanol for High Yield in CVD Growth of Carbon Nanotubes 国際会議

Fumihiko Maeda and Yoshihiro Kobayashi

Materials Science Society 2008 Spring Meeting 

SiC(0001)表面に成長したグラフェン層の光電子顕微鏡観察

日比野浩樹, 影島博之, 郭方准, 前田文彦, 小嗣真人, 渡辺義夫

第55回応用物理学関係連合講演会 

その場分光法によるカーボンナノチューブ成長過程解析

小林慶裕, 前田文彦, 内田貴司, 田澤雅也

特定領域研究会 

Numbers-of-layers distribution in graphene layers formed on SiC(0001)

H. Hibino, M. Nagase, H. Kageshima, F. Maeda, Y. Kobayashi, and H. Yamaguchi

15th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM15) 

Chemical State of Iron nanoparticle catalysts for single-walled carbon nanotube growth studied by in situ photoelectron spectroscopy

Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, and Y. Kobayashi

The 9th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostrucutures (ACSIN-9) 

Two-dimensional emission patterns of secondary electrons from graphene layers formed on SiC(0001)

H. Hibino, H. Kageshima, F.-Z. Guo, F. Maeda, M. Kotsugi and Y. Watanabe

The 9th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostrucutures (ACSIN-9) 

Diameter dependence of hydrogen adsorption on single-walled carbon nanotubes

A. Tokura, F. Maeda, Y. Teraoka, A. Yoshigoe, D. Takagi, Y. Homma, Y. Watanabe, Y. Kobayashi

The 9th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostrucutures (ACSIN-9) 

Oxide-mediated formation of α-FeSi2 on Si(001) studied by x-ray adsorption near edge structure analysis using SPELEEM

Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, and FangZhun Guo

6th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '07 (ALC07) 

Thickness Determination of Graphene Layers Formed on SiC using Low-energy Electron Microscopy

H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, and H. Yamaguchi

6th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '07 (ALC07) 

SiC(0001)表面に形成したグラフェン層の層数分布

日比野浩樹, 永瀬雅夫, 影島博之, 前田文彦, 小林慶裕, 山口浩司

第68回応用物理学会学術講演会 

SiC上に形成したグラファイト薄膜のSPELEEM観察

日比野浩樹, 郭方准, 前田文彦, 渡辺義夫

第４回産業利用報告会(戦略活用プログラム報告会） 

低圧エタノールＣＶＤによるカーボンナノチューブ成長の触媒金属に関するその場光電子分光による研究

前田文彦, 鈴木哲, 小林慶裕

第33回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

サブミクロンサイズの磁性体の磁区構造のXMCDPEEM観察

関根佳明, 日比野浩樹, 前田文彦, 渡辺義夫, 郭方准, 新田淳作

第54回応用物理学関係連合講演会 

軟X線光電子分光によるカーボンナノチューブへの原子状水素照射の影響の解析

登倉明雄, 前田文彦, 高木大輔, 本間芳和, 吉越章隆, 寺岡有殿, 渡辺義夫, 小林慶裕

第54回応用物理学関係連合講演会 

6H-SiC(0001)表面に形成したグラファイト薄膜のLEEM観察

日比野浩樹, 影島博之, 前田文彦, 永瀬雅夫, 小林慶裕, 山口浩司

第54回応用物理学関係連合講演会 

ＣＶＤ法によるカーボンナノチューブ成長のin situ XPS(III)　－Fe触媒による成長－

前田文彦, 登倉明雄, 鈴木哲, 小林慶裕

第54回応用物理学関係連合講演会 

In situ x-ray photoelectron spectroscopy study on carbon nanotube growth using metallic and oxidized catalysts by ethanol-CVD

F. Maeda, S. Suzuki, Y. Kobayashi, D. Takagi, and Y. Homma

The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007) 

Surface Reactions of Metal Catalysts in Ethanol-CVD Ambient at Low-Pressure Studied by in-situ Photoelectron Spectroscopy 国際会議

F. Maeda, S. Suzuki, Y. Kobayashi, D. Takagi, and Y. Homma

Materials Science Society 2006 Fall Meeting 

Surface Reactions of Metal Catalysts for Carbon Nanotubes on an Oxide Thin Layer/Si Substrates Studied by in-situ Micro X-ray Adsorption Spectroscopy using SPELEEM 国際会議

Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, FangZhun Guo, and Yoshio Watanabe

Materials Science Society 2006 Fall Meeting 

Surface reactions of Fe on SiO2 thin layer/Si substrates studied by SPELEEM

Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, and FangZhun Guo

The 5th International Conference on LEEM/PEEM (LEEM/PEEM-V) 

ナノチューブ成長用触媒金属のSi酸化膜上における反応過程のSPELEEMによる研究

前田文彦

第11回Spring-8触媒評研究会 

X線光電子分光による成長ガスが多層カーボンナノチューブに与える影響の解析

登倉明雄, 前田文彦, 小林慶裕, 高木大輔, 本間芳和

第67回応用物理学会学術講演会 

酸化膜を形成したSi基板上におけるカーボンナノチューブ成長用触媒金属の表面反応に関するＳＰＥＬＥＥＭによる研究

前田文彦, 日比野浩樹, 鈴木哲, 郭方准, 渡辺義夫

LEEM/PEEM研究会―顕微ナノ材料科学の発展― 

ＣＶＤ法によるカーボンナノチューブ成長のin situ XPS(II)

前田文彦, 登倉明雄, 鈴木哲, 小林慶裕, 高木大輔, 本間芳和

第67回応用物理学会学術講演会 

X-ray photoelectron spectroscopy study on the vertically aligned carbon nanotube film

A. Tokura, F. Maeda, K. Sumitomo, Y. Kobayashi, D. Takagi, and Y. Homma

Seventh International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT06) 

Surface reactions of Co catalysts in ethanol-CVD ambient at low-pressure studied by in situ photoelectron spectroscopy

F. Maeda, S. Suzuki, Y. Kobayashi, D. Takagi, and Y. Homma

Seventh International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT06) 

超高真空中光照射によるカーボンナノチューブの損傷

鈴木哲, 前田文彦, 小林慶裕

第53回応用物理学関係連合講演会 

Ｆｅ／ＳｉＯ２／Ｓｉ構造における表面・界面反応のＳＰＥＬＥＥＭによる解析

前田文彦, 日比野浩樹, 鈴木哲, 郭方准

第53回応用物理学関係連合講演会 

ＣＶＤ法によるカーボンナノチューブ成長のｉｎ　ｓｉｔｕ　ＸＰＳ

前田文彦, 鈴木哲, 小林慶裕, 高木大輔, 本間芳和

第53回応用物理学関係連合講演会 

光照射によるカーボンナノチューブの損傷

鈴木哲, 前田文彦, 小林慶裕

第30回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

Surface Reactions of Co on SiO2 thin layer/Si substrate Studied by LEEM and PEEM

Fumihiko Maeda, Hiroki Hibino, Satoru Suzuki, Yoshihiro Kobayashi, Yoshio Watanabe, and FangZhun Guo

International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4) 

CVD 法による単層カーボンナノチューブ成長の高真空化へ向けた検討

遠藤晋旦, 前田文彦, 松本哲憲, 本間芳和, 小林慶裕

第66回応用物理学会学術講演会 

ナノチューブ成長用触媒金属／ＳｉＯ２／Ｓｉ構造における表面・界面反応の軟Ｘ線光電子分光による研究

渡辺義夫, 前田文彦, Elise Laffosse, 鈴木哲, 本間芳和, 鈴木峰晴, 北田隆行, 荻原俊弥, 田中彰博, 木村昌弘, Vlaicuaurel Mihai, 吉川英樹, 福島整

放射光利用 ナノテク最前線2005 

ボイドを形成したＳｉ酸化膜表面におけるＣｏの反応のＰＥＥＭによる解析

前田文彦, 日比野浩樹, 鈴木哲, 小林慶裕, 渡辺義夫, 郭方准

第52回応用物理学関係連合講演会 

Ｃｏ／ＳｉＯ２／Ｓｉ構造における表面・界面反応のＬＥＥＭ／ＰＥＥＭ観察

前田文彦, 日比野浩樹, 鈴木哲, 小林慶裕, 渡辺義夫, 郭方准

日本放射光学会第18回年会 

Ｃｏ／Ｓｉ酸化膜／Ｓｉ構造における表面・界面反応のＬＥＥＭによる解析

前田文彦, 日比野浩樹, 小林慶裕

第65回応用物理学会学術講演会 

Beamline for angle-resolved photoemission spectroscopy at low-temperature constructed at NTT Atsugi R&D Center 国際会議

S. Suzuki, H. Yamamoto, F. Maeda, Y. Watanabe, K. Yamada, and T. Kiyokura

The 14th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Phsics (VUV-14) 

触媒金属のSi基板上における表面・界面反応の軟Ｘ線光電子分光による解析

前田文彦, 渡辺義夫, 鈴木哲, 本間芳和, Elise Laffosse, 鈴木峰晴, 北田隆行, 荻原俊弥, 田中彰博, 木村昌弘, Vlaicuaurel Mihai, 吉川英樹, 福島整

第51回応用物理学関係連合講演会 

触媒金属／ＳｉＯ２／Ｓｉ構造における表面・界面反応の軟Ｘ線光電子分光

前田文彦, 渡辺義夫, 鈴木哲, 本間芳和, Elise Laffosse, 鈴木峰晴, 北田隆行, 荻原俊弥, 田中彰博, 木村昌弘, Vlaicuaurel Mihai, 吉川英樹, 福島整

日本放射光学会第17回年会 

カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光

鈴木哲, 前田文彦，渡辺義夫, 荻野俊郎, 本間芳和

日本放射光学会第17回年会 

Tiem-resolved core-level photoelectron spectroscopy and reflection high energy diffraction study on surface phase transition of GaAs(001)

Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

The 7th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostrucutures (ACSIN-7) 

Non-rigid band shift behavior of potassium-filled carbon nanotubes

S.Suzuki, Y. Watanabe, F. Maeda, Y. Homma, and T. Ogino

International Symposium on Functional Semiconductor Nanosystems 2003 

Surface and Interface Reactions of Catalysts for Carbon Nanotube Growth on Si Substrates Studied by Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy

F. Maeda, E. Laffosse, Y. Watanabe, S. Suzuki, Y. Homma, M. Suzuki, T. Kitada, T. Ogiwara, A. Tanaka, M. Kimura, V. A. Mihai, H. Yoshikawa, and S. Fukushima

International Symposium on Functional Semiconductor Nanosystems 2003 

カリウム内包単層ナノチューブの電子状態

鈴木哲, 前田文彦，渡辺義夫, 荻野俊郎, 本間芳和

第25回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム 

Photoelectron diffraction effect in real-time analysis by core-level photoelectron spectroscopy on surface phase transition of GaAs(001) 国際会議

Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

9th International Conference on Electron Spectroscopy (ICESS-9) 

カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光

鈴木哲, 前田文彦，渡辺義夫, 本間芳和, 荻野俊郎

日本物理学会第58回年次大会 

ＧａＡｓ（００１）表面相転移の時間分解内殻準位光電子分光による実時間解析

前田文彦，渡辺義夫

日本放射光学会第16回年会 

ＮＴＴ厚木研究開発センタにおける角度分解光電子分光ビームラインの製作

鈴木哲, 山本秀樹, 山田浩治, 清倉孝規, 前田文彦, 渡辺義夫

日本放射光学会第16回年会 

リアルタイム光電子分光によるIII-V化合物半導体表面過程の解析

前田文彦

高輝度光源利用研究会（物性研短期研究会） 

ＧａＡｓ（００１）の時間分解内殻準位光電子分光－2x4←→4x2超構造相転移過程－

前田文彦，渡辺義夫

日本物理学会2002年秋の分科会 

低温測定用角度分解光電子分光ビームラインの製作

鈴木哲, 山本秀樹, 山田浩治, 清倉孝規, 前田文彦, 渡辺義夫

日本物理学会2002年秋の分科会 

Modification of surface states induced by Ga-deposition on InAs(001) 国際会議

Y. Watanabe, and F. Maeda

The 13th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics (VUV-XIII) 

ＧａＡｓ（００１）基板上の遷移金属エピタキシーにおけるサーファクタント効果の研究

Krishna G. Nath, 前田文彦，鈴木哲，渡辺義夫

第48回応用物理学会関係連合講演会 

「Experimental evidence of Co valence band satellite」

Krishna G. Nath, Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, Yoshio Watanabe，and Toyohiko Kinoshita

日本放射光学会第14回年会 

Ge 表面上のFe２O３ナノ粒子の反応初期過程

K. Prabhakaran, 渡辺義夫，Krishna G. Nath,　前田文彦，k.v.p.m.shafi, a.ulman, 荻野俊郎

第62回応用物理学会学術講演会 

Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy of nanostructures" 国際会議

Y. Watanabe, S. Suzuki, F. Maeda, and T. Kiyokura

1st International Workshop on Nano-scale Spectroscopy 

「GaAs表面の実時間光電子分光」

前田文彦

放射光の半導体への応用技術研究委員会第45回例会 

Observation of Gallium 3d Two-Hole State from GaAs Surfaces" 国際会議

Satoru Suzuki, Takanori Kiyokura, Fumihiko Maeda, Krishna G. Nath, Yoshio Watanabe, Tomohiko Saitoh, and Akito Kakizaki

8th International Conference on Electron Spectroscopy (ICESS-8) 

Performance of the high-resolution high-flux monochromator for bending magnet beamline BL-1C at the Photon Factory" 国際会議

K. Ono, J.H. Oh, K. Horiba, M. Mizuguchi, M. Oshima, T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, A. Kakizaki, T. Kikuchi, A. Yagishita, and H. Kato

The 7th international Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation 

A Unified View of Chemical Interaction and Surface Magnetism in Co Films on Different Passivated GaAs Surfaces Studied by Photoemission Spectroscopy" 国際会議

Krishna G. Nath, Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, and Yoshio Watanabe

8th International Conference on Electron Spectroscopy (ICESS-8) 

「GaAs(001)表面におけるダイナミクス　-4x2表面超構造の消滅過程の観察-」

前田文彦，渡辺義夫

日本物理学会2000年春の分科会 

「GeおよびSi酸化膜の熱分解過程の相違の観測」

K. Prabhakaran, 前田文彦，渡辺義夫，荻野俊郎

第47回応用物理学会関係連合講演会 

「Photoemission experiment for Co film on Se/GaAs(001): Study of satellite structures in Co- and Ga-3d spectra」

Krishna G. Nath, Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, and Yoshio Watanabe

日本物理学会2000年春の分科会 

「GaAsのGa3d二正孔状態の共鳴光電子分光　-表面成分の観測-」

鈴木哲，清倉孝規，前田文彦，K.G. Nath，渡辺義夫，斎藤智彦，柿崎明人

日本物理学会2000年春の分科会 

「GaAsのGa3d二正孔状態に対する表面の影響」

鈴木哲，清倉孝規，前田文彦，K.G. Nath，渡辺義夫，柿崎明人，斎藤智彦，柳下明

日本放射光学会第13回年会 

「Study of electronic structures and growth modes of Co films on S-passivated GaAs(001) surface」

Krishna G. Nath, Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, and Yoshio Watanabe

日本放射光学会第13回年会 

GaSb(001) 4x2-In surface strucutre studied by using core-level photoelectron spectroscopy and x-ray standing-wave analysis"

Fumihiko Maeda, Munehiro Sugiyama, and Yoshio Watanabe

International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3) 

Epitaxy modification of elecronic structures

overlayer-substrate reaction and segregation in ferromagnetic Co films on Se-treated GaAs(001) surface"

Krishna G. Nath, Fumihiko Maeda, Satoru Suzuki, Yoshio Watanabe, Tomohiko Saito, Akito Kakizaki, and Akira Yagishita 

Thermal decomposition pathway of germanium and silicon oxides : Observation distinct difference"

K. Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, and T. Ogino

The International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si) 

「GaAsのGa3d二正孔状態の共鳴光電子分光」

鈴木哲，清倉孝規，前田文彦，K.G. Nath，渡辺義夫，斎藤智彦，柿崎明人，柳下明

日本物理学会1999年秋の分科会 

「GaAs(001)におけるGa成長過程の時間分解内殻光電子分光による解析」

前田文彦，渡辺義夫

日本物理学会1999年秋の分科会 

Real-time analysis of alternating growth on GaAs(001) by core-level photoelectron spectroscopy" 国際会議

Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

The 5th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces (ACSI-5) 

Strain-induced effects on the chemical bonding strucutres in self-organized InAs nanocrystals on GaAs and Se-terminated GaAs" 国際会議

Yoshio Watanabe and Fumihiko Maeda

The 5th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces (ACSI-5) 

「GaAs(001)における交互供給成長過程の時間分解内殻光電子分光」

前田文彦，渡辺義夫

第46回応用物理学会関係連合講演会 

「量子ナノ分光ビームラインPF BL-1C」

小野寛太，呉鎮浩，鈴木哲，清倉孝規，柿崎明人，堀場弘司，水口勝輝，菊地貴司，前田文彦，柳下明，加藤博雄，渡辺義夫，藤岡洋，尾嶋正治

日本物理学会第54回年会 

「GaSb(001)上におけるInの初期成長過程」

前田文彦，渡辺義夫

日本放射光学会第12回年会 

「KEK-PF BL-1Cの建設」

小野寛太，呉鎮浩，堀場弘司，水口勝輝，藤岡洋，尾嶋正治，菊地貴司，柿崎明人，斉藤智彦，柳下明，鈴木哲，前田文彦，渡辺義夫，清倉孝規，加藤博雄

日本放射光学会第12回年会 

「GaAs表面のSe処理による仕事関数の変化」

鈴木哲，前田文彦，大野_央，渡辺義夫

第59回応用物理学会学術講演会 

「Sb過剰条件におけるSb/GaAs(001)の内殻準位光電子分光」

前田文彦，渡辺義夫

日本物理学会1998年秋の分科会 

Sb desorption from Sb/GaAs(001) and GaSb(001) analyzed by core-level photoelectron spectroscopy" 国際会議

Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

The 12th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Phsics (VUV-12) 

「光電子分光による結晶成長ダイナミクス」

前田文彦

短期研究会「高分解能光電子分光が拓く物性研究」 

「デブリ防止用有機極薄膜の作製」

川村朋晃，松元史郎，前田文彦，竹中久貴，渡辺義夫

第45回応用物理学会関係連合講演会 

「In/Sb(001)初期界面構造のRHEEDと内殻準位光電子分光による解析」

前田文彦，渡辺義夫

日本物理学会第53回年会 

「GaAs(001)面及びGaAs(411)面における仕事関数のAs被覆率依存性」

清倉孝規，前田文彦，渡辺義夫

第45回応用物理学会関係連合講演会 

「時間分解内殻光電子分光によるSb脱離過程の解析　-Sb/GaAs(001)とGaSb(001)-」

前田文彦，渡辺義夫

第45回応用物理学会関係連合講演会 

「Sb過剰条件におけるSb/GaAs(001)の表面状態(1)　-成長温度・Sb供給中の時間分解内殻光電子分光-」

前田文彦，渡辺義夫

日本放射光学会第11回年会 

「光電子分光によるInAs(001)再配列構造表面のフェルミ準位の研究」

渡辺義夫，山口浩司，前田文彦

日本放射光学会第11回年会 

「不等間隔回折格子を用いた高分解能真空紫外分光器の検討(2)　不等間隔平面回折格子分光器」

堀場弘司，小野寛太，藤岡洋，尾嶋正治，清倉孝規，前田文彦，渡辺義夫，加藤博雄，柳下明

日本放射光学会第11回年会 

「微小部光電子分光による半導体ダブルヘテロ構造劈開面の観察」

清倉孝規，前田文彦，渡辺義夫，門田好晃，池滝慶記，堀川嘉明，尾嶋正治，繁政英治，柳下明

日本放射光学会第11回年会 

「Sb過剰条件におけるSb/GaAs(001)の表面状態(2)　-2x8超構造表面のRHEEDと光電子分光-」

前田文彦，渡辺義夫

日本放射光学会第11回年会 

Ordered Sb Rich Surface of Sb-terminated GaAs(001)"

Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces (ACSI-4) 

「p型InAs(001)清浄表面に於ける表面反転層の観測」

渡辺義夫，山口浩司，前田文彦

第58回応用物理学会学術講演会 

「Sb/GaAs(001)の時間分解内殻光電子分光による解析」

前田文彦，渡辺義夫

日本物理学会1997年秋の分科会 

GaAs(001)のSb終端による表面超構造の制御」

前田文彦，渡辺義夫

第58回応用物理学会学術講演会 

Time-Resolved Core-Level Photoelectron Spectroscopy on Sb-Terminated GaAs(001) under Sb-Supply Control at Growth Temperature"

Fumihiko Maeda and Yoshio Watanabe

7th International Conference on Electron Spectroscopy 

Realtime analysis for MBE by time-resolved core-level photoelectron spectroscopy"

Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, Masaharu Oshima, Masami Taguchi, and Retsu Oiwa

The 6th international Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation 

Oprical design of high performance bending magnet beamline based on varied line spacing plane grating"

Takanori Kiyokura, Fumihiko Maeda, and Yoshio Watanabe

The 6th international Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation 

「MBE成長温度領域におけるGaSb(001)の時間分解光電子分光における解析

前田文彦，渡辺義夫

第44回応用物理学会関係連合講演会 

「Submicron-area high energy resolution photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation」

Y. Watanabe, T. Kiyokura, F. Maeda, E. Shigemasa, A. Yogishita, M. Oshima, Y. Iketaki, and Y. Horikawa

下田ワークショップ 

「GaSb(001)上における交互供給成長の内殻準位光電子分光によるリアルタイム解析」

前田文彦，渡辺義夫

日本放射光学会第10回年会 

「High-energy resolution photoelectron spectroscopy system using submicron syncrotron radiation beam」

T. Kiyokura, F. Maeda, M. Oshima, Y. Iketaki, Y. Horikawa, E. Shigemasa, A. Yogishita, and Y. Watanabe

ハードフォトンテクノロジ国際ワークショップ 

「Observaiton of submicron-area high energy resolution photoelectron spectrra from a cleaved surface of an epitaxially grown semiconductor heterostructures」

T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Kadota, E. Shigemasa, A. Yogishita, and Y. Watanabe

ハードフォトンテクノロジ国際ワークショップ 

「A submicron-area high-energy-resolution photoelectron spectroscopy system using undulator radiation」

T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Iketaki, Y. Horikawa, M. Oshima, E. Shigemasa, A. Yogishita, and Y. Watanabe

第2回US-Japan Workshop on Soft X-ray Optics 

Relaxation of Band Bending for GaAs(001) Surface with Controlling by Crystal Defects near the Surface"

Y. Hirota, Y. Watanabe, F. Maeda, and T. Ogino

2nd Interantional Symposium on Control of Seniconductor Interfaces (ISCSI-2) 

「高エネルギー分解能微小部光電子分光システムの開発　-設計と光学系の評価-」

清倉孝規，前田文彦，尾嶋正治，池滝慶記，堀川嘉明，繁政英治，柳下明，渡辺義夫

第57回応用物理学会学術講演会 

「A micro-area high-energy-resolution photoelectron spectroscopy system using undulator synchrotron radiation」

T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Kadota, Y. Iketaki, Y. Horikawa, M. Oshima, E. Shigemasa, A. Yogishita, and Y. Watanabe

第14回X線光学懇談会 

「GaAs(001)表面の熱劣化層除去による表面Fermi準位の伝導帯端への移動」

廣田幸弘，渡辺義夫，前田文彦，荻野俊郎

第57回応用物理学会学術講演会 

Observation of intrinsic downward band bending at MBE-grown InAs(001)-(2x4) surfaces by in-situ photoelectron spectroscopy"

Yoshio Watanabe and Fumihiko Maeda

9th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-9) 

Soft X-ray Microbeam for Micro Area Photoelectron Spectroscopy System Using Undulator Radiation"

T. Kiyokura, F. Maeda, Y. Watanabe, H. Takenaka, M. Oshima, Y. Iketaki, Y. Horikawa, E. Shigemasa, and A. Yogishita

9th International Microprocess Conference 

In siotu photoelectron specsroscopy study of MBE-grown InAs(001) -(2x4) and (4x2) reconstructed surfaces-" 国際会議

Yoshio Watanabe and Fumihiko Maeda

1st International Conference on Syncrotron Radiation in Materials Science 

Realtime observation of alternating growth on GaSb(001) by using core-level photoelectron spectroscopy" 国際会議

Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, and Masaharu Oshima

4th International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface Process (ALE-4) 

「結晶成長過程のリアルタイム解析」

前田文彦，渡辺義夫

放射光の半導体への応用技術研究委員会第24回例会 

「リアルタイム光電子分光によるGaSb(001)成長表面の解析」

前田文彦，渡辺義夫，村松康司，尾嶋正治

日本物理学会第51回年会 

「放射光光電子分光による結晶成長リアルタイム解析」

前田文彦，渡辺義夫，村松康司，尾嶋正治

日本放射光学会第9回年会 

「微小部光電子分光システムの開発(I)　－縮小光学系-」

清倉孝規，前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治，池滝慶記，堀川嘉明，繁政英治，柳下明

日本放射光学会第9回年会 

「InAsナノ結晶とSe終端GaAs界面の結合状態」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治

日本放射光学会第9回年会 

Photoelectron Spectroscopy and X-ray Standing Waves of Atomically Controlled GaAs Surfaces and Formation of Nano-Crystals" 国際会議

M. Oshima, M. Sugiyama, F. Maeda, and Y, Watanabe

The 2nd Asian Forum on Synchrotron Radiation 

Surface termination of GaAs(001) by Sb-dimer"

F. Maeda, Y. Watanbe, and M. Oshima

13th International Vacuum Congress (IVC-13), 9th International Conference on Solid Surfaces (ICSS-9) 

Photoelectron Spectroscopy on Reconstructed GaSb(001)"

F. Maeda, Y. Watanbe, and M. Oshima

The 11th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Phsics (VUV-11) 

Synchrotron radiation photoelectron specroscopy study of bonding at heterointerfaces between InAs nanocrystals and S-terminated GaAs"

Yoshio Watanabe, Fumihiko Maeda, and Masaharu Oshima

The 11th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Phsics (VUV-11) 

「InAsナノ結晶とGaAs基板とのヘテロ界面の価電子帯不連続性」

渡辺義夫，前田文彦，清倉孝規，尾嶋正治

電子情報通信学会電子デバイス研究会 

「GaSb(001)再構成表面の光電子分光」

前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治

日本物理学会第50回年会 

「InAsナノ結晶/GaAsヘテロ界面のバンド構造」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治

第42回応用物理学会関係連合講演会 

「光電子分光によるIII-V族半導体表面の研究」

前田文彦，渡辺義夫，杉山宗弘，尾嶋正治

日本物理学会第50回年会 

Synchrotron Radiation Analysis of Atomically-Controlled GaAs Surfaces and its Application to Formation of Novel Nano-Crystals for Quantum Dots"

M. Oshima, M. Sugiyama, F. Maeda, Y, Watanabe, and S. Maeyama

International Symposium on Surface and Thin Films 

「半導体表面・界面のin situ 評価」

尾嶋正治，渡辺義夫，前田文彦，杉山宗弘，前山智

結晶工学分科会「SRと結晶工学」研究会 

「Sb終端GaAs(001)表面の軟X線定在波解析」

杉山宗弘，前山智，前田文彦，尾嶋正治

日本放射光学会第8回年会 

「ダイヤモンド表面へのアンチモン吸着」

尾嶋正治，A. Menz，S. Heun，渡辺義夫，前田文彦，加藤博雄

日本放射光学会第8回年会 

「Se処理GaAs基板上半導体ナノ結晶の光電子分光　-InSbナノ結晶成長過程-」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治

日本放射光学会第8回年会 

「Se処理GaAs基板上半導体ナノ結晶の光電子分光　-InAsナノ結晶のヘテロ界面-」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治

日本放射光学会第8回年会 

「AlGaAs基板表面の放射光光電子分光　-(NH4)2Sx溶液処理効果-」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治，安藤洋

日本放射光学会第8回年会 

「GaSb(001)の光電子分光　ｰ自然酸化膜熱脱離過程-」

前田文彦，安藤洋，渡辺義夫，尾嶋正治

日本放射光学会第8回年会 

「GaSb(001)の光電子分光　ｰ清浄表面-」

前田文彦，安藤洋，渡辺義夫，尾嶋正治

日本放射光学会第8回年会 

「多孔質シリコン表面の光電子分光」

清倉孝規，前田文彦，渡辺義夫，芹川正，尾嶋正治

日本放射光学会第8回年会 

InAs epitaxial nanocrystal grwoth on Se-terminated GaAs(001)" 国際会議

Yoshio Watanabe, Fumihiko Maeda, and Masaharu Oshima

21st International Symposium on Compound Semiconductors 

「Sb終端GaAs(001)上Ag成長の初期過程」

前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治

日本物理学会1994年秋の分科会 

「ナノビームによる新電子物性の研究」

尾嶋正治，清倉孝規，前田文彦，渡辺義夫

「VUV・SX領域の新研究展望」ワークショップ 

Water immersion induced surface reactions of EuBa2Cu3Oy thin films"

Takanori Kiyokura, Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, Masaharu Oshima, Hidefumi Asano, and Minoru Suzuki

1994 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1994) 

Formation of InSb nanocrystals on Se-terminated GaAs(001)"

Yoshio Watanabe, Fumihiko Maeda, and Masaharu Oshima

8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-VIII) 

Initial Stages of Ag growth on Sb-terminated GaAs(001)"

Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, and Masaharu Oshima

8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-VIII) 

Initial Stages of Cu Surfactant Growth on Sb-adsorbed Diamond Surfaces"

M. Oshima, A. Menz, S. Heun, Y. Watanabe, F. Maeda, R. Klauser, T.J. Chuang, H. Kawarada, and H. Kato

1994 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1994) 

Electronic Properties of MBE-grown InAs naocrystals on Se-terminated GaAs"

Yoshio Watanabe, Fumihiko Maeda, and Masaharu Oshima

13rd Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics 

「Sb終端GaAs(001)表面におけるIn situ光電子分光」

前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治

電気学会電気材料研究会 

Surface reaction of Ga and As on Sb-terminated GaAs(001)"

Fumihiko Maeda, Yoshio Watanabe, and Masaharu Oshima

3rd International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface processes (ALE-3) 

Comarative study between MEE- and MBE- grown InSb-nanocrystals on Se-terminated GaAs(001)"

Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

3rd International Symposium on Atomic Layer Epitaxy and Related Surface processes (ALE-3) 

「EuBa2Cu3O7-y薄膜の光電子分光による評価-浸水による変化-」

清倉孝規，前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治，浅野秀文，鈴木実

日本放射光学会第7回年会 

「EuBa2Cu3O7-y薄膜表面のECR処理過程のin situ光電子分光」

渡辺義夫，清倉孝規，前田文彦，尾嶋正治，浅野秀文，鈴木実

日本放射光学会第7回年会 

「硫黄処理AlGaAs基板表面の放射光光電子分光による評価」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治，安藤洋

1994年電子情報通信学会春季大会 

「ECR処理したEuBa2Cu3O7-y薄膜表面のin-situ光電子分光」

浅野秀文，鈴木実，清倉孝規，前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治

第41回応用物理学会関係連合講演会 

「放射光光電子分光によるSe安定化GaAs基板上InSbナノ結晶成長機構の解析」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治

第11回フォトンファクトリー・シンポジウム 

「EuBa2Cu3Oy薄膜における純水による表面反応」

清倉孝規，前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治，浅野秀文

第11回フォトンファクトリー・シンポジウム 

「VI族元素処理GaAs表面の放射光光電子分光」

渡辺義夫，トムシメカ，前田文彦，尾嶋正治

第11回フォトンファクトリー・シンポジウム 

Two-dimensional arrangement of InSb epitaxial nanoscale crystals on selenium-treated

teracces GaAs substrate"

Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima 

Control of surface bondings by realtime monitoring using synchrotron radiation photoelectron spectroscopy"

F. Maeda, Y. Watanabe, and M. Oshima

1st Interantional Symposium on Control of Seniconductor Interfaces (ISCSI-1) 

Nanocrystal growth of InSb on selenium-passivated GaAs"

Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

1st Interantional Symposium on Control of Seniconductor Interfaces (ISCSI-1) 

「Se処理GaAs(100)基板上InSb微結晶の成長」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治

第54回応用物理学会学術講演会 

Selective maskless growth of InSb on a selenium-treated GaAs by molecular beam epitaxy"

Y. Watanabe, T. Scimeca, F. Maeda, and M. Oshima

1993 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1993) 

Metal overlayer deposition on Se/GaAs(100)"

T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, and M. Oshima

1993 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1993) 

「硫黄処理したInP(001)に対する放射光照射」

前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治

日本放射光学会第6回年会 

「Se安定化表面上InSb成長における放射光光電子分光」

渡辺義夫，トムシメカ，前田文彦，尾嶋正治

日本放射光学会第6回年会 

「Sb/GaAs(100)界面におけるSe処理効果」

渡辺義夫，トムシメカ，前田文彦，尾嶋正治

第40回応用物理学会関係連合講演会 

「Sb/GaAs(001)の表面超構造と放射光光電子分光」

前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治

日本物理学会第48回年会 

「GaAs表面のパッシベーション」

尾嶋正治，Tom Scimeca，渡辺義夫，杉山宗弘，前山智，前田文彦

結晶成長学会第16回バルク成長研究会 

「SrF2界面層を有するEuBa2Cu3O7-y薄膜上のInSb成長における界面反応抑制効果」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治，道上修

第10回フォトンファクトリー・シンポジウム 

「Se安定化GaAs表面の角度分解光電子分光」

前田文彦，渡辺義夫，Tom Scimeca，尾嶋正治

第10回フォトンファクトリー・シンポジウム 

「原子オーダ制御GaAs表面の光電子分光」

尾嶋正治，Tom Scimeca，前田文彦，渡辺義夫

「物性研究における高エネルギー分光」研究会 

「Se安定化GaAs表面の放射光光電子分光による解析」

前田文彦，渡辺義夫，トムシメカ，尾嶋正治

日本物理学会1992年秋の分科会 

MBE growth of InAs and InSb on EuBa2Cu3O7-Y superconducting films" 国際会議

Y. Watanabe, F. Maeda, M. Oshima, and O. Michikami

7th Interantional Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-VII) 

「EuBa2CuOy薄膜上GaAs成長過程の光電子分光」

前田文彦，尾嶋正治，菅原裕彦，道上修，安藤洋

第38回応用物理学関係連合講演会 

「(NH4)2Sx処理InP(001)の放射光照射による表面改質」

前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治

第39回応用物理学会関係連合講演会 

「EuBa2Cu3O7-y薄膜上InAs成長におけるSrF2界面層の効果」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治，道上修

第9回フォトンファクトリー・シンポジウム 

「GaAs/interlayer/EuBa2Cu3O7-yの界面反応」

前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治，道上修

第9回フォトンファクトリー・シンポジウム 

「EuBa2Cu3O7-y薄膜上へのIII-V族化合物半導体の成長」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治，道上修

超伝導エレクトロニクス研究会・超伝導分科会 

「GaAs/SrF2/EuBa2Cu3O7-yの界面反応」

前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治，道上修

日本物理学会第46回年会 

Effect of AsxO and SrF2 interlayers for GaAs growth on EuBa2Cu3Oy(001)" 国際会議

F. Maeda, Y. Watanabe, M. Oshima, M. Asahi, and O. Michikami

12th Europian Conference on Surface Science (ECOSS-12) 

Effect of a SrF2 interlayer on InAs epitaxial growth on EuBa2Cu3O7-7 superconducting films★✩ ✩★

Y. Watanabe, F. Maeda, M. Oshima, O. Michikami, and M. Asahi

1991 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1991) 

「半導体機能界面の光電子分光解析」

尾嶋正治，菅原裕彦，Ruth Klauser，前田文彦

新材料創製討論会 

「Ga and As/EuBa2Cu3O7-y(001)の初期吸着過程」

前田文彦，尾嶋正治，菅原裕彦，道上修，安藤洋

第8回フォトンファクトリー・シンポジウム 

「Ga・As/EuBa2Cu3O7-δ(001)の初期吸着過程」

前田文彦，尾嶋正治，菅原裕彦，道上修

日本物理学会1990年秋の分科会 

「NTT SOR表面分析ビームライン」

前田文彦，村松康司，尾嶋正治

日本放射光学会第3回年会 

「単結晶NdCeCuOの放射光光電子分光」

前田文彦，尾嶋正治，日高義和，山路昭彦

第7回フォトンファクトリー・シンポジウム 

「グラファイト薄膜の製造方法および製造装置」

前田文彦，日比野浩樹

「鉄シリサイドの形成方法」

前田文彦，日比野浩樹，鈴木哲

「トランジスタの製造方法」

神崎賢一，鈴木哲，前田文彦，小林慶裕

「トンネル接合の形成方法及びトンネル接合の形成装置」

鈴木哲，神崎賢一，前田文彦，小林慶裕

「カーボンナノチューブの直径制御方法および直径制御装置」

鈴木哲，神崎賢一，前田文彦，小林慶裕

「半導体装置の製造方法及び装置」

鈴木哲，神崎賢一，前田文彦，小林慶裕

「細線構造及び配線並びにその作製方法」

登倉明雄，日比野浩樹，住友弘二，前田文彦，小林慶裕

「カーボンナノチューブ成長用基板及びカーボンナノチューブの形成方法

前田文彦，日比野浩樹，鈴木哲，小林慶裕

「発光素子及びその製造方法」

登倉明雄，前田文彦，日比野浩樹，住友弘二，小林慶裕

「荷電粒子検出装置」

前田文彦，渡辺義夫，田口雅美，木田義輝

「荷電粒子測定方法」

前田文彦，渡辺義夫，村松康司

「化合物半導体の成長方法」

渡辺義夫，前田文彦，清倉孝規，尾嶋正治

「化合物半導体の成長方法」

渡辺義夫，杉山宗弘，前田文彦，清倉孝規，尾嶋正治

「微小ビーム作製装置および微小ビーム作製方法」

清倉孝規，渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治，芹川正

「超伝導体表面の清浄化方法」

前田文彦，清倉孝規，渡辺義夫，尾嶋正治，浅野秀文

「超伝導体装置」

渡辺義夫，前田文彦，清倉孝規，尾嶋正治

「半導体装置及びその製造方法」

前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治

「分光素子」

竹中久貴，前田文彦，富田雅人，川村朋晃，林孝好，尾嶋正治，石井芳一

「半導体装置の製造方法」

尾嶋正治，渡辺義夫，トムシメカ，前田文彦

「半導体装置の製造方法」

尾嶋正治，渡辺義夫，前田文彦

「半導体装置の製造方法」

渡辺義夫，前田文彦，トムシメカ，尾嶋正治

「分光素子」

前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治，竹中久貴

「半導体装置の製造方法」

菅原裕彦，尾嶋正治，前田文彦，前山智

「半導体材料の堆積方法」

渡辺義夫，前田文彦，尾嶋正治

「結晶成長過程の分析装置と分析方法及び評価装置」

尾嶋正治，前田文彦，村松康司

「半導体結晶基板及びその製造方法」

前田文彦，尾嶋正治，道上修

グラフェンの作製方法

前田文彦，田邉 真一，日比野浩樹

電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法

前田文彦，日比野浩樹

グラファイト薄膜の製造方法

前田文彦，日比野浩樹，高村真琴

カーボンナノチューブの製造方法

前田文彦，高木大輔，小林慶裕

グラファイト薄膜の製造方法および製造装置

前田文彦，日比野浩樹

半導体装置の製造方法及び装置

鈴木哲，神崎賢一，前田文彦，小林慶裕

トンネル接合の形成方法及びトンネル接合の形成装置

鈴木哲，神崎賢一，前田文彦，小林慶裕

トランジスタの製造方法

神崎賢一，鈴木哲，前田文彦，小林慶裕

カーボンナノチューブの直径制御方法および直径制御装置

鈴木哲，神崎賢一，前田文彦，小林慶裕

荷電粒子検出装置

前田文彦，渡辺義夫，田口雅美，木田義輝

分光素子

竹中久貴，前田文彦，富田雅人，川村朋晃，林孝好，尾嶋正治，石井芳一

分光素子

前田文彦，渡辺義夫，尾嶋正治，竹中久貴

MBE法によるグラフェン上へのBN成長

2014年 - 2015年

科研費  挑戦的萌芽研究

分子線エピタキシャル成長によるウエハスケールグラフェン形成

2010年 - 2013年

科研費  基盤研究（B）

カーボンナノチューブ構造の精密制御に関する研究

2006年 - 2008年

科研費  基盤研究（B）

2023年度   電子情報工学演習II

2023年度   電子物性工学特論Ⅲ

2022年度   物理概論

2022年度   物理学Ⅰ

2022年度   物理･電子情報基礎実験

2022年度   物理学Ⅱ

2022年度   卒業研究

2022年度   電子情報工学演習II

2022年度   電子物性工学特論Ⅲ

2021年度   物理概論

2021年度   物理学Ⅰ

2021年度   物理・電子情報基礎実験

2021年度   物理学Ⅱ

2021年度   卒業研究

2021年度   電子情報工学演習II

2021年度   電子物性工学特論Ⅲ

2020年度   物理・電子情報基礎実験

2020年度   物理概論

2020年度   物理学Ⅰ

2020年度   物理学Ⅱ

2020年度   卒業研究

2020年度   電子情報工学演習II

2020年度   電子物性工学特論Ⅲ

2019年度   物理・電子情報基礎実験

2019年度   物理概論

2019年度   物理学Ⅰ

2019年度   工学概論

2019年度   物理学Ⅱ

2019年度   就業実習

2019年度   卒業研究

2019年度   電子情報工学演習II

2019年度   電子物性工学特別研究

2018年度   物理・電子情報基礎実験

2018年度   物理概論

2018年度   物理学Ⅰ

2018年度   物理学Ⅱ

2018年度   現代物理学

2018年度   卒業研究

2018年度   電子物性工学特論Ⅲ

2018年度   電子情報工学演習II

2017年度   物理学Ⅰ

2017年度   物理・電子情報基礎実験

2017年度   物理概論

2017年度   物理学Ⅱ

2017年度   現代物理学

2017年度   卒業研究

2017年度   電子情報工学演習II

2016年度   電子情報基礎数学B

2016年度   物理学Ⅰ

2016年度   物理概論

2016年度   電子情報数学

2016年度   物理･電子情報基礎実験

2016年度   卒業研究

2016年度   電子情報工学演習II

2016年度   電子物性工学特論Ⅲ

物理学Ⅱ

機関名：福岡工業大学

物理学Ⅰ

機関名：福岡工業大学

物理・電子情報基礎実験

機関名：福岡工業大学

情報社会特講

機関名：東京国際大学

電子情報数学

機関名：福岡工業大学

日本表面科学会九州支部委員（庶務担当）

2018年

日本表面科学会九州支部委員（庶務担当）

2017年

日本表面科学会九州支部委員（庶務担当）

2016年

平成26年度　日本学術振興会科学研究費委員会専門委員

2014年

平成26年度　日本学術振興会科学研究費委員会専門委員

2014年

平成25年度　日本学術振興会科学研究費委員会専門委員

2013年

日本放射光学会編集委員

2003年

日本放射光学会編集委員

1998年