2026/06/09 更新

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スズキ　キョウイチ
鈴木　恭一
SUZUKI Kyoichi
Scopus 論文情報  
総論文数: 0  総Citation: 0  h-index: 14

Citation Countは当該年に発表した論文の被引用数
所属
工学部 電気工学科 教授
大学院　工学研究科 博士後期課程 物質生産システム工学専攻 教授
大学院　工学研究科 修士課程 電気工学専攻 教授
職名
教授
連絡先
メールアドレス
外部リンク

学位

  • 博士(工学) （ 2004年3月   東北大学 ）

研究キーワード

  • 極低温

  • 強磁場

  • 量子化

  • トポロジカル絶縁体

  • 半導体ヘテロ構造

研究分野

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性  / 薄膜、表面界面物性、走査トンネル顕微鏡

  • ナノテク・材料 / 応用物性  / 遠赤外、強磁場

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理  / 半導体

学歴

  • 東北大学   大学院工学研究科   応用物理学専攻

    1991年4月 - 1993年03月

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    国名： 日本国

  • 東北大学   工学部   応用物理学科

    1987年4月 - 1991年03月

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    国名： 日本国

経歴

  • 日本電信電話株式会社   NTT物性科学基礎研究所   主任研究員

    1993年4月 - 2017年3月

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    国名：日本国

所属学協会

  • 応用物理学会

  • 日本表面真空学会

  • 日本物理学会

委員歴

  • 日本表面真空学会九州支部   副支部長  

    2026年4月 - 現在   

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    団体区分：学協会

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  • 日本表面真空学会九州支部   会計担当  

    2020年4月 - 現在   

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    団体区分：学協会

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  • 科学技術振興機構   科研費基盤(C)審査委員  

    2018年10月 - 2021年9月   

  • 日本物理学会   領域4(半導体・低温)運営委員  

    2008年10月 - 2009年9月   

論文

  • Direct growth of graphene on Si substrate by a PVD and PECVD hybrid method with current-limited pulse discharge 査読

    Oishi Y., Kuwada A., Shinohara M., Suzuki K., Maeda F., Matsumoto T.

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1 Regular Papers and Short Notes and Review Papers   64 ( 6 )   2025年6月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japanese Journal of Applied Physics Part 1 Regular Papers and Short Notes and Review Papers  

    Our objective was to develop graphene without the use of any catalysts using a hybrid method of physical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) under pulsed magnetized discharge. The carbon target is employed for the purpose of sputtering. In addition to this sputtered deposition, plasma generated in pulse magnetized discharge is used as plasma source of PECVD. Styrene is used as a carbon source for PECVD. Graphene is successfully grown directly on Si(100) surface at 800 °C, with the target current limited. With increasing the input power, graphene is not grown, but carbon nanowalls are grown.

    DOI： 10.35848/1347-4065/ade1df

    Scopus

    researchmap

  • Quantum Hall Effect in Graphene Transferred by Water-Soluble Transfer Sheet and Home-Use Laminator 査読

    K. Suzuki, R. Ichiki, S. Kitazaki, Y. Ogawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   62   110903-1 - 110903-6   2023年11月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ad0747

  • 水転写シートと家庭用ラミネーターを用いたグラフェン転写 査読

    一木亮，北﨑訓，小川友以， 鈴木恭一

    福岡工業大学研究論集   55 ( 2 )   65 - 69   2023年2月

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    担当区分：責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）  

  • Cross-Sectional Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy of an InAs p-n Junction 査読

    K. Suzuki, K. Onomitsu, K. Kanisawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   61   065001-1 - 065001-6   2022年5月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac518b

  • Energy Gap Tuning and Gate-Controlled Topological Phase Transition in InAs/InGaSb Composite Quantum Wells 査読

    H. Irie, T. Akiho, F. Couëdo, K. Suzuki, K. Onomitsu, K. Muraki

    Phys. Rev. Materials.   4   104201-1 - 104201-6   2020年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.4.104201

  • Impact of Epitaxial Strain on the Topological -Nontopological Phase Diagram and Semimetallic Behavior of InAs/GaSb Composite Quantum Wells 査読

    H. Irie, T. Akiho, F. Couëdo, R. Ohana, K. Suzuki, K. Onomitsu, K. Muraki

    Phys. Rev. B   101   075433-1 - 075433-12   2020年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PhysRevB.101.075433

  • 無冷媒14 T超伝導磁石内蔵1.5 Kクライオスタットの導入と電気抵抗標準の実測

    鈴木恭一

    福岡工業大学研究所所報   2   7 - 11   2019年12月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）  

  • Tunneling Spectroscopy of Indium Adatom Precisely Manipulated on Cross-Sectional Surface of InAs/GaSb Quantum Structures 査読

    K. Suzuki, K. Onomitsu, K. Kanisawa

    Phys. Rev. B   100   235306-1 - 235306-7   2019年12月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PhysRevB.100.235306

  • 永久磁石を用いた半導体2 次元電子系のホール測定

    鈴木恭一

    福岡工業大学研究所所報   1   19 - 22   2018年12月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語  

  • Landau Level Quantization with Gate Tuning in an AlN/GaN Single Heterostructure 査読

    K. Suzuki, T. Akasaka

    Jpn.J.Appl.Phys.   57   111001-1 - 111001-4   2018年10月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.111001

  • Engineering Quantum Spin Hall Insulators by Strained-Layer Heterostructures 査読

    T. Akiho, F. Couëdo, H. Irie, K. Suzuki, K. Onomitsu, K. Muraki

    Appl. Phys. Lett.   109   192105-1 - 192105-4   2016年11月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4967471

  • Single-Edge Transport in a InAs/GaSb Quantum Spin Hall Insulator 査読

    F. Couëdo, H. Irie, K. Suzuki, K. Onomitsu, K. Muraki

    Phys. Rev. B   94   035301-1 - 035301-5   2016年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PHYSREVB.94.035301

  • 直接ギャップ半導体ヘテロ接合による二次元トポロジカル絶縁体 招待 査読

    日本物理学会誌   71   93 - 99   2016年2月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現

    鈴木恭一，小野満恒二，原田裕一，村木康二

    電子情報通信学会技術研究報告 113, No.449, ED2013-136   25 - 30   2016年2月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語  

  • Creating a Topological Insulator Using Semiconductor Heterostructures

    K. Suzuki, K. Onomitsu

    NTT Technical Review   2015 ( 8 )   2015年8月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）  

  • 半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現

    鈴木恭一，小野満恒二

    NTT技術ジャーナル2015年6月号   34   2015年6月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：中国語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）  

  • Gate-Controlled Semimetal-Topological Insulator Transition in an InAs/GaSb Heterostructure 査読

    K. Suzuki, Y. Harada, K. Onomitsu, K. Muraki

    91   245309-1 - 245309-6   2015年5月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PHYSREVB.91.245309

  • Edge Channel Transport in InAs/GaSb Topological Insulating Phase 査読

    K. Suzuki, Y. Harada, K. Onomitsu, K. Muraki

    Phys. Rev. B   87   235311-1 - 235311-6   2013年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PHYSREVB.87.235311

  • Gate Operation of InAs/AlGaSb Heterostructures with an Atomic-Layer-Deposited Insulating Layer 査読 国際共著

    K. Suzuki, Y. Harada, F. Maeda, K. Onomitsu, T. Yamaguchi, K. Muraki

    Appl. Phys. Express   4   125702-1 - 125702-3   2011年7月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/APEX.4.125702

  • Assembling Indium Atoms into Nanostructures on a Cleaved InAs(110) Surface 査読 国際共著

    K. Suzuki, Stefan Fölsch, K. Kanisawa

    Appl. Phys. Express   4   085002-1 - 085002-3   2011年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/APEX.4.085002

  • Low-Temperature Scanning Tunneling Microscopy of Self-Assembled InAs Quantum Dots Grown by Droplet Epitaxy 査読 国際共著

    C. Durand, A. Peilloux, K. Suzuki, K. Kanisawa, B. Grandidier, K. Muraki

    Physics Procedia   3   1299 - 1304   2010年1月

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    記述言語：英語  

  • Optimization of 2DEG InAs/GaSb Hall Sensors for Single Particle Detection 査読 国際共著

    O. Kazakova, J. C. Gallop, D. C. Cox, E. Brown, A. Cuenat, and K. Suzuki

    IEEE TRANS. MAG.   44   4480 - 4483   2008年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/TMAG.2008.2003507

  • 半導体デバイス中の量子状態実空間観測

    NTT技術ジャーナル2008年10月号   12   2008年10月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）  

  • Spatial Imaging of Valence Band Electronic Structures in a GaSb/InAs Quantum Well 査読

    K. Suzuki, K. Kanisawa, S. Perraud, T. Fujisawa

    Appl. Surf. Sci   254   7889 - 7892   2008年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/J.APSUSC.2008.03.036

  • Imaging of Quantum Confinement and Electron Wave Interference

    K. Suzuki, K. Kanisawa

    NTT Technical Review　2008年8月号   2008年8月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）  

  • Semiconductor heterostructure Studies by using Emerging Technologies 招待

    Y. Hirayama, T. Sogawa, K. Suzuki, K. Kanisawa, H. Yamaguchi

    Phys. Stat. Sol. (b)   244   2988 - 3001   2007年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Observation of Subband Standing Waves in Superlattices by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 招待 査読

    K. Suzuki, K. Kanisawa, S. Perraud, M. Ueki, K. Takashina, Y. Hirayama)

    J. Appl. Phys.   101   081705-1 - 081705-4   2007年4月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.2722732

  • Imaging of Subbands in InAs/GaSb Double Quantum Wells by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 査読

    K. Suzuki, K. Kanisawa, S. Perraud, M. Ueki, K. Takashina, Y. Hirayama

    J. Cryst. Growth   301-302   97 - 100   2007年4月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/J.JCRYSGRO.2006.11.251

  • Imaging of Interference between Incident and Reflected Electron Waves at an InAs/GaSb Heterointerface by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 査読

    K. Suzuki, K. Kanisawa, S. Perraud, M. Ueki, K. Takashina, Y. Hirayama

    Jpn. J. Appl. Phys.   46   2618 - 2621   2007年4月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Spatial Imaging of Two-Dimensional Electronic States in Semiconductor Quantum Wells 査読

    K. Suzuki, K. Kanisawa, C. Janer, S. Perraud, K. Takashina, T. Fujisawa, Y. Hirayama

    Phys. Rev. Lett.   98   136802-1 - 136802-4   2007年3月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PHYSREVLETT.98.136802

  • Current Focusing in InSb Heterostructures 査読 国際共著

    A. R. Dedigama, D. Deen, S. Q. Murphy, N. Goel, J. C. Keay, M. B. Santos, K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayama

    Physica E   34   647 - 650   2006年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/J.PHYSE.2006.03.050

  • Imaging of Electron Standing Waves in InAs/GaSb superlattices by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 査読

    K. Suzuki, K. Kanisawa, S. Perraud, M. Ueki, K. Takashina, Y. Hirayama

    Physica Status Solidi (c)   3   643 - 646   2006年3月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/PSSC.200564137

  • 電子-正孔共存系半導体ヘテロ構造における磁場中での 2 次元キャリア相関

    鈴木恭一

    東北大学博士論文   2005年3月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：学位論文（博士）  

  • Ballistic Transport in InSb Mesoscopic Structures 査読 国際共著

    N. Goel, J. Graham, J. C. Keay, K. Suzuki, S. Miyashita, M. B. Santos, Y. Hirayama

    Physica E   26   455 - 459   2005年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/J.PHYSE.2004.08.080

  • Landau-Level Hybridization and the Quantum Hall Effect in InAs/(AlSb)/GaSb Electron-Hole Systems 査読

    K. Suzuki, K. Takashina, S. Miyashita, Y. Hirayama

    Phys. Rev. Lett.   93   016803-1 - 016803-4   2004年7月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PHYSREVLETT.93.016803

  • Effect of Temperature on Ballistic Transport in InSb Quantum Wells 査読 国際共著

    N. Goel, S.J. Chung, M. B. Santos, K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayama

    Physica E   21   761 - 764   2004年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/J.PHYSE.2003.11.116

  • Ballistic Electron Transport in InSb Quantum Wells at High Temperature 査読 国際共著

    N. Goel, K. Suzuki, S. Miyashita, S. J. Chung, M. B. Santos, Y. Hirayama

    Physica E   20   232 - 235   2004年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/J.PHYSE.2003.08.012

  • Quantum Hall Effect in Back-Gated InAs/GaSb Heterostructures under a Tilted Magnetic Field 査読

    K. Suzuki, S. Miyashita, K. Takashina, Y. Hirayama

    Physica E   20   232 - 235   2004年1月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/J.PHYSE.2003.08.071

  • Transport Properties in Asymmetric InAs/(AlSb)/GaSb Electron-Hole Hybridized Systems 査読

    K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayam

    Phys. Rev. B   67   195319-1 - 195319-8   2003年5月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PHYSREVB.67.195319

  • Quantum Hall Effect in Back-Gated InAs/(AlSb)/GaSb Heterostructures

    K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayama

    Inst. of Phys. Conf. Ser. in CD-ROM   171   2003年5月

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    担当区分：筆頭著者  

  • Transport Properties in Back-Gated InAs/GaSb Heterostructures 査読

    K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayama

    Compound Semiconductors, Inst. of Phys. Conf. Ser.   170   339 - 344   2002年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関

    鈴木恭一，宮下宣，平山祥郎

    電子情報通信学会技術研究報101 No.617, SDM2001-233   41 - 48   2002年1月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）  

  • Back-Gate Control in an InAs-Based Two-Dimensional System 査読

    K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayama

    Physica C   352   125 - 127   2001年4月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/S0921-4534(00)01706-8

  • Electron and Hole Proximity Effecs in the InAs/AlSb/GaSb System 査読

    J. H. Roslund, K. Saito, K. Suzuki, H. Yamaguchi and Y. Hirayama

    Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1   39   2448 - 2451   2000年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.39.2448

  • Magnetophotoluminescence in n- and p-type Si-Modulation-Doped AlGaAs/GaAs Single-Heterostructures 査読

    K. Suzuki, K. Saito, K. Muraki, Y. Hirayama

    COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998, Inst. of Phys. Conf. Ser.   162   155 - 160   1999年9月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Photoluminescence from a Modulation-Doped AlGaAs/GaAs Heterointerfece under Cyclotron Resonance 査読

    K. Suzuki, K. Saito, K. Muraki, Y. Hirayama

    Phys. Rev. B   58   15385 - 15388   1998年12月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PHYSREVB.58.15385

  • Optically Detected Cyclotron Resonance by Multichannel spectroscopy 査読

    K. Suzuki, K. Saito, T. Saku, Y. Hirayam

    Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1   36   926 - 929   1997年2月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.36.926

  • Electron Distribution in Modulation Doped AlGaAs/GaAs Single Quantum Wells　and Inverted Modulation Doped GaAs/AlGaAs Heterostructures 査読

    K. Suzuki, K. Saito, T. Saku, A. Sugimura,　 Y. Horikoshi, S. Yamada

    J. Cryst. Growth   150   1226 - 1269   1995年5月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/0022-0248(95)80142-Y

  • Preparation and Properties of CdMnSe Microcrystallites Embedded in SiO2 Glass Film 査読

    K. Yanata, K. Suzuki, and Y. Ok

    Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1 Suppl.   32-3   384 - 385   1993年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAPS.32S3.384

  • Growth of CdTe/ZnTe Strained-Layer Superlattices by Hot-Wall Epitaxy and Their Characterization 査読

    M. Takahashi, S. Muto, K. Suzuki, Y. Oka

    Physics of semiconductors   879 - 885   1993年8月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Magneto-Optical Properties of CdMnSe Microcrystallites in Glass 査読

    K. Yanata, K. Suzuki, Y. Oka

    Physics of semiconductors   1371 - 1376   1993年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Optical Study of Localized Exciton States in CdTe/ZnTe Superlattices 査読

    H. Okamoto, K. Suzuki, K. Tsuzuki, M. Takahashi, and Y. Oka

    Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1 Suppl.   32-3   746 - 748   1993年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAPS.32S3.746

  • Magneto‐optical properties of Cd1−xMnxSe microcrystallites in SiO2 glass prepared by rf sputtering 査読

    K. Yanata, K. Suzuki, and Y. Oka

    J. Appl. Phys.   73 ( 9 )   4595 - 4598   1993年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.352750

  • Photoluminescence of Fine Semiconductor (CdS, CdSe, Ge) Particle-Doped Films Prepared by a Mutual Counter Diffusion Method and a Sol-Gel Process 査読

    Y. Kobayashi, Y. Kakegawa, Y. Kurokawa, K. Suzuki, and Y. Oka

    J. Ceramic Soc. Jpn   101 ( 1169 )   69 - 72   1993年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.2109/JCERSJ.101.69

  • Magneto-Optical Properties of Low-Dimensional Excitons in Microcrystals and Superlattices of CdMnTe 査読

    K. Suzuki, M. Nakamura, I. Souma, K. Yanata, Y. Oka, H. Fujiyasu, and H. Noma

    J. Cryst. Growth   117 ( 1-4 )   881 - 885   1992年2月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/0022-0248(92)90877-L

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MISC

  • 水転写シートと家庭用ラミネーターを用いたグラフェン転写

    一木、北﨑、小川、鈴木

    福岡工業大学研究論集   55 ( 2 )   65   2023年2月

  • 無冷媒14T超伝導磁石内蔵1.5Kクライオスタットの導入と電気抵抗標準の実測

    鈴木恭一

    福岡工業大学総合研究機構研究所報   ２   ７   2020年2月

  • 無永久磁石を用いた半導体2次元電子系のホール測定

    鈴木恭一

    福岡工業大学総合研究機構研究所報   １   6   2018年12月

  • Creating a Topological Insulator Using Semiconductor Heterostructures

    K. Suzuki and k. Onomitsu

    NTT Technical Review   2015年8月

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    記述言語：英語  

  • 半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現

    鈴木恭一、小野満恒二

    NTT技術ジャーナル   2015年6月

  • 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現

    鈴木恭一, 小野満恒二, 原田裕一, 村木康二

    電子情報通信学会技術研究報告   113 ( 449 )   25   2014年2月

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    記述言語：日本語  

  • 半導体デバイス中の量子状態実空間観測

    鈴木恭一、蟹澤聖

    NTT技術ジャーナル   2008年10月

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    記述言語：日本語  

  • Imaging of Quantum Confinement and Electron Wave Interference

    K. Suzuki and K. Kanisawa

    NTT Technical Review   2008年8月

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    記述言語：日本語  

  • InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関

    鈴木恭一、宮下宣、平山祥郎

    電子情報通信学会技術研究報告   101 ( 617 )   41   2002年1月

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    記述言語：日本語  

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講演・口頭発表等

  • InGaSb/InAsトポロジカル絶縁体を用いたゲート生成p-n接合の電気伝導特性

    木ノ原佑真，秋保貴史，入江宏，小野満恒ニ， 村木康ニ，鈴木恭一

    日本物理学会 九州支部例会  2022年12月  日本物理学会 九州支部

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    開催年月日： 2022年12月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    国名：日本国  

  • PVAとラミネーターによる グラフェン転写

    一木亮，北﨑訓，小川友以，鈴木恭一

    応用物理学会 春季学術講演会  2022年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

  • 低温STMによるInAs p-n接合の空乏層解析

    鈴木恭一，小野満恒二，蟹澤聖

    応用物理学会 春季学術講演会  2022年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語  

    国名：日本国  

  • 波動関数の実空間観測と単一原子操作 招待

    鈴木恭一

    日本技術士会九州本部  2021年9月  日本技術士会 九州本部

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    開催年月日： 2021年9月

  • 無冷媒14T，1.5Kクライオスタットの導入と電気抵抗標準の測定

    鈴木恭一

    日本物理学会 九州支部例会  2019年11月 

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    開催年月日： 2019年11月

    記述言語：日本語  

  • InAs/GaSbヘテロ構造断面上の原子操作とトンネル機構

    鈴木恭一，小野満恒二，蟹澤聖

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    開催年月日： 2019年9月

  • AlN/GaN単一ヘテロ接合の量子ホール効果とゲート制御

    鈴木恭一，赤坂 哲也

    第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

  • III-V族半導体によるトポロジカル絶縁体の実現 ～InAs/GaSb量子スピンホール系のエッジ伝導～ 招待

    鈴木恭一

    日本物理学会第70回年次大会  2015年3月 

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    開催年月日： 2015年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：早稲田大学   国名：日本国  

  • III-V族半導体ヘテロ構造による2次元トポロジカル絶縁体の実現 招待

    日本表面科学会中部支部研究会　  2014年10月  日本表面科学会中部支部

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    開催年月日： 2014年10月

    開催地：山梨大  

  • Imaging of Interference between Incident and Reflected Electron Waves at an InAs/GaSb Heterointerface by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 招待

    Kyoichi Suzuki

    第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2008年9月

    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：中部大学   国名：日本国  

  • Observation of Subband Standing Waves in Superlattices by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 招待 国際会議

    Kyoichi Suzuki

    28th. Int. Conf. on Phys. of Semiconductors [ICPS-28], Vienna, Austria  2006年7月 

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    開催年月日： 2006年7月

    記述言語：英語  

    開催地：Vienna   国名：オーストリア共和国  

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産業財産権

  • 半導体装置

    鈴木恭一、村木康二、原田裕一、小野満恒二

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    出願番号：5249307  出願日：2010年11月

  • 電界効果トランジスタ

    鈴木恭一、村木康二、原田裕一、小野満恒二

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    出願番号：5580138  出願日：2010年8月

  • 電界効果トランジスタの製造方法

    鈴木恭一、村木康二、小野満恒二、原田裕一

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    出願番号：5390487  出願日：2010年8月

  • 赤外光源

    重川直輝、塩島謙次、鈴木恭一

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    出願番号：3980432  出願日：2002年7月

  • 分光装置

    鈴木恭一

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    出願番号：3416451  出願日：1997年3月

受賞

  • 応用物理学会論文賞

    2008年9月   応用物理学会  

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    受賞国：日本国

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 窒化物半導体ステップフリー面を利用した新規分子層エピタキシ

    研究課題/領域番号：16H03862  2016年 - 2018年

    科研費  科研費 基盤(B)

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    担当区分：研究分担者  資金種別：競争的資金

    配分額：14690000円

    その他1：代表：赤坂哲也(NTT)

  • 電子－正孔複合量子井戸による量子スピンホール効果の実現

    研究課題/領域番号：26287068  2014年 - 2016年

    科研費  科研費 基盤(B)

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

    配分額：17860000円

  • 原子操作により形成したナノ構造による半導体表面における量子コヒーレンス現象の走査トンネル分光法による研究

    2008年 - 2011年

    科学技術振興機構  JST戦略的 国際科学技術協力推進事業 「日本－ドイツ研究交流」  JST戦略的 国際科学技術協力推進事業 「日本－ドイツ研究交流」

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    担当区分：研究分担者  資金種別：競争的資金

    配分額：19200000円

担当授業科目（学内）

  • 2025年度   基礎物質工学

  • 2025年度   電気工学概論

  • 2025年度   電気基礎学実験

  • 2025年度   半導体工学

  • 2025年度   電気基礎学概論

  • 2025年度   電気工学総合

  • 2025年度   卒業研究

  • 2025年度   半導体工学特論

  • 2025年度   電気基礎学特別研究

  • 2024年度   基礎物質工学

  • 2024年度   電気工学概論

  • 2024年度   電気基礎学実験

  • 2024年度   半導体工学

  • 2024年度   電気基礎学概論

  • 2024年度   電気工学総合

  • 2024年度   卒業研究

  • 2024年度   半導体工学特論

  • 2023年度   基礎物質工学

  • 2023年度   電気工学概論

  • 2023年度   電気基礎学実験

  • 2023年度   半導体工学

  • 2023年度   電気基礎学概論

  • 2023年度   電気工学総合

  • 2023年度   卒業研究

  • 2023年度   半導体工学特論

  • 2022年度   基礎物質工学

  • 2022年度   電気工学概論

  • 2022年度   電気基礎学実験

  • 2022年度   半導体工学

  • 2022年度   電気基礎学概論

  • 2022年度   電気工学総合

  • 2022年度   卒業研究

  • 2022年度   電気基礎学特別研究

  • 2021年度   基礎物質工学

  • 2021年度   電気工学概論

  • 2021年度   電気基礎学実験

  • 2021年度   半導体工学

  • 2021年度   電気基礎学概論

  • 2021年度   電気工学総合

  • 2021年度   卒業研究

  • 2021年度   国際学会等発表特別演習

  • 2021年度   半導体工学特論

  • 2020年度   基礎物質工学

  • 2020年度   電気工学概論

  • 2020年度   電気基礎学実験

  • 2020年度   半導体工学

  • 2020年度   電気工学総合

  • 2020年度   電気基礎学概論

  • 2020年度   卒業研究

  • 2020年度   半導体工学特論

  • 2019年度   基礎物質工学

  • 2019年度   電気工学概論

  • 2019年度   電気基礎学実験

  • 2019年度   半導体工学

  • 2019年度   集積回路

  • 2019年度   電気工学総合

  • 2019年度   卒業研究

  • 2019年度   半導体工学特論

  • 2018年度   基礎物質工学

  • 2018年度   電気工学概論

  • 2018年度   半導体工学

  • 2018年度   集積回路

  • 2018年度   電気基礎学実験

  • 2018年度   電気工学総合

  • 2018年度   卒業研究

  • 2018年度   電気基礎学演習

  • 2018年度   半導体工学特論

  • 2017年度   基礎物質工学

  • 2017年度   電気工学概論

  • 2017年度   集積回路

  • 2017年度   半導体工学

  • 2017年度   電気基礎学実験

  • 2017年度   卒業研究

  • 2017年度   半導体工学特論

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社会貢献活動

  • 平成18年度日米ナノテクノロジー若手研究者交流プログラム

    2006年

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    文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト 平成18年度日米ナノテクノロジー若手研究者交流プログラム(16名)に選抜されアメリカ合衆国の著名大学および研究機関を視察