Tunneling Spectroscopy of Indium Adatom Precisely Manipulated on Cross-Sectional Surface of InAs/GaSb Quantum Structures 査読

K. Suzuki, K. Onomitsu, K. Kanisawa

Phys. Rev. B   100   235306-1 - 235306-7   2019年12月

無冷媒14 T超伝導磁石内蔵1.5 Kクライオスタットの導入と電気抵抗標準の実測

鈴木恭一

福岡工業大学研究所所報   2   7 - 11   2019年12月

永久磁石を用いた半導体2 次元電子系のホール測定

鈴木恭一

福岡工業大学研究所所報   1   19 - 22   2018年12月

Landau Level Quantization with Gate Tuning in an AlN/GaN Single Heterostructure 査読

K. Suzuki, T. Akasaka

Jpn.J.Appl.Phys.   57   111001-1 - 111001-4   2018年10月

Engineering Quantum Spin Hall Insulators by Strained-Layer Heterostructures 査読

T. Akiho, F. Couëdo, H. Irie, K. Suzuki, K. Onomitsu, K. Muraki

Appl. Phys. Lett.   109   192105-1 - 192105-4   2016年11月

Single-Edge Transport in a InAs/GaSb Quantum Spin Hall Insulator 査読

F. Couëdo, H. Irie, K. Suzuki, K. Onomitsu, K. Muraki

Phys. Rev. B   94   035301-1 - 035301-5   2016年7月

直接ギャップ半導体ヘテロ接合による二次元トポロジカル絶縁体 招待 査読

日本物理学会誌   71   93 - 99   2016年2月

直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現

鈴木恭一，小野満恒二，原田裕一，村木康二

電子情報通信学会技術研究報告 113, No.449, ED2013-136   25 - 30   2016年2月

Creating a Topological Insulator Using Semiconductor Heterostructures

K. Suzuki, K. Onomitsu

NTT Technical Review   2015 ( 8 )   2015年8月

半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現

鈴木恭一，小野満恒二

NTT技術ジャーナル2015年6月号   34   2015年6月

Gate-Controlled Semimetal-Topological Insulator Transition in an InAs/GaSb Heterostructure 査読

K. Suzuki, Y. Harada, K. Onomitsu, K. Muraki

91   245309-1 - 245309-6   2015年5月

Edge Channel Transport in InAs/GaSb Topological Insulating Phase 査読

K. Suzuki, Y. Harada, K. Onomitsu, K. Muraki

Phys. Rev. B   87   235311-1 - 235311-6   2013年5月

Gate Operation of InAs/AlGaSb Heterostructures with an Atomic-Layer-Deposited Insulating Layer 査読 国際共著

K. Suzuki, Y. Harada, F. Maeda, K. Onomitsu, T. Yamaguchi, K. Muraki

Appl. Phys. Express   4   125702-1 - 125702-3   2011年7月

Assembling Indium Atoms into Nanostructures on a Cleaved InAs(110) Surface 査読 国際共著

K. Suzuki, Stefan Fölsch, K. Kanisawa

Appl. Phys. Express   4   085002-1 - 085002-3   2011年6月

Low-Temperature Scanning Tunneling Microscopy of Self-Assembled InAs Quantum Dots Grown by Droplet Epitaxy 査読 国際共著

C. Durand, A. Peilloux, K. Suzuki, K. Kanisawa, B. Grandidier, K. Muraki

Physics Procedia   3   1299 - 1304   2010年1月

Optimization of 2DEG InAs/GaSb Hall Sensors for Single Particle Detection 査読 国際共著

O. Kazakova, J. C. Gallop, D. C. Cox, E. Brown, A. Cuenat, and K. Suzuki

IEEE TRANS. MAG.   44   4480 - 4483   2008年11月

半導体デバイス中の量子状態実空間観測

NTT技術ジャーナル2008年10月号   12   2008年10月

Spatial Imaging of Valence Band Electronic Structures in a GaSb/InAs Quantum Well 査読

K. Suzuki, K. Kanisawa, S. Perraud, T. Fujisawa

Appl. Surf. Sci   254   7889 - 7892   2008年9月

Imaging of Quantum Confinement and Electron Wave Interference

K. Suzuki, K. Kanisawa

NTT Technical Review　2008年8月号   2008年8月

Semiconductor heterostructure Studies by using Emerging Technologies 招待

Y. Hirayama, T. Sogawa, K. Suzuki, K. Kanisawa, H. Yamaguchi

Phys. Stat. Sol. (b)   244   2988 - 3001   2007年8月

Observation of Subband Standing Waves in Superlattices by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 招待 査読

K. Suzuki, K. Kanisawa, S. Perraud, M. Ueki, K. Takashina, Y. Hirayama)

J. Appl. Phys.   101   081705-1 - 081705-4   2007年4月

Imaging of Subbands in InAs/GaSb Double Quantum Wells by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 査読

K. Suzuki, K. Kanisawa, S. Perraud, M. Ueki, K. Takashina, Y. Hirayama

J. Cryst. Growth   301-302   97 - 100   2007年4月

Imaging of Interference between Incident and Reflected Electron Waves at an InAs/GaSb Heterointerface by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 査読

K. Suzuki, K. Kanisawa, S. Perraud, M. Ueki, K. Takashina, Y. Hirayama

Jpn. J. Appl. Phys.   46   2618 - 2621   2007年4月

Spatial Imaging of Two-Dimensional Electronic States in Semiconductor Quantum Wells 査読

K. Suzuki, K. Kanisawa, C. Janer, S. Perraud, K. Takashina, T. Fujisawa, Y. Hirayama

Phys. Rev. Lett.   98   136802-1 - 136802-4   2007年3月

Current Focusing in InSb Heterostructures 査読 国際共著

A. R. Dedigama, D. Deen, S. Q. Murphy, N. Goel, J. C. Keay, M. B. Santos, K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayama

Physica E   34   647 - 650   2006年8月

Imaging of Electron Standing Waves in InAs/GaSb superlattices by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 査読

K. Suzuki, K. Kanisawa, S. Perraud, M. Ueki, K. Takashina, Y. Hirayama

Physica Status Solidi (c)   3   643 - 646   2006年3月

電子-正孔共存系半導体ヘテロ構造における磁場中での 2 次元キャリア相関

鈴木恭一

東北大学博士論文   2005年3月

Ballistic Transport in InSb Mesoscopic Structures 査読 国際共著

N. Goel, J. Graham, J. C. Keay, K. Suzuki, S. Miyashita, M. B. Santos, Y. Hirayama

Physica E   26   455 - 459   2005年2月

Landau-Level Hybridization and the Quantum Hall Effect in InAs/(AlSb)/GaSb Electron-Hole Systems 査読

K. Suzuki, K. Takashina, S. Miyashita, Y. Hirayama

Phys. Rev. Lett.   93   016803-1 - 016803-4   2004年7月

Effect of Temperature on Ballistic Transport in InSb Quantum Wells 査読 国際共著

N. Goel, S.J. Chung, M. B. Santos, K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayama

Physica E   21   761 - 764   2004年3月

Ballistic Electron Transport in InSb Quantum Wells at High Temperature 査読 国際共著

N. Goel, K. Suzuki, S. Miyashita, S. J. Chung, M. B. Santos, Y. Hirayama

Physica E   20   232 - 235   2004年1月

Quantum Hall Effect in Back-Gated InAs/GaSb Heterostructures under a Tilted Magnetic Field 査読

K. Suzuki, S. Miyashita, K. Takashina, Y. Hirayama

Physica E   20   232 - 235   2004年1月

Transport Properties in Asymmetric InAs/(AlSb)/GaSb Electron-Hole Hybridized Systems 査読

K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayam

Phys. Rev. B   67   195319-1 - 195319-8   2003年5月

Quantum Hall Effect in Back-Gated InAs/(AlSb)/GaSb Heterostructures

K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayama

Inst. of Phys. Conf. Ser. in CD-ROM   171   2003年5月

Transport Properties in Back-Gated InAs/GaSb Heterostructures 査読

K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayama

Compound Semiconductors, Inst. of Phys. Conf. Ser.   170   339 - 344   2002年9月

InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関

鈴木恭一，宮下宣，平山祥郎

電子情報通信学会技術研究報101 No.617, SDM2001-233   41 - 48   2002年1月

Back-Gate Control in an InAs-Based Two-Dimensional System 査読

K. Suzuki, S. Miyashita, Y. Hirayama

Physica C   352   125 - 127   2001年4月

Electron and Hole Proximity Effecs in the InAs/AlSb/GaSb System 査読

J. H. Roslund, K. Saito, K. Suzuki, H. Yamaguchi and Y. Hirayama

Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1   39   2448 - 2451   2000年4月

Magnetophotoluminescence in n- and p-type Si-Modulation-Doped AlGaAs/GaAs Single-Heterostructures 査読

K. Suzuki, K. Saito, K. Muraki, Y. Hirayama

COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998, Inst. of Phys. Conf. Ser.   162   155 - 160   1999年9月

Photoluminescence from a Modulation-Doped AlGaAs/GaAs Heterointerfece under Cyclotron Resonance 査読

K. Suzuki, K. Saito, K. Muraki, Y. Hirayama

Phys. Rev. B   58   15385 - 15388   1998年12月

Optically Detected Cyclotron Resonance by Multichannel spectroscopy 査読

K. Suzuki, K. Saito, T. Saku, Y. Hirayam

Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1   36   926 - 929   1997年2月

Electron Distribution in Modulation Doped AlGaAs/GaAs Single Quantum Wells　and Inverted Modulation Doped GaAs/AlGaAs Heterostructures 査読

K. Suzuki, K. Saito, T. Saku, A. Sugimura,　 Y. Horikoshi, S. Yamada

J. Cryst. Growth   150   1226 - 1269   1995年5月

Preparation and Properties of CdMnSe Microcrystallites Embedded in SiO2 Glass Film 査読

K. Yanata, K. Suzuki, and Y. Ok

Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1 Suppl.   32-3   384 - 385   1993年9月

Growth of CdTe/ZnTe Strained-Layer Superlattices by Hot-Wall Epitaxy and Their Characterization 査読

M. Takahashi, S. Muto, K. Suzuki, Y. Oka

Physics of semiconductors   879 - 885   1993年8月

Magneto-Optical Properties of CdMnSe Microcrystallites in Glass 査読

K. Yanata, K. Suzuki, Y. Oka

Physics of semiconductors   1371 - 1376   1993年8月

Optical Study of Localized Exciton States in CdTe/ZnTe Superlattices 査読

H. Okamoto, K. Suzuki, K. Tsuzuki, M. Takahashi, and Y. Oka

Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1 Suppl.   32-3   746 - 748   1993年5月

Magneto‐optical properties of Cd1−xMnxSe microcrystallites in SiO2 glass prepared by rf sputtering 査読

K. Yanata, K. Suzuki, and Y. Oka

J. Appl. Phys.   73 ( 9 )   4595 - 4598   1993年5月

Photoluminescence of Fine Semiconductor (CdS, CdSe, Ge) Particle-Doped Films Prepared by a Mutual Counter Diffusion Method and a Sol-Gel Process 査読

Y. Kobayashi, Y. Kakegawa, Y. Kurokawa, K. Suzuki, and Y. Oka

J. Ceramic Soc. Jpn   101 ( 1169 )   69 - 72   1993年1月

Magneto-Optical Properties of Low-Dimensional Excitons in Microcrystals and Superlattices of CdMnTe 査読

K. Suzuki, M. Nakamura, I. Souma, K. Yanata, Y. Oka, H. Fujiyasu, and H. Noma

J. Cryst. Growth   117 ( 1-4 )   881 - 885   1992年2月

直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現

鈴木恭一, 小野満恒二, 原田裕一, 村木康二

電子情報通信学会技術研究報告   113 ( 449 )   25   2014年2月

半導体デバイス中の量子状態実空間観測

鈴木恭一、蟹澤聖

NTT技術ジャーナル   2008年10月

Imaging of Quantum Confinement and Electron Wave Interference

K. Suzuki and K. Kanisawa

NTT Technical Review   2008年8月

InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関

鈴木恭一、宮下宣、平山祥郎

電子情報通信学会技術研究報告   101 ( 617 )   41   2002年1月

InAs/GaSbヘテロ構造断面上の原子操作とトンネル機構

鈴木恭一，小野満恒二，蟹澤聖

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

AlN/GaN単一ヘテロ接合の量子ホール効果とゲート制御

鈴木恭一，赤坂 哲也

第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月  応用物理学会

III-V族半導体によるトポロジカル絶縁体の実現 ～InAs/GaSb量子スピンホール系のエッジ伝導～ 招待

鈴木恭一

日本物理学会第70回年次大会  2015年3月 

III-V族半導体ヘテロ構造による2次元トポロジカル絶縁体の実現 招待

日本表面科学会中部支部研究会　  2014年10月  日本表面科学会中部支部

Imaging of Interference between Incident and Reflected Electron Waves at an InAs/GaSb Heterointerface by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 招待

Kyoichi Suzuki

第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月  応用物理学会

Observation of Subband Standing Waves in Superlattices by Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy 招待 国際会議

Kyoichi Suzuki

28th. Int. Conf. on Phys. of Semiconductors [ICPS-28], Vienna, Austria  2006年7月 

2023年度   電気工学総合

2023年度   卒業研究

2023年度   半導体工学特論

2022年度   基礎物質工学

2022年度   電気工学概論

2022年度   電気基礎学実験

2022年度   半導体工学

2022年度   電気基礎学概論

2022年度   電気工学総合

2022年度   卒業研究

2022年度   電気基礎学特別研究

2021年度   基礎物質工学

2021年度   電気工学概論

2021年度   電気基礎学実験

2021年度   半導体工学

2021年度   電気基礎学概論

2021年度   電気工学総合

2021年度   卒業研究

2021年度   国際学会等発表特別演習

2021年度   半導体工学特論

2020年度   基礎物質工学

2020年度   電気工学概論

2020年度   電気基礎学実験

2020年度   半導体工学

2020年度   電気工学総合

2020年度   電気基礎学概論

2020年度   卒業研究

2020年度   半導体工学特論

2019年度   基礎物質工学

2019年度   電気工学概論

2019年度   電気基礎学実験

2019年度   半導体工学

2019年度   集積回路

2019年度   電気工学総合

2019年度   卒業研究

2019年度   半導体工学特論

2018年度   基礎物質工学

2018年度   電気工学概論

2018年度   半導体工学

2018年度   集積回路

2018年度   電気基礎学実験

2018年度   電気工学総合

2018年度   卒業研究

2018年度   電気基礎学演習

2018年度   半導体工学特論

2017年度   基礎物質工学

2017年度   電気工学概論

2017年度   集積回路

2017年度   半導体工学

2017年度   電気基礎学実験

2017年度   卒業研究

2017年度   半導体工学特論